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在电力电子系统中，IGBT或MOSFET的死区介绍
在电力电子系统中，特别是使用IGBT或MOSFET等功率元件时，死区时间非常重要。它确保在一个功率元件关闭后，另一个元件才能开启，从而避免同时导通导致的短路风险。
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IGBT的工作原理是什么？IGBT两类短路保护了解吗
在下述的内容中，小编将会对IGBT的相关消息予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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IGBT常用的过流保护措施有哪些？IGBT开关特性解读
一直以来，IGBT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来IGBT的相关介绍，详细内容请看下文。
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贸泽电子开售能为电动汽车牵引逆变器提供可扩展性能的英飞凌HybridPACK Drive G2模块
2024年11月26日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌的HybridPACK™ Drive G2模块。HybridPACK Drive G2模块基于HybridPACK Drive G1，在相同的紧凑尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模块是一款高效率的汽车功率模块，适用于电动汽车 (EV) 以及混合动力电动汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
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IGBT的发热功率及散热系统探讨
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)作为现代电力电子领域中的核心器件，以其高电压、大电流、高频率等特性，广泛应用于变频器、开关电源、轨道交通、电动汽车及新能源等领域。然而，随着IGBT向高功率和高集成度方向发展，其发热问题日益突出，对散热系统的要求也越来越高。
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电动汽车的DC-DC转换器类型
DC-DC转换器是一种机电设备或电路，用于根据电路要求将直流电压从一个电平转换到另一个电平。作为电力转换器家族的一部分，DC-DC转换器可用于小电压应用，如电池，或高电压应用，如高压电力传输。
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Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围
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意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制
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IGBT控制信号了解吗？电流对IGBT的关断有什么影响？
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电压对关断有什么影响？IGBT吸收电路如何优化
以下内容中，小编将对IGBT的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对IGBT的了解，和小编一起来看看吧。
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IGBT吸收电容是什么？IGBT关断机理详解！
本文中，小编将对IGBT予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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IGBT如何改善寄生电容，适合高频操作
在导通特性方面，IGBT的导通损耗由器件导通时的压降造成，其参数为Vce(sat)，随温度变化较小。而SiC MOSFET的导通特性表现得更像一个电阻输出特性，具有更小的导通损耗，特别是在电流较小的情况下2。
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基于SIC的MOS、硅MOS和IGBT的特性对比
高频工作，可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积，降低电源成本，让电源实现小型化，美观化。从而实现电源的升级换代。
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IGBT膝电压是什么？IGBT开通延迟过程详解
在这篇文章中，小编将为大家带来IGBT的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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IGBT工作原理是什么？IGBT正向耐压、反向耐压了解吗
今天，小编将在这篇文章中为大家带来IGBT的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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HOLTEK新推出HT45R1005电磁炉OTP MCU
Holtek持续精进电磁炉产品技术开发，再推出更具性价比的电磁炉OTP MCU HT45R1005。HT45R1005封装引脚与HT45F0058相互兼容，相较于前代产品提供更丰富的资源，如硬件辅助UL认证功能及台阶电压侦测功能等，同时也保留前代产品优势，如电磁炉所需的硬件保护电路(电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护)、PPG含硬件抖频功能，使电磁炉工作于高功率时，可以有效减小IGBT反压以及降低EMI电磁干扰，减少抗EMI元件成本，并通过EMI标准测试。
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IGBT模块吸收电容参数设计，IGBT 模块失效机理分析
IGBT模块将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对IGBT模块的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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IGBT的损耗与结温计算：深入探讨与公式解析
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为电力电子领域的核心元件，其损耗与结温的计算对于电路的设计与优化至关重要。本文将从IGBT的损耗类型出发，详细阐述其计算方法，并进一步探讨结温的计算公式与步骤，以期为工程师们提供有益的参考。
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MOSFET与IGBT的定义与特性
MOSFET，全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。它由金属、氧化物（如SiO₂或SiN）及半导体三种材料制成，具有三个主要电极：源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
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IGBT和MOSFET的优缺点有哪些
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为两种重要的半导体功率器件，在电力电子领域有着广泛的应用。它们各自具有独特的优缺点，以下是对两者优缺点的详细分析：
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