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检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案
摘要：本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能
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电源控制芯片中的过流保护设计
摘要：本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功
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基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计
摘要：文中针对高压节能应用领域，开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺，实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4．5μm，漂移区长度缩减至70μm，使得芯片面积和制
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基于英飞凌新一代LDMOS的功放参考设计（世强电讯）
英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球领先的半导体公司之一，其高可靠性，高质量的产品覆盖了模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置等领域。在射频方面，英飞凌近期推出了一系列LDMOS晶体管，最新第
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英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管
英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一，其前身是西门子集团的半导体部门。在中国，英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，该公司凭借其
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新一代LDMOS晶体管（英飞凌）
英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一，其前身是西门子集团的半导体部门。在中国，英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域，该公司凭借其
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120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管（恩智浦）
恩智浦半导体宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效
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LDMOS超高频射频功率晶体管BLF888A（NXP）
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470 - 860MHz完整超高频带DVB
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三元达发射器采用飞思卡尔RF Power 50V LDMOS晶体管
中国领先的无线覆盖解决方案提供商福建三元达通讯股份有限公司(三元达)日前宣布推出中国首款高效Doherty发射器。三元达在这一里程碑产品中结合了该公司的高效率技术Doherty与飞思卡尔的性能领先的RF功率横向扩散MOS(
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三元达采用飞思卡尔RF Power 50V LDMOS晶体管推出全球第一款高效Doherty DTV发射器
2010年8月24日，中国上海讯——中国领先的无线覆盖解决方案提供商福建三元达通讯股份有限公司（三元达）日前宣布推出中国首款高效Doherty发射器。三元达在这一里程碑产品中结合了该公司的高效率技术Doherty与飞思
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三元达采用飞思卡尔RF Power 50V LDMOS晶体管推出全球第一款高效Doherty DTV发射器
2010年8月24日，中国上海讯——中国领先的无线覆盖解决方案提供商福建三元达通讯股份有限公司（三元达）日前宣布推出中国首款高效Doherty发射器。三元达在这一里程碑产品中结合了该公司的高效率技术Dohert
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功率LDM0 S中的场极板设计
摘要：本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型，并在此基础上得出了LDMOS漂移区电势分布和电场分布的解析表达式。通过表达式的结果，研究了多晶硅场板的长度和位置对于器件表面电场和电势的影响
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两款LDMOS射频功率晶体管MRF8P20160HSR3和MRF8P20100HSR3（freescale）
飞思卡尔半导体公司今天推出两款LDMOS射频功率晶体管。在中国，时分同步码分多址存取（TD-SCDMA）无线网络被广泛应用，而这些射频功率晶体管已经专为服务于上述网络的基站中所使用的功率放大器进行了优化。 这些先进
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宏力半导体推出45V LDMOS电源管理制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，日前发布了基于其稳定的0.18微米逻辑平台的先进45V LDMOS电源管理制程。 与传统线宽相比，0.18微米逻辑平台使得更高集成度的数字电路成为可能，从而可以适用于SoC和智能
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上海宏力发表0.18微米先进LDMOS电源管理制程
上海宏力半导体宣布发表0.18微米逻辑平台的先进45伏特LDMOS电源管理制程。 宏力表示，与传统线宽相比，0.18微米逻辑平台使得更高集成度的数字电路成为可能，从而可以适用于SoC和智慧电源。
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宏力半导体发布先进的0。18微米45VLDMOS电源管理制程
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布基于其稳定的0。18微米逻辑平台的先进45VLDMOS电源管理制程。与传统线宽相比，0。18微米逻辑平台使得更高集成度的数字电
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宏力半导体发布先进的0.18微米45V LDMOS电源管理制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布基于其稳定的0.18微米逻辑平台的先进45V LDMOS电源管理制程。与传统线宽相比，0.18微米逻辑平台使得更高集成度的数字电
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最新LDMOS射频功率晶体管（英飞凌）
英飞凌科技股份公司发布两款面向无线宽带应用的最新LDMOS射频功率晶体管，例如在2.5至2.7 GHz频段上运行的WiMAX应用。
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飞利浦为 WiMAX 通信提供高性能的解决方案
中国,北京–皇家飞利浦电子公司（NYSE：PHG，AEX：PHI）今天宣布了用于基站解决方案的下一代LDMOSWiMAX系列产品，它可在802.16e移动WiMAX平台上提供高达3.8GHz的性能。飞利浦的Gen6LDMOS解决方案现在即可供货，它在L
