HBM

TrendForce集邦咨询: HBM5 20hi后产品将采用Hybrid Bonding技术，或引发商业模式变革

Oct. 30, 2024 ---- HBM产品已成为DRAM产业关注焦点，这使得Hybrid Bonding (混合键合)等先进封装技术发展备受瞩目。根据TrendForce集邦咨询最新研究，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。

TrendForce集邦咨询: HBM3e 12hi面临良率和验证挑战，2025年HBM是否过剩仍待观察

Sep. 30, 2024 ---- 近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。

TrendForce集邦咨询:英伟达2025年推Blackwell Ultra、B200A，将拉升HBM3e 12hi消耗比重至40%

Aug. 8 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新HBM报告，随着AI芯片的迭代，单一芯片搭载的HBM(高带宽内存)容量也明显增加。NVIDIA(英伟达)目前是HBM市场的最大买家，预期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后，其在HBM市场的采购比重将突破70%。

TrendForce集邦咨询：预计2025年存储器产业营收将因价格上涨和HBM、QLC技术的崛起而创新高

Jul. 22, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM(内存)及NAND Flash(闪存)产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本压力将随之上升。

HBM内存严重供不应求！存储龙头扩产激战：产能一抢而空

7月12日消息，随着人工智能技术的飞速发展，作为AI芯片的关键技术支持，高频宽存储器(HBM)成为市场上的新宠，导致HBM内存目前面临严重的供不应求局面。

SK海力士豪掷746亿美元，誓要引领HBM高带宽内存市场

在全球经济放缓和内存芯片过剩库存的双重打击下，SK海力士在2022年遭遇了十年来的首次亏损。然而，这家韩国芯片巨头并未因此气馁，反而宣布了一项高达103万亿韩元（约合746亿美元）的巨额投资计划，旨在未来三年内重塑其在半导体和内存制造领域的领导地位。

突破计算存储密集型工作负载中的网络和内存瓶颈，AMD推出集成HBM的Alveo V80加速卡

大数据集计算的真正限制来自网络和内存两大瓶颈，而AMD Alveo V80则能够处理掉这两大瓶颈，并且帮助客户大幅降低TCO。

SK海力士计划在日美生产HBM？

据韩国经济日报报道，SK海力士母公司SK集团会长崔泰源（Chey Tae Won）在接受采访时表示，该公司正在研究在日本和美国等其他国家建设高带宽存储（HBM）工厂的可能性。SK海力士正在提高HBM的产量，以满足人工智能（AI）热潮对高性能芯片激增的需求。

TrendForce集邦咨询：HBM3e产出放量带动，2024年底HBM投片量预估占先进制程比重35%

May 20, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

TrendForce集邦咨询：2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成

May 6, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional DRAM)高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。

TrendForce集邦咨询：DRAM厂陆续恢复生产，预估对第二季总DRAM位元产出影响低于1%

Apr. 10, 2024 ---- 根据TrendForce集邦咨询于403震后对DRAM产业影响的最新调查，各供货商所需检修及报废晶圆数量不一，且厂房设备本身抗震能力均能达到一定的抗震效果，因此整体冲击较小。美光、南亚科、力积电、华邦电等，均大致恢复100%的产线运作，其中仅有美光已经转进至先进制程，多为1alpha与1beta nm，预估将影响整体DRAM产出位元占比;其余DRAM厂仍停留在38、25nm，产出占比相对小。整体而言，预期本次地震对第二季DRAM产出位元影响仍可控制在1%以内。

TrendForce集邦咨询：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%

Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

TrendForce集邦咨询：HBM3原由SK海力士独供，三星获AMD验证通过将急起直追

Mar. 13, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，目前2024年HBM(High Bandwidth Memory)市场主流为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过，由于AI需求高涨，目前英伟达(NVIDIA)以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。

传HBM良率仅为65%，存储大厂力争通过英伟达测试

HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能（AI）芯片，据业界消息，英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战，因为相比传统DRAM产品，HBM的良率明显较低。

TrendForce集邦咨询：量价齐扬，2023年第四季DRAM产业营收季增近三成

Mar. 5, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示，受惠于备货动能回温，以及三大原厂控产效益显现，主流产品的合约价格走扬，带动2023年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元，季增29.6%。目前观察2024年第一季DRAM市场趋势，原厂目标仍为改善获利，涨价意图强烈，促使DRAM合约价季涨幅近两成，然出货位元则面临传统淡季而略微衰退。

美光发布第二代HBM3，加速AI计算应用

AI应用爆发促进了数据中心基础构架的发展，而HBM市场也将受益于此，据悉未来三年HBM的年复合增长率将超过50%。目前HBM技术最新已经发展到了HBM3e，而预期明年的大规模AI计算系统商用上，HBM3和HBM3e将会成为主流。

TrendForce集邦咨询：大型云端业者积极建置AI 服务器，加速推升AI芯片与HBM需求，预估2024年先进封装产能将提升3~4成

TrendForce集邦咨询：AI服务器需求带动， HBM供应龙头SK海力士今年市占率将逾五成

Apr. 18, 2023 ---- AI服务器出货动能强劲带动HBM(high bandwidth memory)需求提升，据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)约40%、美光(Micron)约10%。此外，高阶深度学习AI GPU的规格也刺激HBM产品更迭，2023下半年伴随NVIDIA H100与AMD MI300的搭载，三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。因此，在今年将有更多客户导入HBM3的预期下，SK海力士作为目前唯一量产新世代HBM3产品的供应商，其整体HBM市占率可望藉此提升至53%，而三星、美光则预计陆续在今年底至明年初量产，HBM市占率分别为38%及9%。

扎根中国，瑞萨电子看好数据需求和CASE领域

瑞萨电子本着扎根中国、服务中国的原则，一直致力于推动在中国的本土化活动。瑞萨电子比较看好的有数据和数据中心相关领域以及对数据需求的爆炸式增长，提供从网络核心，从内存和接口、光学产品到低延迟HBM（一直到网络端点）的所有解决方案。此外，还将扩展模拟和电源产品到xEV（BMIC / IGBT），ADAS/自动驾驶传感器（Lidar / Radar）领域，这一战略也已经通过Intersil/IDT的收购付诸实践。

台积电宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封装12颗HBM

除了5nm、4nm、3nm、2nm工艺进展和规划，台积电近日还公布了不少新的芯片封装技术，毕竟随着高性能计算需求的与日俱增、半导体工艺的日益复杂，单靠升级制程工艺已经不能解决所有问题。 台积电的CoW