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20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制

半导体
2014-03-23

三星 DRAM SK海力士三星电子
创见董事长：未来3个月DRAM、NAND Flash价格将缓跌

创见资讯董事长束崇万表示，因市场需求较弱，预计未来3个月DRAM、NAND Flash价格都将缓跌。创见董事长束崇万今日指出，包括动态随机存取记忆体(DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)今年市场都有点供过于

消费电子
2014-03-21

Flash NAND BSP DRAM
20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制

半导体
2014-03-20

三星 DRAM SK海力士三星电子
20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制

模拟
2014-03-18

三星 DRAM SK海力士三星电子
世界先进买新厂，2季后贡献业绩

世界先进(5347)已确定买下南科8寸晶圆厂，将可以加快扩充总产能，初期每年约可增加40万片晶圆产能，估计约2季时间转换制程后，便可开始贡献业绩。世界先进现有月产能13.9万片规模，本季持续满载。为快速扩产，世

模拟
2014-03-18

元件晶圆厂超高压 DRAM
三星电子量产20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星电子成功量产20纳米DRAM，展示了在半导体领域的主导地位。三星电子3月11日发布称“公司在全球率先启动了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产工作”。1纳米等于十亿分之一米，20纳米仅相当于头发丝粗细的2500分之

通信技术
2014-03-13

GB DDR3 DRAM 三星电子
三星电子量产世界最小型20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星电子日前宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构

消费电子
2014-03-13

GB DDR3 DRAM 三星电子
三星量产最先进20nm 4Gb DDR3 DRAM

作为尖端半导体解决方案的全球领先企业，三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制

消费电子
2014-03-13

GB DDR3 三星 DRAM
韩国积极引导半导体发展

韩国半导体产业已形成垄断局势，市场集中度极高。三星和现代两家公司主导了韩国的半导体产业。内存部门中，三星电子占24.5%，现代占7.4%，而在DRAM方面则是三星电子占了32.2%，现代占12.8%。韩国半导体产业的产品构成

半导体
2014-03-10

半导体半导体产业超大规模集成电路 DRAM
韩国积极引导半导体发展

韩国半导体产业已形成垄断局势，市场集中度极高。三星和现代两家公司主导了韩国的半导体产业。内存部门中，三星电子占24.5%，现代占7.4%，而在DRAM方面则是三星电子占了32.2%，现代占12.8%。韩国半导体产业的产品构成

模拟
2014-03-07

半导体半导体产业超大规模集成电路 DRAM
传高端LPDDR DRAM开始缺货

3月5日消息，业内知名爆料人士“手机晶片达人”在今天的微博上透露，虽然还处于淡季，但高端LPDDR DRAM开始缺货。 “手机晶片达人”预测，今年需求旺季来临时，内存的供应量将更不容乐观。LPDDR(Low Power Double Da

消费电子
2014-03-07

内存 DDR PD DRAM
力成：3月起稼动率看9成，今年营运料逐季增

IC封测力成(6239)董事长蔡笃恭(见附图)指出，今年1、2月间力成因工作天数较短，营运偏淡，惟与Tessera的授权合约终止诉讼尘埃落定，力成将可全力冲刺业务，不仅要重返DRAM封测领域，包括逻辑IC、NAND Flash与晶圆凸块

模拟
2014-02-28

SSD NAND TE DRAM
记忆体市场翻身　封测厂华东否极泰来

记忆体专业封测厂华东科技总经理于鸿祺指出，记忆体历经前几年的大洗牌后市况大翻身，从2013年开始，无论是标准型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈现价扬走势，而NAND Flash的需求也稳健成长，预估2014年对华东将是否极

模拟
2014-02-24

NAND MOBILE DRAM
内存市场翻身迎来机遇封测厂华东否极泰来

记忆体专业封测厂华东科技总经理于鸿祺指出，内存历经前几年的大洗牌后市况大翻身，从2013年开始，无论是标准型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈现价扬走势，而NANDFlash的需求也稳健成长，预估2014年对华东将是否极泰来

电子设计自动化
2014-02-24

内存市场 MOBILE DRAM
LED业持续扩张外资看好上游晶粒厂

随着LED照明需求快速成长，瑞信证券出具最新研究报告表示，其看好LED这一波产业成长景况与DRAM业于1990~1995年随PC渗透率拉升所推动的荣景现象相似，即LED业目前正进入扩张期，而这个阶段中将可见到LED产业

显示光电
2014-02-22

LED LED照明 LED产业 DRAM
应用材料公司发布2014财年第一季度财务报告

2014年2月12日，加州圣克拉拉——全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业制造解决方案供应商应用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014财年第一季度财务报告。2014财年第一季度，应用材料公司的总订单

半导体
2014-02-20

半导体应用材料公司平板显示 DRAM
应用材料公司发布2014财年第一季度财务报告

全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业制造解决方案供应商应用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014财年第一季度财务报告。2014财年第一季度，应用材料公司的总订单额为22.9亿美元，较去年第四季度增

消费电子
2014-02-18

半导体应用材料公司平板显示 DRAM
三星25纳米DRAM量产 4Q13的4GB均价高到34美元

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，

消费电子
2014-02-18

4G GB 三星 DRAM
4Q13全球DRAM产值续扬，连创5季新高

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，

半导体
2014-02-17

内存三星 DRAM SK海力士
4Q13全球DRAM产值续扬，连创5季新高

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，

模拟
2014-02-14

内存三星 DRAM SK海力士

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DRAM

20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

创见董事长：未来3个月DRAM、NAND Flash价格将缓跌

20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

世界先进买新厂，2季后贡献业绩

三星电子量产20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星电子量产世界最小型20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星量产最先进20nm 4Gb DDR3 DRAM

韩国积极引导半导体发展

韩国积极引导半导体发展

传高端LPDDR DRAM开始缺货

力成：3月起稼动率看9成，今年营运料逐季增

记忆体市场翻身　封测厂华东否极泰来

内存市场翻身迎来机遇封测厂华东否极泰来

LED业持续扩张外资看好上游晶粒厂

应用材料公司发布2014财年第一季度财务报告

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三星25纳米DRAM量产 4Q13的4GB均价高到34美元

4Q13全球DRAM产值续扬，连创5季新高

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