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能讯半导体：5G时间窗口只有三年
“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口，但只有三年。”能讯半导体总经理任勉表示，在氮化镓领域耕耘十二年，能讯半导体迎来关键时间节点，抓住5G基站建设机会，就可以在竞争中占据有利位置。
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场效应功放管静态工作点温度补偿功能设计
摘要：线性功率放大器的线性度受功放管的静态工作点影响很大。然而，在功放管的实际工作中，由于功放管的门限开启电压随温度上升会降低，从而导致静态工作电流增大并使得线性度恶化。文中给出了一种LDMOS功放管静态工作点的温度补偿措施，该方法在LDMOS线性功率放大器中有着广泛的用途。
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意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管
中国，2021年8月13日——意法半导体的STPOWERLDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。STPOWERLDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处理高射频功率，兼备短导通沟道...
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埃赋隆半导体面向2.45GHz ISM应用和固态烹饪的优化成本250W LDMOS
埃赋隆半导体(Ampleon)现已发布250W射频功率晶体管BLP2425M10S250P。
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恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管
中国上海，2013年6月20日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，
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什么是LDMOS？
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDM
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电平位移电路应用于负电源的设计
本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的
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检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案
1 引言 由于电源适配器芯片中内嵌集成或需要外部连接功率LDMOS 管，应用中的LDMOS 管又需要直接和高压相联接并通过大电流(目前的LDMOS 管已经能耐受数百乃至近千伏的高压)。因此，如何保障芯片和LDM
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NXP MRFX1K80H晶体管在贸泽开售
65V LDMOS技术让射频功率设计提速
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5G发展将带动RF功率元件需求成长
随著5G技术逐渐成熟，带给射频前端(RF Front End)晶片市场商机，未来射频功率放大器(RF PA)需求将持续成长，其中传统金属氧化半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，LDMOS;LDMOS具备低成本和大功率性能优势)制程逐步被氮化镓(Gallium Nitride，GaN)取代，尤其在5G技术下需要支援更多元件、更高频率，另砷化镓(GaAs)则相对稳定成长。
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GAN将逐渐取代LDMOS
如今，电子业正迈向4G的终点、5G的起点。 后者发展上仍有不少进步空间，但可以确定，新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做支撑，可望为芯片商带庞大商机--特别是对RF功率半导体供货商而言。 对此，市研机构Yole于7月发布「2017年RF功率市场与科技报告」指出，RF功率市场近期可望由衰转盛，并以将近二位数的年复合成长率(GAGR)迅速成长;同时，氮化镓(GaN)将逐渐取代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，成为市场主流技术。
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安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放产品组合及大功率射频解决方案
914号展台 – 夏威夷州夏威夷会展中心安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布参加即将举行的国际微波研讨会(IMS)。Ampleon将在914号展台展示其适用于移动宽带、广播、工业、雷达和航空电子以及射频能量应用的最新射频功
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宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放
随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线 通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。
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覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS
国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV
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恩智浦将全面展示高性能RF射频解决方案为“智慧生活、安全连接”提供技术支持
2014年3月20日讯——恩智浦半导体(NXP Semiconductors)将在今年3月及4月亮相中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN 2014)、国际无线会议(IWS 2014)及电子设计创新会议(EDI CON 2014)，展示其高性能的RF射频解决方案以
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飞思卡尔11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市
射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市，这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求，这是 2013年6月公布的公司射频功率业务战略防御计划发布的首套产品
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMO
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飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 具领先的增益性能
外形小巧的AFT27S006N和AFT27S010N射频晶体管是业界首款覆盖所有主要蜂窝频段的器件，同时提供 20 dB至24 dB的增益性能21ic讯 飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射
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英飞凌专为UHF TV 广播发射器推50V LDMOS 电晶体
英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日推出专为UHF TV广播发射器设计的50V LDMOS电晶体，其中包括一款为市面上针对该应用提供最高功率峰值输出的产品。在整个470 – 806 MHz TV广播频带提供更高
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恩智浦LDMOS RF功率晶体管支持TD-LTE全频段应用
【导读】中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告，此次集采涉及全国31个省市，采购规模约为20.7万个基站，共计55万载扇。与此同时，中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采，规模为
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