IGBT

电源管理半导体产业在中国大有盼头

在分析中国电源管理半导体市场之前，让我们先看看全球的情况。iSuppli认为，2009年前景比较光明，预计电源管理市场比2008年增长6%，高于2008年的增长率。开关稳压器和低电压功率MOSFET将在未来五年内快速增长，但iSu

DZW75-48/50(50II)高频变换电路

高频变换器采用全桥型结构，4个臂上的IGBT分别由4个相互隔离的驱动器驱动，它们的工作电源为300V，在驱动脉冲作用下，两个对角上的高频开关管轮流同时导通，或同时截止，从而在主变压器的初、次级获得高频脉冲电压

IGBT直接串联高压变频器的拓扑结构

IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用

　　1.为了能够对短路过程进行精确控制,主电路采用工作频率很高的IGBT作为开关功率器件．CO2气体保护焊电源的主电路采用全桥式的结构． 2.80C196KB控制系统构成原理框图

IGBT软开关逆变式弧焊电源主电路

IGBT软开关逆变式弧焊电源主电路(IGBT电路图):

华微电子募资项目新型6英寸半导体生产线试运行

11月5日，华微电子宣布公司募集资金项目新型6英寸功率半导体器件生产线通线并试运行，标志国内拥有自主知识产权的MOS技术在吉林市开始应用在6英寸生产线上。 新型功率半导体器件在生产制造技术上采用大规模集成电

华微电子六英寸线投产试运行

华微电子(600360)六英寸新型功率半导体器件项目设备已经安装调试完毕，日前正式通线并投入试运行。此举将公司在新型功率半导体器件领域的研发和生产向前推进了一大步。公司董事长夏增文表示，六英寸项目通线后，将加

高性能、高能效的IGBT

高性能、高能效的IGBT

意法半导体推出IGBT新品为节能灯镇流器和转换器改进能效

功率半导体业的意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT）,新系列产品采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D600VPowerMESH）,用于工作频率超过

DZW75-48/50(50II)高频变换电路

高频变换器采用全桥型结构，4个臂上的IGBT分别由4个相互隔离的驱动器驱动，它们的工作电源为300V，在驱动脉冲作用下，两个对角上的高频开关管轮流同时导通，或同时截止，从而在主变压器的初、次级获得高频脉冲电压