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美光：GDDR6显存速度最高可达20Gb/s 下代显卡将使用
美光在最新的一份研究报告中表示自家的GDDR6显存最高可以达到20Gb/s，这主要得益于美光出色的技术以及不断改良的I/O通道，而根据内存组织JEDEC所提供的推荐标准，GDDR6显存只要达到14Gb/s就属于合格，之前美光的GDDR6显存最高可以达到16.5Gb/s，当然和加电压版本的超频版不同的是，节能版GDDR6显存最高则为16GB/s。
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美光科技携手多家公司打造全面 GDDR6 解决方案
领先的内存和存储供应商美光科技有限公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布将与 Rambus Inc.、Northwest Logic 和 Avery Design 合作，为当今世上最快的离散存储GDDR6推出全面的解决方案。这款史无前例的解决方案将让 GDDR6 能够应用于高级应用，例如高性能网络、自动驾驶车辆、人工智能和 5G 基础设施。
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三星量产18GHz 16Gb GDDR6显存芯片
三星电子近日宣布，开始量产业内首款16Gb(2GB)容量的GDDR6显存芯片。参数方面，三星表示，GDDR6的单芯片容量是上一代20nm GDDR5的两倍、速度也是两倍。
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美光宣布GDDR6显存完工!16nm工艺、速度14GHz
今晨，美光在官方博客发布技术文章，表示GDDR6显存已经完成所有的设计工作并通过了内部验证，首发的分别是针脚带宽12Gbps和14Gbps的芯片。
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终于等到你：美光GDDR6显存规格敲定
业界最早讨论GDDR6显存可以追溯到2012年，当时的说法是2014年就将启动标准制定，但GDDR5之后A/N两家先后用上了HBM和GDDR5X，也不见GDDR6的踪影。据外媒报道，继三星之后，美光也谈及了自己未来的存储规划，其中就涉及GDDR6显存。美光计划今年底将GDDR5的制程工艺从20nm推进到1Xnm，预计是16nm。同时，他们表示G5X显存的需求将迎来增长，考虑到市面仅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用，不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500显卡将会采用。
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16Gbps！下代显卡存储器GDDR6零八年问世
三星公开讨论了后GDDR5时代的显卡存储器标准，提出新一代显卡存储器速率在14-16Gbps，电压1.35V，简单来说就是在保持时钟频率1.75GHz的情况下，将数据频率至少翻倍。
