绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)作为现代电力电子领域中的核心器件,以其高电压、大电流、高频率等特性,广泛应用于变频器、开关电源、轨道交通、电动汽车及新能源等领域。然而,随着IGBT向高功率和高集成度方向发展,其发热问题日益突出,对散热系统的要求也越来越高。
DC-DC转换器是一种机电设备或电路,用于根据电路要求将直流电压从一个电平转换到另一个电平。作为电力转换器家族的一部分,DC-DC转换器可用于小电压应用,如电池,或高电压应用,如高压电力传输。
该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制
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在导通特性方面,IGBT的导通损耗由器件导通时的压降造成,其参数为Vce(sat),随温度变化较小。而SiC MOSFET的导通特性表现得更像一个电阻输出特性,具有更小的导通损耗,特别是在电流较小的情况下2。
高频工作,可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积,降低电源成本,让电源实现小型化,美观化。从而实现电源的升级换代。
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Holtek持续精进电磁炉产品技术开发,再推出更具性价比的电磁炉OTP MCU HT45R1005。HT45R1005封装引脚与HT45F0058相互兼容,相较于前代产品提供更丰富的资源,如硬件辅助UL认证功能及台阶电压侦测功能等,同时也保留前代产品优势,如电磁炉所需的硬件保护电路(电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护)、PPG含硬件抖频功能,使电磁炉工作于高功率时,可以有效减小IGBT反压以及降低EMI电磁干扰,减少抗EMI元件成本,并通过EMI标准测试。
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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心元件,其损耗与结温的计算对于电路的设计与优化至关重要。本文将从IGBT的损耗类型出发,详细阐述其计算方法,并进一步探讨结温的计算公式与步骤,以期为工程师们提供有益的参考。
MOSFET,全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种电压控制型半导体器件。它由金属、氧化物(如SiO₂或SiN)及半导体三种材料制成,具有三个主要电极:源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为两种重要的半导体功率器件,在电力电子领域有着广泛的应用。它们各自具有独特的优缺点,以下是对两者优缺点的详细分析:
GBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
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