JDSU周二宣布,签署了收购韩国无线测试与测量解决方案供应商GenComm的最终协议。基于OEM合作关系,GenComm的解决方案先前已由JDSU出售。JDSU 2012财年通信测试与测量业务收入中,来自GenComm产品的收入达750万美元。
北京时间8月14日早间消息(蒋均牧)阿鲁巴网络公司(Aruba Networks)宣布,它已赢得为美国霍巴特和威廉史密斯学院(HWS)提供无线局域网(WLAN)的合同。新的802.11n网络将取代现有的802.11a/b/g网络,预计将覆盖整
美国国会审计署(GAO)上周二发布报告称,联邦通讯委员会应该重新评估15年前制定的手机辐射标准,因外界担忧手机可能导致脑瘤。每款手机在推向美国市场以前,必须接受辐射检测,辐射不能超标,以确保对人体安全。报告称
美国国会审计署(GAO)上周二发布报告称,联邦通讯委员会应该重新评估15年前制定的手机辐射标准,因外界担忧手机可能导致脑瘤。每款手机在推向美国市场以前,必须接受辐射检测,辐射不能超标,以确保对人体安全。报告称
北京时间8月8日早间消息,美国审计总署(以下简称“GAO”)周二在一份研究报告中称,美国应该重新评估手机辐射对人体带来的健康威胁。GAO表示,当前标准是美国联邦通信委员会(以下简称“FCC”)在1996年制定的,不仅已落
北京时间8月8日早间消息,美国审计总署(以下简称“GAO”)周二在一份研究报告中称,美国应该重新评估手机辐射对人体带来的健康威胁。GAO表示,当前标准是美国联邦通信委员会(以下简称“FCC”)在1996年制定的,不仅已落
致力于推动开源车载信息娱乐系统 (IVI) 参考平台开发和普及的汽车及消费电子产品行业协会 GENIVI Alliance 8月6日宣布将成为 Linux 基金会 (Linux Foundation) 举办的 Linux 汽车行业峰会 (Automotive Linux Summit)
致力于推动开源车载信息娱乐系统 (IVI) 参考平台开发和普及的汽车及消费电子产品行业协会 GENIVI Alliance 8月6日宣布将成为 Linux 基金会 (Linux Foundation) 举办的 Linux 汽车行业峰会 (Automotive Linux Summit)
摘要: 7月5日,国际能源署(International Energy Agency)发布报告称,受扶持政策和数个国家不断下降的成本带动,2011-2017年间全球可再生能源发电年增长速度平均为5.8%。... 7月5日,国际能源
摘要: 德国联邦网络局(Federal Network Agency)近日宣布,一月和二月总共安装了650MW的太阳能电池板;几乎是2011年同期安装量的两倍。彭博社报道说,一月份的安装量大约是450MW,二月份约是200MW。.
近日,本田正式发布了2012款Mugen CR-Z混合动力赛车,该车搭载了2.8升V6双涡轮增压发动机和竞赛规格的电力辅助系统,其最大功率在300马力左右。 据悉,CR-Z混合动力赛车车身上的大部分部件都换成了轻质碳纤维材料
7月4日消息,据国外媒体报道,三星电子将于周五给出第二季度业绩预期,该季度财报则将于本月底公布。受益于Galaxy智能手机的强劲需求,三星第二季度运营利润预计将再次创下新高,不过该公司的股价在5月2日升至最高点
已在超过15亿设备上启用Red Bend认证的Red Bend软件公司今天宣布,它已加入GENIVI联盟,与汽车制造商和一线供应商共同合作管理汽车上越来越多的车载软件。Red Bend软件公司在管理手机、连接设备和车载系统上的固件、
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6月21日消息,苹果零售商店的员工工资将提升25%,从7月起开始实施。自苹果新的零售主管约翰?布洛维特(JohnBrowett)发布了对各零售店内部审查之后,过去的两周各大零售店的负责人同员工面对面交谈,告知工资提升。此
传苹果店员工将集体涨薪:最高幅度达25%
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计,在
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计,在
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计,在
在可预见的未来,CMOS技术仍将持续微缩脚步,然而,当我们迈入10nm节点后,控制制程复杂性和变异,将成为能否驱动技术向前发展的关键,IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru