LSI 公司与Zarlink半导体日前宣布联合推出一款解决方案,该解决方案预集成了 Zarlink 的时序分组 (TOP) 专业技术和 LSI® Axxia™ 通信处理器系列产品,可大幅加速产品上市进程,并显著简化网络 OEM 厂商的集
LSI 公司日前宣布推出面向多无线电基站和无线回程等设备的 ACP3423 通信处理器,进一步扩展了 Axxia™ 通信处理器系列产品。Axxia 通信处理器系列使 OEM厂商能够为视频流、网络浏览和高质量数字语音等无线应用提
北京时间2月17日,据国外媒体报道,RIM首席执行官Jim Balsillie日前证实,公司将紧随谷歌的脚步,销售配备近距通信技术的黑莓设备。Balsillie在移动世界大会上称,近距通信技术将成为RIM战略的一部分,该技术将使得黑
日本经济新闻报导,全球晶圆(GlobalFoundries;简称GF)CEO Douglas Grose 24日接受日经专访时证实,GF正和东芝(Toshiba)就代工东芝最先端System LSI(系统整合晶片)一事进入最终协商阶段。日经报导指出,据东芝关系人
2011年1月1日,东芝实施了系统LSI业务重组。其关键措施是,将部分40nm工艺SoC(SystemOnAChip)及32/28nm工艺以后的SoC生产,委托给包括韩国三星电子(SamsungElectronics)在内的数家芯片代工(Foundry)企业。一直
瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术(图1)。该项技术面向28nm工艺以后的产品,瑞萨电子将把该工艺的SoC(SystemonaChip)生产全面委托给代工企业。瑞萨电子计划通过该项技术,
瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术。该项技术面向28nm工艺以后的产品,瑞萨电子将把该工艺的SoC(System on a Chip)生产全面委托给代工企业。瑞萨电子计划通过该项技术,把由外
2011年1月1日,东芝实施了系统LSI业务重组。其关键措施是,将部分40nm工艺SoC(System On A Chip)及32/28nm工艺以后的SoC生产,委托给包括韩国三星电子(Samsung Electronics)在内的数家芯片代工(Foundry)企业。一直在
2011年1月1日,东芝实施了系统LSI业务重组。其关键措施是,将部分40nm工艺SoC(System On A Chip)及32/28nm工艺以后的SoC生产,委托给包括韩国三星电子(Samsung Electronics)在内的数家芯片代工(Foundry)企业。
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响,适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在&ldquo
LSI日前宣布推出 28nm 定制芯片平台,其囊括了一系列丰富的 IP 块和定制片上系统 (SoC) 的高级设计方法。该平台充分利用 LSI 在数代定制芯片方面的专有技术,使 OEM 厂商能够构建出高度差异化解决方案,以满足新一代
2011年1月1日,东芝实施了系统LSI业务重组。其关键措施是,将部分40nm工艺SoC(System On A Chip)及32/28nm工艺以后的SoC生产,委托给包括韩国三星电子(Samsung Electronics)在内的数家芯片代工(Foundry)企业。
罗姆(ROHM)半导体成立于1958年,产品群55.7%是IC,即LSI(大规模集成电路);分立器件占32.2%;还有一些显示器和无源元件。该公司的特色是从开发到生产的一体化机制;为客户做design-in服务同时为了保证稳定和高质量的供货
VLSIResearch预测称2010第四季度半导体设备市场有所降温,全年半导体设备销售额预计增长96%,达到474亿美元。TokyoElectron和Advantest在排名前十的设备厂商中获得最大的增长幅度。AppliedMaterials和ASML继续保持领
VLSI Research预测称2010第四季度半导体设备市场有所降温,全年半导体设备销售额预计增长96%,达到474亿美元。Tokyo Electron和Advantest在排名前十的设备厂商中获得最大的增长幅度。Applied Materials和ASML继续保持
台湾台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing,TSMC)公开了采用TSV(硅通孔)三维积层半导体芯片的LSI量产化措施(演讲序号:2.1)。该公司采用TSV、再布线层以及微焊点(Microbump)等要素技术,制作了三维积层
在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”开幕前一天的2010年12月5日,举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻
台湾台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing,TSMC)公开了采用TSV(硅通孔)三维积层半导体芯片的LSI量产化措施(演讲序号:2.1)。该公司采用TSV、再布线层以及微焊点(Microbump)等要素技术,制作了三维积层
在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”开幕前一天的2010年12月5日(日),举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻辑LSI方面,美国
按VLSI市场调研公司的最新报告,今年无论半导体以及设备业都达到历史上辉煌的年份之一,由此也导致可能产能过剩及芯片价格下降。同时,该公司也更新了2011及2012年半导体及设备业的预测,为2011年半导体增长4.4%为24