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贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书 探讨基于GaN的电力电子器件的优势
2024年12月3日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。
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德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品 新闻亮点： 德州仪器增加了 GaN 制造投入，将两个工厂的 GaN 半导体自有制造产能提升至原来的四倍。 德州仪器基于 GaN 的半导体现已投产上市。 凭借德州仪器品类齐...
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双向GaN功率IC有何用途？
双向 GaN 电源 IC 适用于各种应用，从电机驱动器和可再生能源逆变器到 USB 充电器、便携式电子设备、电动自行车等。本文介绍了双向 GaN 开关的应用可能性示例。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 宽带隙 (WBG) 技术因其在许多高功率领域优于硅 (Si) 的性能而闻名，包括其高效率和高开关频率。然而，与单晶硅不同，SiC 和 GaN 具有独特的设计和应用问题，工程师在将这些技术用于设计时需要解决这些问题。
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常见 ACDC 电源拓扑中低功率 GaN 的优势
消费者需要为其日常携带的各种电子设备提供便携式、快速且高效的充电器。随着越来越多的电子产品转向USB Type-C®充电器，对可用于为任何设备充电的紧凑型电源适配器的需求正在迅速增加。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间
在工业电机驱动功率转换中采用宽带隙 (WBG) 功率器件可以显著提高系统效率和功率密度，并提供其他优势，例如更少的可听噪声和更快的切换带来的更精确的控制。在这些应用中，降低转换损耗是实现净零碳足迹以应对气候变化的关键部分，因为电机驱动器占总用电量的 60%。在本文中，我们将讨论氮化镓 (GaN) HEMT 功率器件中的一个关键参数，即短路耐受时间 (SCWT)。
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GaN微型显示器可以彻底改变神经外科手术
一种基于在 Qromis 的 QST 基板上生长的氮化镓的新设备已被设计出来，旨在为神经外科医生提供关键的术中数据，以改善决策。这种先进的薄膜将电极网格与发光二极管 (LED) 结合在一起，以在手术过程中实时显示和跟踪大脑活动。这对于确保安全切除肿瘤和癫痫组织等脑部缺陷非常重要。
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基于 GaN 的 PFC可以提高 HVAC 热泵效率
许多国家/地区都普遍使用燃气和燃油锅炉以及熔炉来为住宅和商业室内空间提供空间和水加热。可以替代这些基于化石燃料的系统的电热泵被视为空间和水加热应用中脱碳的关键要素。在本文中，我们将总结一个可用于为热泵供电的功率校正因子 (PFC) 级参考设计示例。德州仪器 (TI) 的这个参考设计使用基于氮化镓 (GaN) 的 PFC来提高功率转换效率，并提供了一个如何使用宽带隙 (WBG) 半导体的示例例如碳化硅(SiC)和GaN可以进一步激励日常能源需求的电气化。
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集成电路 p 栅极 GaN HEMT 中的栅极过压稳定性
功率转换器中使用的氮化镓 (GaN) 器件具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频开关。横向 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件在此类应用中实现了强劲的市场增长。这种本质上为耗尽模式的器件的栅极驱动具有挑战性，有许多解决方案可以将其转变为稳健的增强模式操作。
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宽带隙半导体组装和测试解决方案
全球功率半导体市场包括分立元件、模块和集成电路，服务于汽车、工业和消费电子领域。为了利用电气化趋势，Carsem 密切关注日益增长的电动汽车(EV) 和可再生能源产品领域。
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SiC功率器件生产规模效益扩大，英飞凌全球最大8英寸SiC晶圆厂正式进入生产营运
正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单，并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。值得一提的是，这些设计订单来自不同行业的客户，包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。 随着居林工厂第三厂区的正式运营投产，英飞凌正在持续扩大其在SiC生产制造领域的规模优势，提升产能效益，同时将宽禁带功率器件带入到一个更为广阔且多元的应用版图，助力行业向更高效、更可持续的未来迈进。
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英飞凌实现GaN技术突破——单片高压CoolGaN BDS大幅简化双向开关设计GaN
受到低碳可持续发展和AI两大需求方向推动，全球功率半导体市场正在飞速增长，预计到2026年将达到262亿美元市场规模。传统的硅基设备（包括整流器、晶闸管、双极型晶体管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模块及IPM）在某些应用中会有所增长，但在其他市场正逐步被宽带隙（WBG）技术产品所取代。氮化镓（GaN）预计会快速增长，目前主要应用在消费电子领域，但将逐步进入工业和汽车领域。碳化硅（SiC）则将继续在高功率汽车和工业应用中保持增长并扩大渗透率。具体市场估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管），包括分立器件和集成器件，市场规模约为10亿美元；SiC MOSFETs和二极管，包括分立器件和模块，市场规模约为30亿美元。
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什么是氮化镓充电器?如何选择氮化镓充电器?
氮化镓基发光二极管，电子学术语，GaN 是一种宽带隙化合物半导体材料，具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一。
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GaN智能功率模块（IPM），让家电走向超静音和能效新高度
在系统成本不增加的前提下，让家电变得更加静音和高效，是设计工程师们关注的重点。而GaN器件凭借着更高的开关频率和更好的能效表现，开始逐渐进入家电设计者的视野。
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栅极驱动器及其关键作用
碳化硅和氮化镓开关器件是电源电路中的主要元件。虽然这些器件在运行速度、高电压、处理电流和低功耗等固有特性方面表现出更高的性能，但设计人员往往只关注这些器件，而经常忽略相关的驱动器。
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德州仪器推出先进的 GaN IPM，打造尺寸更小、能效更高的高压电机
650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸...
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德州仪器推出先进的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高压电机
· 650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。 · 得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。
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GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期
功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——氮化镓（GaN）功率器件应用从快充起步已获得显著的商业化进展，EV的逆变器则率先采用了碳化硅（SiC）。
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低功耗 GaN 在常见交流直流电源拓扑中的优势
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。
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CGD为电机控制带来GaN优势
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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