DRAM

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三星电子全球动态随机存储器市场占有率超57%

据韩联社12月23日消息，据市场调研机构iSuppli的统计数据，三星电子今年1-3季度销售的移动动态随机存储器(DRAM)以1Gb为基准计算达21.025亿个，在全球DRAM市场中的份额达57.05%。三星电子今年前三季度的销量和去年全

消费电子
2012-12-25

三星电子随机存储器 DRAM SK海力士
移动终端引领存储器需求，NOR和DRAM各有困扰

这两年，移动存储器市场增长的主要动力来自手机、平板等移动终端，NAND与NOR闪存市场格局变化迅速，越来越先进的手机扮演主导角色，左右着该产业的趋势，并决定供应商的成败。DRAM在PC市场需求的下滑，在移动市场找到

消费电子
2012-12-25

存储器移动终端 GB DRAM
历史上第一次今年闪存销量超越DRAM

根据IC Insights研究报告显示，受智能手机，平板电脑，和其他个人媒体设备需求驱动，包括NAND和NOR在内的闪存市场今年销售额增长2%，达到304亿美元，历史上首首度超过了DRAM销售额，DRAM2012年销售额是280亿美元。IC

智能硬件
2012-12-25

闪存市场 IC INSIGHT DRAM
三星DRAM总销量增长28.6% 占有率超57%

市场调研机构iSuppli的统计数据，三星电子今年1-3季度销售的流动动态随机存储器(DRAM)以1Gb为基准计算达21.025亿个，在全球DRAM市场中的份额达57.05%。三星电子今年前三季度的销量和去年全年总销量相比增长了28.6%，

智能硬件
2012-12-25

三星 BSP 三星电子 DRAM
第三季度移动DRAM爆发出货量大增

21ic讯据IHS iSuppli公司的DRAM市场动态简报，第三季度移动DRAM市场爆发，厂商抓紧为平板电脑和智能手机生产内存芯片，迎接圣诞销售旺季。但不是所有供应商都表现同样良好。第三季度移动DRAM的全球出货量环比大增3

消费电子
2012-12-21

移动智能手机平板电脑 DRAM
12月上旬主流NAND Flash合约价小跌1-2%

市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，然在NAND Flash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下，12月上旬NAND Flash合约价较11月下旬仅小跌1-2%，预估缓跌走势将

消费电子
2012-12-21

Flash NAND EXCHANGE DRAM
12月上旬DRAM模块价止跌反弹

市调机构集邦科技旗下DRAMeXchange调查显示，继11月下旬DRAM合约价格小跌3.17%，受到现货价格的激励，12月上旬的模块价格亦同步呈现上扬走势。目前4GB均价回到15.5美元水位，小涨1.64%；2GB模块均价同样受惠，回到美

消费电子
2012-12-21

内存 GB EXCHANGE DRAM
明年DRAM资本支出减21%

研调机构集邦科技表示，缩减明年投资金额已成DRAM业界共识，预期2013年整体DRAM产业资本支出将较今年减少21%。集邦科技指出，受个人电脑市场需求持续萎缩影响，动态随机存取记忆体(DRAM)厂多面临亏损窘境，除营运转型

消费电子
2012-12-21

三星电脑 SAMSUNG DRAM
NAND闪存市场市况平稳合约价有望触底

NAND闪存（Flash）合约价12月上旬缓慢下跌，内存模块厂认为，短期将出现回调，12月底将可望触底，明年元月间随着中国农历年前的备货需求来到，有机会出现价格止跌反弹。市场研究机构DRAMeXchange调查显示，12月上旬N

消费电子
2012-12-21

闪存市场 Flash NAND闪存 DRAM
PC市场疲软供应商第三季度DRAM亏损扩大

据IHS iSuppli公司的DRAM市场动态简报，第三季度DRAM市场再度受挫，PC市场疲软带来的价格下行压力，拖累所有DRAM厂商的获利能力。不包括三星在内，第三季度DRAM产业的现金余额降至45亿美元，比第二季度时的52亿美元减

消费电子
2012-12-21

三星美光 PC市场 DRAM
DRAM止跌回稳明年内存要大涨

受到DRAM现货价格上涨的激励，12月上旬DRAM合约价也跟着上扬，DRAM止跌回稳态势可望确立，业界认为，受到供应厂商纷减产影响，估明年DRAM位成长仅达 20%，需求则约达30%，明年DRAM恐会出现短缺问题，有助带动价格回升

智能硬件
2012-12-20

移动内存 EXCHANGE DRAM
12月上旬主流NAND Flash合约价小跌1-2%

市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，然在NANDFlash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下，12月上旬NANDFlash合约价较11月下旬仅小跌1-2%，预估缓跌走势将持续

模拟
2012-12-20

Flash NAND NANDFLASH DRAM
NAND Flash合约价月底可望触底

NAND闪存（Flash）合约价12月上旬缓慢下跌，内存模块厂认为，短期将出现回调，12月底将可望触底，明年元月间随着中国农历年前的备货需求来到，有机会出现价格止跌反弹。市场研究机构DRAMeXchange调查显示，12月上旬N

消费电子
2012-12-20

Flash NAND NAND闪存 DRAM
DRAM现货价站上1美元波段涨幅2成

本周DRAM现货价持续走扬，DDR3 2Gb颗粒现货均价突破1美元大关，波段涨幅逾二成。今早DDR3 2Gb颗粒现货持稳于1美元以上，有利于本月合约价止跌回稳。随着供应商减产效应发酵，加上市场库存水位回复正常，需求逐步回温

消费电子
2012-12-20

波段 GB DDR3 DRAM
DRAM现货价狂涨创半年新高

DRAM现货市场买家忧心供不应求，全力进场追价扫货，17日晚盘报价大涨逾8.2%，重回1美元大关，本月以来累计大涨逾三成，报价改写波段新高，威刚、宇瞻等模块厂率先受惠；因应价格报涨，传出南科等大厂纷纷惜售，已停止

消费电子
2012-12-19

三星波段 EXCHANGE DRAM
顾能：全球半导体营收估减3％

国际研究暨顾问机构Gartner（顾能）发布初步统计结果，2012年全球半导体营收总计为2,976亿美元，较2011年的3,070亿美元下滑3％。全球前25大半导体厂商营收衰退4.2％，跌幅大于业界平均水平，同时对全球半导体营收之贡

模拟
2012-12-18

半导体半导体产业 GARTNER DRAM
三年来增长最快半导体产品

根据市调公司IC Insights发表的最新数据看，世界半导体市场上增长最快的产品三年来年年变化，2010年是DRAM，2011年是无线通信专用逻辑电路/微程序寄存器，2012年则是有线通信专用模拟电路。DRAM自2011年起便在增长

消费电子
2012-12-18

半导体半导体市场 INSIGHT DRAM
PC内存供应放缓内存价格开始反弹

从12月开始，标准DRAM的现货价格有所提升，原因是芯片厂商扩大手机和服务器内存的生产，导致PC内存供应放缓。主流2Gb DDR3内存芯片的现货价格之前低至0.6美元，而最近反弹到了0.85-0.95美元。现货价格的反弹预计也将

消费电子
2012-12-17

内存 PC DDR3 DRAM
存储系统设计面临三大挑战，美光如何应对？

“今天，全球有40%以上的硅晶圆面积用于生产存储产品，或存储相关的产品。”在日前美光科技上海系统工程实验室揭幕仪式上，美光科技嵌入式解决方案市场营销部副总裁Jeff Bader说。时至今日，小到玩具、音像制品，到数

消费电子
2012-12-17

美光系统设计存储系统 DRAM
PC内存供应放缓内存价格开始反弹

从12月开始，标准DRAM的现货价格有所提升，原因是芯片厂商扩大手机和服务器内存的生产，导致PC内存供应放缓。主流2Gb DDR3内存芯片的现货价格之前低至0.6美元，而最近反弹到了0.85-0.95美元。现货价格的反弹预计也将

智能硬件
2012-12-17

内存 PC DDR3 DRAM

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DRAM

三星电子全球动态随机存储器市场占有率超57%

移动终端引领存储器需求，NOR和DRAM各有困扰

历史上第一次今年闪存销量超越DRAM

三星DRAM总销量增长28.6% 占有率超57%

第三季度移动DRAM爆发出货量大增

12月上旬主流NAND Flash合约价小跌1-2%

12月上旬DRAM模块价止跌反弹

明年DRAM资本支出减21%

NAND闪存市场市况平稳合约价有望触底

PC市场疲软供应商第三季度DRAM亏损扩大

DRAM止跌回稳明年内存要大涨

12月上旬主流NAND Flash合约价小跌1-2%

NAND Flash合约价月底可望触底

DRAM现货价站上1美元波段涨幅2成

DRAM现货价狂涨创半年新高

顾能：全球半导体营收估减3％

三年来增长最快半导体产品

PC内存供应放缓内存价格开始反弹

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