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恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管推动LTE通讯变革
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4G网络，Gen8+的推出将
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恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革
21ic讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4G网络，Gen8+的推出将巩固恩智浦T
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思卡尔RF业务部对美国航空航天和国防市场做出长期承诺
RF功率领域先驱者创建面向航空航天和国防市场的器件;采用多技术方法利用LDMOS、GaAs和GaN产品线的优势飞思卡尔半导体日前宣布了一项重大举措，主要展示其新型和现有商用RF功
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飞思卡尔RF业务部对美国航空航天和国防市场做出长期承诺
射频(RF)功率晶体管领域的全球领先企业飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布了一项重大举措，主要展示其新型和现有商用RF功率和微波RF器件如何满足美国航空航天和国防(A&D)市场的需求。飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(Ga
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宽动态范围的高端电流检测：三种解决方案
简介 在电机控制、电磁阀控制、通信基础设施和电源管理等诸多应用中，电流检测是精密闭环控制所必需的关键功能。从安全至关重要的汽车和工业应用，到电源和效率至关重要
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华润上华第二代200V SOI工艺实现量产
华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集
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华润上华SOI工艺技术填补国内技术空白
华润微电子有限公司附属公司华润上华科技有限公司近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，华润上华在2010年实
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华润上华第二代200V SOI工艺实现量产
华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多
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华润上华第二代200V SOI工艺实现量产
华润微电子有限公司（“华润微电子”）附属公司华润上华科技有限公司（“华润上华”）近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集
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数字电视发射机发展技术特点简析
本文针对全球掀起的数字电视无线发射热潮，对数字电视发射机的发展技术特点趋势进行了较详细地介绍和分析。论述了数字电视发射机中所使用的数字自适应预校正技术、LDMOS技术、N+1技术和发射机的冷却技术等以及使用这
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英飞凌推出射频功率LDMOS晶体管
21ic讯 英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠
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最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，这种产品
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LDMOS结构特点和使用优势
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此
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最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，这种产品
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飞思卡尔推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配条件下使用
飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界
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基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器
TD-SCDMA(时分同步码分多址接入)是第三代移动通信三大主流标准之一，是我国具有自主知识产权的通信标准，它标志着中国在移动通信领域已经进入世界先进行列，目前，TD-SCDMA的商用化进程正在顺利地进行之中[1]。TD-
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飞思卡尔Airfast方案新增48V LDMOS射频功率晶体管
21ic讯 飞思卡尔半导体公司为先进的Airfast射频功率产品系列推出最先两款产品，以满足市场对符合成本效益，同时又能够支持飞速提升的数据速率、多重无线标准以及不断增加的网络复杂性的射频功率解决方案的需求。新产
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数字电视发射机技术特点分析
本文针对全球掀起的数字电视无线发射热潮，对数字电视发射机的发展技术特点趋势进行了较详细地介绍和分析。论述了数字电视发射机中所使用的数字自适应预校正技术、LDMOS技术、N+1技术和发射机的冷却技术等以及使用这
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飞思卡尔推出RF功率LDMOS晶体管
飞思卡尔半导体宣布推出RF功率LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性，专门面向UHF广播电视应用而设计。作为飞思卡尔RF功率LDMOS晶体管系列的最新成员，MRFE6VP8600H与其
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DXY鼎芯在CMMB市场推广高性能LDMOS及LNA
恩智浦半导体（NXP）近期推出了广播行业工业级的600W LDMOS超高频（UHF）功率晶体管BLF888A。超强性能的BLF888A支持470~860MHz的完整超高频DVB-T讯号，平均输出功率120W时效率达到31%以上；与此同时，50V高压供电的B
