如之前的报道,PPTV聚力刚刚发布了旗下首款手机——PP·King,号称口袋里的3D影院”,主打裸眼3D。现在,手机的售价已经正式公布,共有两个版本:PP·King7(不带裸眼3D)、PP·King
事实上,手机的各种虚标事件,在过去一直不断的发生。用户普遍不具备拆机分辨的能力,厂家就不断的打各种擦边球。红米Note 2配错屏:宣传失误红米Note 2发布之初,曾在各大购物网站标明搭配夏普、友达等进口屏幕,之
“千里眼”充电器电路如图所示。其中单向晶闸管VS1为电瓶GB的充电电流管,VS2为电瓶充电时作切断充电电流之用。
市场传出,DRAM龙头三星半导体计划减产三成标准型DRAM,产能转为生产行动式记忆体(Mobile DRAM),以因应苹果新机出货,同时通知OEM厂8月起不再调降标准型DRAM售价。法人预
东芝推出全球首款注148层3D堆叠式结构闪存注2,该闪存容量达到256Gb(32GB),同时采用了行业领先的三阶存储单元(TLC)技术。这款全新闪存适用于各种产品应用,包括消费级固态硬盘(SSD)、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。据悉,样品将于9月开始发货。
iPhone 6S、iPhone 6S Plus将配备新一代A9处理器,采用三星14nm、台积电16nm工艺联合制造,这也是苹果处理器第一次同时交给两家代工厂,其中三星的已经批量生产并供货。 据称,A9处理器集成了电源管理芯片,再加上
Ext2: 是 GNU/Linux 系统中标准的文件系统,其特点为存取文件的性能极好,对于中小型的文件更显示出优势,这主要得利于其簇快取层的优良设计。其单一文件大小与文件系统本
从模拟制式手机到2G、3G、4G甚至是未来的5G,每到转折期就有一些人被技术牵绊而不知何去何从,飞思卡尔半导体总是能应景推出相应的通信处理器等创新产品,为通信时代的跨越保驾护航。在物联网时代,通信处理器不再属
21ic讯 从模拟制式手机到2G、3G、4G甚至是未来的5G,每到转折期就有一些人被技术牵绊而不知何去何从,飞思卡尔半导体总是能应景推出相应的通信处理器等创新产品,为通信时代的跨越保驾护航。在物联网时代,通信处理器
据IHS iSuppli公司的DRAM市场动态简报,DRAM的传统消费大户PC第二季度占DRAM市场的份额首次低于50%,这也反映出苹果iPad等媒体平板的地位日益上升。按比特出货量计算,第二
一群英国科学家准备在这个月推出Li-Fi,据称这是当今世界上最快的网络连接方式,可以惊人的速度传输数据,可让特制的LED灯泡几乎在任何地方提供低成本的无线网络连接。据IEEE报道称,一组由哈拉尔德-哈斯领头的爱丁堡
OCZ近日发布了Agility 4系列固态硬盘,它采用了SATA 6Gbps接口,与Vertex 4系列同样使用Indilinx Everest 2主控。虽然使用相同的主控,不过Agility 4的性能还是与Vertex 4
双11”热闹的不仅是电商,现在联通也推出了“1元1个G,1元1个机”的特惠活动,1GB全国流量半年包仅售1元起。根据官方消息,特惠活动从11月10日起,截止到11月17日,从10日9点开始,原价100元的1GB全国
图为因器材标准不匹配而大量闲置的电动汽车充电桩新能源汽车销量冲高,数字光鲜的背后并不是没有阴影。买了非地产新能源汽车却无法使用当地充电桩的尴尬,时至今日还经常
人人影视被美国电影协会(MPAA)列入“黑名单”,这丝毫不奇怪。作为国内“最负盛名”的盗版片源发布站点,人人影视在中国知识产权立法进程中简直就是神一样的存在。下面,我来给大家讲一下,我们
据IHS iSuppli公司的数据闪存市场研究报告,虽然2011年情况不如人意,但今年NAND闪存市场可望有不错的表现,装备固态硬盘的超级本(Ultrabook)等产品将助其一臂之力。今年全
三星电子今日宣布已开始量产全球首款20纳米8Gb DDR4企业级服务器用DRAM。今年下半年适用于DDR4的服务器中央处理器已经上市,此时量产该款DRAM产品将推动高端服务器市场从DDR3向DDR4的转换。基于20纳米8Gb DDR4的服
光传送网正在随着互联网、移动互联网等应用的飞速发展而快速演进,从曾经的1Gb/s、10Gb/s到现在广泛应用的40Gb/s以及正在蓬勃发展的100Gb/s。当前,随着云计算、高清视频、OTT业务以及物联网的进一步发展,光传送网
21ic讯 贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供应Intel® Edison,这是一款仅有邮票大小却拥有强大功能的Intel超小型电脑。Edison精巧的规格适应于各种设备,并拥有强大的功能和低功耗,让工程师能轻松打造
北京时间2月23日晚间消息,东芝周四表示,该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球最小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。该闪存芯片采用19nm新工艺,大小为170平方毫