市场研究机构IMSResearch预测,全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后,2012年将进一步成长5.0%,达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示,经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年,导
市场研究机构IMSResearch预测,全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后,2012年将进一步成长5.0%,达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示,经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年,导
市场研究机构IMSResearch预测,全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后,2012年将进一步成长5.0%,达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示,经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年,导
虽然现在只是初期阶段,但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后,至少吸引了8800万美元的资金(主要投向美国Transphorm公司)。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT(信息通信)
虽然现在只是初期阶段,但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后,至少吸引了8800万美元的资金(主要投向美国Transphorm公司)。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT(信息通信)
即使目前只是初期阶段,但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后,至少吸引了8800万美元的资金(主要投向美国Transphorm公司)。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT(信息通信)设备
市调机构 Yole Developpement 指出,包括分立式半导体、模块和IC在内的功率组件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用,以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用,产品范围从几
市调机构 Yole Developpement 指出,包括分立式半导体、模块和IC在内的功率组件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用,以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用,产品范围从几
导读:自2011年以来,50-250伏特(V)负载点(Point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨,而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间,将借更优异的材料特性,快速在市场上崛起。虽然氮化镓(GaN)功率半导体(Pow
亨斯迈公司(纽约证券交易所:HUN)宣布其聚氨酯事业部在印度尼西亚的聚氨酯系统产品工厂(Systems House)日前正式开业。该工厂位于印尼首都雅加达附近的甘达里亚(Gandaria),将致力于研发和生产专用化学品和特种精细化
亨斯迈公司(纽约证券交易所:HUN)宣布其聚氨酯事业部在印度尼西亚的聚氨酯系统产品工厂(Systems House)日前正式开业。该工厂位于印尼首都雅加达附近的甘达里亚(Gandaria),将致力于研发和生产专用化学品和特种精细化
[导读]长时间盯着显示屏看时,眼睛肌肉处于紧张状态,造成眼睛疲劳、视力模糊、头痛、注意力不集中等电脑视觉综合症。盯着显示屏时,眨眼次数会大幅减到每分钟4至5次,造成眼睛干涩和发痒。北京时间7月29日消息,据国
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统技术相比,能够实现更小尺寸裸
晶片生产设备供应商 KLA-Tencor 日前宣布,该公司的 18寸(450mm)晶圆用缺陷检测工具(defect inspection tool) Surfscan SP3 450已经完成两套系统的装设,其中一个装机点是位于比利时鲁汶的奈米电子研究机构 IMEC 。S
2012年7月,首尔半导体(SSC,下同)在韩国发表了的新产品‘nPola’,此款产品是首尔半导体开发了10多年拥有专利技术的产品,其特点是采用非极性(non-polar)技术,大大提高发光效率,相较于目前的LED,在相同面积上
RFMD宣布其晶圆代工服务部已更新其制程设计套件(PDK),以搭配安捷伦(Agilent)最近推出的Advanced DesignSystem(ADS)2011EDA软件。强化的PDK可立即向目前的和潜在的RFMD晶圆代工服务客户供货,以用于RFMD的氮化
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。 科
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。
全新60W GaN HEMT Psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统 对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT
全新60W GaN HEMT Psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段Ga