1.引言 电容感应方式的触摸按键有很多优点,由于不需要机械结构,相比传统的机械按键和薄膜按键,触摸式按键有着不可比拟的优势,并由此带来了时尚美观的外观设计。目前已经广泛应用于各种消费类电子产品。越
1.引言 电容感应方式的触摸按键有很多优点,由于不需要机械结构,相比传统的机械按键和薄膜按键,触摸式按键有着不可比拟的优势,并由此带来了时尚美观的外观设计。目前已经广泛应用于各种消费类电子产品。越
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
过去,人们常把集成电路比作电子系统的大脑,而把功率半导体器件比作四肢,因为集成电路的作用是接受和处理信息,而功率器件则根据这些信息指令产生控制功率,去驱动相关电机进行所需的工作。如今,新型功率半导体器
要产生火花,所需的器件包括电源、电池、变压器(即点火线圈),以及用于控制变压器初级电流的开关。电子学教科书告诉我们V=Ldi/dt。因此,如果线圈初级绕组中的电流发生瞬间变化(即di/dt值很大),初级绕组上将产生
据悉,在高压变频器中,约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管(IGBT)等电力电子元器件。相比中低压变频器,这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。因此高压变频器厂商对电力电子元器件行业的关注从来没
半导体厂商的订单额在2010年1~3月激增后,4~6月一直为横盘走势(图1)。也就是说,订单额从“雷曼事件”后的2009年4月开始一直处于持续增加的趋势,但近来已转为不升不降。由此,认为半导体市场的供需正趋于平衡就
士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线,计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元,其中2010年投资2,500万元。士兰微7月29日发布公告称,公司第四届董事会第九次会议审议通过《
Avago Technologies宣布推出2.5A最大输出驱动ACPL-H342和ACPL-K342光隔离IGBT栅驱动,该产品带有嵌入式米勒箝位、轨至轨输出电压、欠压锁存(UVLO)电路和保护免受IGBT跨导和电流“直通”的影响,以便保证电源逆变器和
由于双列直插式(DIP)智能功率模块(IPM)内置高压集成电路(HVIC),使采用单一控制电源供电成为可能。对控制电源的性能指标要求为:+15V(+-10%),dv/dt≤(1V/us,V纹波>≤2Vp-p。HVIC器件通常会忽略掉脉宽<50ns、
1引言 感应加热是将工件直接加热,它具有效率高,作业条件好,温度容易控制,金属烧损小,无需预热等优点。 传统的感应加热设备应用的电力电子器件是电子管和快速晶闸管。电子管电压高,稳定性差,幅射强,效率低,已
摘要:分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论,提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断,从而安全稳定地运行。试验结果表明:新的集中式过流保
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流,以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下,电路板与马达靠得很近,而马达构造的高度也会受限。另外,所用高功率半导体器件的物
功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元,
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT,并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度,以及利用“场终
功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元,
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT,并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度,以及利用“场终
摘 要: 根据单片机80C196KC和现场可编程系统器件PSD302的特性,设计了一种数制化电源装置,提供了程序框图,并对其进行了谐波分析。它是一种高性能的通用装置,可替代传统的PWM逆变电源。 随着现代工业的发展和社会
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流,以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下,电路板与马达靠得很近,而马达构造的高度也会受限。另外,所用高功率半导体器件的物理性质和所选封装的形状,也要求电路板上有足够的位置空间。功率半导体开关工作期间产生的电压、电流交叠会造成损耗,必须将其消除。虽然功率耗散问题可以通过加设散热片而得到改善,但这也会限制半导体器件在电路板上的布局安排。
摘 要: 根据单片机80C196KC和现场可编程系统器件PSD302的特性,设计了一种数制化电源装置,提供了程序框图,并对其进行了谐波分析。它是一种高性能的通用装置,可替代传统的PWM逆变电源。 随着现代工业的发展和社会