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你的错误，手指知道

经验说：耳听为虚，眼见为实实验说：人的视觉纠错系统在可靠性上比不上触觉纠错系统。你的手和脚比你的眼睛更值得相信！“交流误会”的来源人们说话的时候常常会有口误，想的是“话都不会说了”

充电吧
2012-04-05

检测器 GAN 键盘
日本碍子计划2012年内投放4英寸GaN基板

日本碍子公司公布了将于2012年内向市场投放口径为4英寸的GaN基板的业务目标。该公司目前正在样品供货2英寸产品。在2012年3月上旬举行的“第四届日本东京国际照明展（LED Next Stage 2012）”上，该公司展出了GaN基板

显示光电
2012-04-01

输出功率基板 LED芯片 GAN
Facebook：翻滚吧！密码

过去，跟隐私相关的有两把钥匙，一个是保险柜的钥匙，藏着毕生积蓄。另一个是日记本的钥匙，藏着刻骨铭心的记忆。但是，现代人的隐私仿佛都跟密码脱不开关系。《天天向上》说百事配方由三个人保管，他们不乘同一架飞

充电吧
2012-03-28

FACEBOOK GAN
Inmarsat 发布 BGAN Link

全球领先的移动卫星通信运营商海事卫星（Inmarsat）今日正式发布BGAN Link。这一全新宽带IP数据服务可帮助用户从一个永久性或半永久性网站上获得持续可靠的连接。针对固定月租客户，该服务提供高达0.5Mbps的数据连接

通信技术
2012-03-27

GB LINK RSA GAN
硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%。硅衬底在

显示光电
2012-03-26

晶片 LED 温度 GAN
积极物色代工厂普瑞明年量产矽基氮化镓LED

普瑞光电(Bridgelux)正与全球半导体大厂洽谈代工生产矽基氮化镓(GaN-on-Silicon,简称GaN-on-Si)发光二极体(LED)细节，预定2013年初导入量产。普瑞光电行销副总裁JasonPosselt表示，继八吋晶圆厂后，普瑞光电下一步寻

显示光电
2012-03-25

LED 氮化镓基板 GAN
硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%。硅衬底在

数字电源
2012-03-24

晶片 LED 温度 GAN
Google+ 更新带来相册管理（Organizer）功能，让你可以批次删除、排序相簿照片

还有在用 Google+ 的朋友们（默）应该会对此消息感到兴奋 -- 他们打算把比较好用的相片管理接口放进这个社群网站中了（毕竟... Google 不是有自己的相册吗？）。根据相册开发工程师 Isaac Sparrow 尽责地在 Google+

充电吧
2012-03-16

开发工程师 GOOGLE ORGANIZER GAN
利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

近几年来III族氮化物（III-Nitride）高亮度发光二极体（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

显示光电
2012-03-14

LED 基板 PS GAN
阿曼Nawras演示LTE网络领先竞争对手

北京时间3月13日早间消息（蒋均牧）阿曼Nawras日前进行了第一次LTE网络公开演示，以LTE和全光网部署了马斯喀特大商场（Muscat Grand Mall）。Nawras首席技术官沃尔夫冈·维姆霍夫（Wolfgang Wemhoff）表示：&

通信技术
2012-03-13

电信 LTE网络 WIMAX GAN
SiC/GaN功率半导体面临测试新挑战

半导体材料最近引来不少关注。在功率半导体领域，硅对于设备生产商的运行性能已经逼近极限。功率半导体用户需要更高效的、切换时损失电力不那么多的设备。因此功率半导体厂商开始转向替代材料，更具体地说是碳化硅

模拟
2012-03-13

功率半导体示波器 SIC GAN
利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

近几年来III族氮化物（III-Nitride）高亮度发光二极体（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方

数字电源
2012-03-12

LED 基板 PS GAN
3D活体器官生物打印机在美成功发明

据国外媒体报道，器官移植拯救了很多人的生命，但这项技术也存在器官来源不足、排异反应难以避免等弊端。不过，随着未来“生物打印机”的问世，这些问题将迎刃而解。或许，医生有朝一日可以“按需打印

医疗电子
2012-03-09

打印机 3D模型 GAN
PLD技术在功能薄膜材料研究中的应用

薄膜材料已在半导体材料、超导材料、生物材料、微电子元件等方面得到广泛应用。为了得到高质量的薄膜材料，脉冲激光沉积技术受到了广泛的关注。本文介绍了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的原理及特点，分析了脉冲激光沉积

电子设计自动化
2012-03-07

薄膜温度 PLD GAN
日LED大厂告璨圆侵权

日本LED大厂丰田合成（ToyodaGosei）上周五向桃园地方法院针对璨圆提出侵权控告，主张璨圆所生制的氮化镓（GaN）系列LED侵害两件发明专利权，璨圆昨（28）日公告，尚未收到任何法院文件，已委请专利律师因应法律程序

显示光电
2012-03-01

丰田 LED 专利侵权 GAN
白色LED发展史（一）：独家垄断崩溃，迎来竞争时代

白色LED是液晶电视及手机等配备的液晶显示器不可缺少的背照灯光源。最近，LED作为照明器具光源受到的关注越来越高。由蓝色LED与萤光体组合而成、并在今天获得广泛市场的白色LED问世于1996年。最初是作为实现手机液晶

显示光电
2012-02-24

电子 LED GAN
传三菱化学10月量产LED用GaN衬底耗电可降70%

据日经新闻23日报导，三菱化学(Mitsubishi Chemical)计划于今(2012)年10月开始量产使用于LED的氮化镓(GaN)衬底，因其电光转换率高(将电力转换成光的效率)，故搭载该GaN衬底的LED照明的耗电力可较现行产品删减50-70%。

消费电子
2012-02-24

LED 电力 CHEMICAL GAN
南昌大学LED照明项目获国家“863计划”重点支持

近日，科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单，全国共有14项课题获得立项，其中南昌大学申报的“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯

消费电子
2012-02-20

新材料 LED芯片 LED照明 GAN
俄指其市场的中国LED等节能灯产品“鱼目混珠”

俄媒近日指出，欧洲三分之二以上节能灯从中国进口，目前中国制造的萤光和LED等节能灯产品在俄已占到60%的市场份额。俄OPTOGAN公司总裁列夫称，中国制造的节能灯产品最大的问题是品质低劣，不符合相关技术标准和环保要

显示光电
2012-02-20

LED 中国制造 GAN
Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16灯

Soraa是世界领先的氮化镓开发商，开发了世界上第一个商业氮化镓LED产品。Soraa成立于2008年，创办人之一的中村修二拥有“蓝光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗舰产品——被称为LED2.0技术的LED照明产品

显示光电
2012-02-16

氮化镓 LEDS MR16 GAN

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硅上GaN LED分析

积极物色代工厂普瑞明年量产矽基氮化镓LED

硅上GaN LED分析

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利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

阿曼Nawras演示LTE网络领先竞争对手

SiC/GaN功率半导体面临测试新挑战

利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法

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