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单片式整合氮化镓芯片即将推出，imec为提升功率电路性能拼了
3月22日消息，比利时微电子研究中心(imec)氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平台上，整合高性能肖特基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管(HEMT)的成功案例。该平台以P型氮化镓(GaN)HEMT制成，此次研发成功整合多个GaN元件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点(POL)转换器所需的开发动能，进一步缩小元件尺寸与提高运作效率。
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IMEC造出0.8um工艺的CPU处理器，功耗低到离谱
现在高性能的处理器越来越复杂，工艺也先进，但在物联网领域，有些芯片需要更低的功耗，IMEC比利时微电子中心今天宣布联合多家合作伙伴造出了0.8um的IGZO铟镓锌氧化物晶体管技术的8位处理器，功耗可低至0.01W。与硅基CMOS工艺的芯片相比，薄膜晶体管技术的芯片具有独特的优势，包括低成本、轻薄、柔性、可弯曲等等，更适合物联网领域，比如RFID射频标签、健康传感器等等，还可以作为显示器的驱动芯片。
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半导体的埃米时代即将到来！IMEC公布未来技术蓝图
当前，量产的晶体管已经进入4nm尺度，3nm研发也已经冻结进入试产。半导体行业大脑imec(比利时微电子研究中心)公布了未来十年的技术蓝图。据悉，2025年后，晶体管微缩化进入埃米尺度(Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米)
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IMEC揭示：2nm芯片可以使用的新材料
在2020年国际互连技术大会上，imec首次展示了采用钌金属(Ru)，具备电气功能的双金属层级结构(2-metal-level)互连技术。该金属是使用特殊的半镶嵌和气沟(Air Gap)技术生产，具有更好的使用寿命和更佳的物理强度(mechanical strength)。
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基于IMEC的生物电信号采集方案
高盛6月底最新发布的分析报告显示，全球运营商正在加速采用TD-LTE技术，在亚洲，到2013年TD-LTE将覆盖中国、印度和日本的27亿人口，这些市场的巨大潜力会进一步
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IMEC 对晶圆级封装的解析
什么是IMEC 对晶圆级封装?它有什么作用?IMEC提出了一种可满足更高密度，更高带宽的芯片到芯片连接需求的扇形晶圆级封装的新方法。IMEC的高级研发工程师Arnita Podpod和IMEC Fellow及3D系统集成计划的项目总监Eric Beyne介绍了该技术，讨论了主要的挑战和价值，并列出了潜在的应用。
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ASML、IMEC联合研发第二代EUV光刻机，制造更小的晶体管
随着三星宣布7nm EUV工艺的量产，2018年EUV光刻工艺终于商业化了，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达
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适用于5nm IMEC造出全球最小SRAM芯片
面积能大幅缩小的原因就在于使用了新的晶体管结构，Unisantis与IMEC使用的是前者开发的垂直型环绕栅极(Surrounding Gate Transistor，简称SGT)结构，最小栅极距只有50nm。研究表明，与水平型GAA晶体管相比，垂直型SGT单元GAA晶体管面积能够缩小20-30%，同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。
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Imec 与 Cadence 成功流片首款 3nm 测试芯片
全球领先的纳米电子与数字技术研发创新中心 imec 与楷登电子(美国 Cadence 公司)今日联合宣布，得益于双方的长期深入合作，业界首款 3nm 测试芯片成功流片。
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IMEC成功研发可以作曲的芯片
欧洲微电子研究中心(IMEC)的研究人员最近成功研发了一款可以作曲的芯片，这款仿神经芯片虽然还处于原型产品阶段，但已经可以通过分析歌曲中的模式学会了谱曲的规则。听过某
