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扶持政策出台 高压变频上游利好
据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管（IGBT）等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。因此高压变频器厂商对电力电子元器件行业的关注从来没
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半导体的供应不足将持续到何时？
半导体厂商的订单额在2010年1～3月激增后，4～6月一直为横盘走势（图1）。也就是说，订单额从“雷曼事件”后的2009年4月开始一直处于持续增加的趋势，但近来已转为不升不降。由此，认为半导体市场的供需正趋于平衡就
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士兰微拟1.35亿元组建功率模块生产线项目
士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《
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光隔离IGBT栅驱动（Avago）
Avago Technologies宣布推出2.5A最大输出驱动ACPL-H342和ACPL-K342光隔离IGBT栅驱动，该产品带有嵌入式米勒箝位、轨至轨输出电压、欠压锁存(UVLO)电路和保护免受IGBT跨导和电流“直通”的影响，以便保证电源逆变器和
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家电智能功率模块单驱动电源方案
由于双列直插式(DIP)智能功率模块(IPM)内置高压集成电路(HVIC)，使采用单一控制电源供电成为可能。对控制电源的性能指标要求为：+15V(+-10%)，dv/dt≤(1V/us，V纹波>≤2Vp-p。HVIC器件通常会忽略掉脉宽<50ns、
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感应加热用IGBT超音频电源
1引言 感应加热是将工件直接加热，它具有效率高，作业条件好，温度容易控制，金属烧损小，无需预热等优点。 传统的感应加热设备应用的电力电子器件是电子管和快速晶闸管。电子管电压高，稳定性差，幅射强，效率低，已
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基于矩阵变换器IGBT的集中式过流保护电路设计
摘要：分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论，提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断，从而安全稳定地运行。试验结果表明：新的集中式过流保
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马达设计原理及技巧
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物
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功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
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新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
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新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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基于单片机和PSD设计的数制化电源
摘 要： 根据单片机80C196KC和现场可编程系统器件PSD302的特性，设计了一种数制化电源装置，提供了程序框图，并对其进行了谐波分析。它是一种高性能的通用装置，可替代传统的PWM逆变电源。 随着现代工业的发展和社会
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马达设计的技巧
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物理性质和所选封装的形状，也要求电路板上有足够的位置空间。功率半导体开关工作期间产生的电压、电流交叠会造成损耗，必须将其消除。虽然功率耗散问题可以通过加设散热片而得到改善，但这也会限制半导体器件在电路板上的布局安排。
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基于单片机和PSD设计的数制化电源
摘 要： 根据单片机80C196KC和现场可编程系统器件PSD302的特性，设计了一种数制化电源装置，提供了程序框图，并对其进行了谐波分析。它是一种高性能的通用装置，可替代传统的PWM逆变电源。 随着现代工业的发展和社会
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马达设计的技巧
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物理性质和所选封装的形状，也要求电路板上有足够的位置空间。功率半导体开关工作期间产生的电压、电流交叠会造成损耗，必须将其消除。虽然功率耗散问题可以通过加设散热片而得到改善，但这也会限制半导体器件在电路板上的布局安排。
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汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用
针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。 混合动力车辆中功率半导体模块的要求 工作环境恶劣(高温、振动) IGBT位于逆
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汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用
针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。 混合动力车辆中功率半导体模块的要求 工作环境恶劣(高温、振动) IGBT位于逆
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第三代高速600V和1200V IGBT（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100 kHz的应用需
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飞兆半导体技术专家阐释功率电子技术未来发展趋势
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起，于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China 2010展会上发表演说，阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。 飞兆
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