三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂,决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导,三星预计于2
日系存储器大厂尔必达(Elpida)虽然预期2010年第2季(7~9月)财报较2009年同期大幅增加,但相较上季却是明显缩水,主要还是受到个人计算机(PC)市场需求不振的影响,未来尔必达
DRAM拉货潮启动,加上芯片厂制程推进受阻,主流DDR34Gb颗粒现货报价攀上4.35美元,创近一年半新高价,本季涨幅近二成,有机会向历史新高4.6美元迈进,华亚科、南科将成为大赢家。DRAM市调机构集邦科技表示,本季DRAM
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代,DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术,有利DRAM的先进制程转换,但电容器制程问题是一大难题,由于采用新材料将直接影响生产
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代,DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术,有利DRAM的先进制程转换,但电容器制程问题是一大难题,由于采用新材料将直接影响生产
市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,NAND Flash供货商为了追求利润极大化,开始重新配置产能,透过缩减通路供给量来满足系统OEM客户订单需求,带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价上涨
全球市场研究机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,NAND Flash供应商为了追求利润极大化,开始重新配置产能,透过缩减通路供给量来满足系统EM客户订单需求,带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示,6月下旬合约价持平,4GB均价为30.5美元,换算颗粒价格约为3.5美元,与现货价格(DDR3 4Gb 512M
磁阻式随机存取记忆体(MRAM)或许在许多应用领域有取代 DRAM 与 SRAM 的潜力,但就连市场上唯一家生产这种非挥发性记忆体的供应商都认为,这种取代的过程得花上好一段时间。
1 引言FIFO(First In First Out)是一种具有先进先出存储功能的部件。在高速数字系统当中通常用作数据缓存。在高速数据采集、传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取,而这种先进先出的结构
根据TRI观察,2014上半年台湾IC设计产业受惠于中国大陆与新兴市场智慧手机需求旺盛、4K2K电视渗透率上升、世足赛带来LCDTV需求等三大因素,拉动了智慧手机晶片、驱动IC及电视SoC晶片之营收持续高涨,形成半导体产业少
排名在三星(Samsung)、海力士(Hynix)之后的全球第三大DRAM厂尔必达(Elpida Memory),正考虑收购台湾DRAM同业以巩固自身市场地位?彭博社(Bloomberg)的一篇报导指出,由台湾
美系存储器大厂美光(Micron)交出连续4季获利财报,美光近几年多角化发展十分成功,目前DRAM营收比重有仅剩下25%,受到下半年标准型DRAM价格重挫的冲击已大幅减少;然值得注意
台湾TDR市场有机会再添一档重量级新兵!券商圈传出日系DRAM大厂尔必达(Elpida)有意来台申请TDR挂牌,藉此拓展多元化的募资管道。然而,据了解,券商界目前为止尚无人筹组承销
80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元
凭借长达 12 年服务于 JEDEC 和标准委员会的敬业精神以及在促进下一代移动低功耗 DRAM 技术发展方面所起的重要作用,Daniel Skinner 赢得技术领导者们的一致赞誉。21ic讯—BOISE,2014 年 6 月 19 日 — 美
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,由于DRAM大厂持续将产能从标准型记忆体转移至行动式记忆体,加上部份DRAM厂转进25nm制程良率偏低及20nm制程转进有延宕的情形
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,近期各家智慧型手机大厂备货力道明显升温,加上NANDFlash厂商加速转进新制程导致供货缩减,6月上旬NANDFlash合约价上
中国市场诱人,SK海力士(SK hynix)18日在深圳拉生意,盼寻找新商机,扩展在中国高阶行动装置的渗透率;在此同时,该公司获利展望热络,18日股价创下2002年以来新高。韩国时报(Korea Times)18日报导,SK海力士在深圳为
全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示,由于 DRAM 大厂持续将产能从标准型记忆体转移至行动式记忆体,加上部份DRAM厂转进25nm制程良率偏低及20nm制程转进有延宕的情形下,2014下