MEMS
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新研发MEMS电晶体号称能与CMOS电路整合
美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research (SRC)与康乃尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统(MEMS)电晶体，并可提供给SRC联盟成员采用，做为 CMOS 晶片上的时序(timing)解决方案。 这种 MEMS-JFE
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亚德诺十自由度MEMS惯性量测单元登场
美商亚德诺(ADI)发表第三代的iSensor 微机电系统(MEMS)惯性量测单元(IMU)。ADIS 16488 乃是一款战术级的10自由度(DoF)感测器 ，并且将三轴陀罗仪、三轴加速度计、三轴磁力计、以及压力感测器整合至单晶片当中。 新
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牛尾电机开发出三款曝光装置，面向TSV、MEMS及功率半导体
“UX4-3Di FFPL300” （点击放大） “UX4-MEMS FFPL200”和“UX4-ECO FFPL150”（两款机型的概观相同）（点击放大） 牛尾电机宣布，该公司开发出了模块全域等倍曝光装置“UX4”系列的3款机型，将在“Semicon J
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MEMS力拼10自由度，运动传感器成为大热门
引言：传感器融合将为高精度运动检测在手机、导航系统、游戏机等便携电子设备内的应用创造更多新机会，空中鼠标、智能遥控器、LBS等都是未来十分看好的应用。就在各种6自由度、9自由度器件不断问世之际，10自由度MEM
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MEMS/NEMS表面3-D轮廓测量中基于模板的相位解包裹算法
相位解包裹是使用相移显微干涉法测量MEMS/NEMS表面3-D轮廓时的重要步骤.本文针对普通的相位解包裹方 法在复杂轮廓或包含非理想数据区的表面轮廓测量中的局限性,提出一种基于模板的广度优先搜索相位展开方法.通过模板 的使用,先将非相容区域标记出来,在相位解包裹的过程中绕过这些区域,即可得到准确可靠的相位展开结果.通过具体的应 用实例可以证明,使用不同模板可以根据不同应用的需要灵活而准确地实现微纳结构表面3-D轮廓测量中的相位展开. 关键词:MEMS/NEMS;表面轮廓测量;模板;相位解包裹;边缘检测
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基于MEMS的LED芯片封装光学特性分析
本文提出了一种基于MEMS的LED芯片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔。分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响，分析结果表明该反射腔可以提高芯片的发光效率和光束性能；讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效率之间的关系。最后设计r封装的工艺流程。利用该封装结构可以降低芯片的封装尺，提高器件的发光效率和散热特性。
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IDT展示全球首款商用压电MEMS振荡器
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已开发并展示全球首款纳入压电微机电系统(pMEMS)谐振器的商用振
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MEMS/NEMS表面3-D轮廓测量中基于模板的相位解包裹算法
相位解包裹是使用相移显微干涉法测量MEMS/NEMS表面3-D轮廓时的重要步骤.本文针对普通的相位解包裹方 法在复杂轮廓或包含非理想数据区的表面轮廓测量中的局限性,提出一种基于模板的广度优先搜索相位展开方法.通过模板 的使用,先将非相容区域标记出来,在相位解包裹的过程中绕过这些区域,即可得到准确可靠的相位展开结果.通过具体的应 用实例可以证明,使用不同模板可以根据不同应用的需要灵活而准确地实现微纳结构表面3-D轮廓测量中的相位展开. 关键词:MEMS/NEMS;表面轮廓测量;模板;相位解包裹;边缘
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基于MEMS的LED芯片封装光学特性分析
本文提出了一种基于MEMS的LED芯片封装技术，利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装LED芯片的反射腔。分析了反射腔对LED的发光强度和光束性能的影响，分析结果表明该反射腔可以提高芯片的发光效率和光束性能；讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效率之间的关系。最后设计r封装的工艺流程。利用该封装结构可以降低芯片的封装尺，提高器件的发光效率和散热特性。
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IDT 展示全球首款商用压电 MEMS 振荡器
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已开发并展示全球首款纳入压电微机电系统（pMEMS）谐振器的商用振荡
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ADI 推出战术级10自由度 MEMS IMU-ADIS16488
第三代 iSensor(r) MEMS IMU(惯性测量单元)ADIS16488，不惧恶劣环境 北京2011年12月1日电 /美通社亚洲/ -- Analog Devices, Inc. (ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近正式全面推出第三代iSensor
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ADI推出战术级10自由度MEMS IMU-ADIS16488
Analog Devices, Inc. (ADI)，最近正式全面推出第三代iSensor® MEMS IMU（惯性测量单元）ADIS16488，这是一款战术级10自由度(DoF)传感器 ，在单封装中集成一个三轴陀螺仪、一个三轴加速度计、一个三轴磁力
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IDT 展示全球首款商用压电 MEMS 振荡器
IDT® 公司 宣布，已开发并展示全球首款纳入压电微机电系统（pMEMS）谐振器的商用振荡器。该振荡器利用 pMEMS 谐振器与生俱来的高频率，使其适合在任何应用中替代传统的石英振荡器。IDT 的 pMEMS 谐振器技术将压
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MEMS运动处理方案对消费类电子的影响
对设备在三维空间中的运动进行测量及智能处理的运动处理技术，将是下一个重大的革命性技术，会对未来的手持消费电子设备、人机接口、及导航和控制产生重大影响。 这场变革的推动力量是基于微机电系统(MEMS)的消费级
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上海先进半导体：告别被动代工
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。 当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。 由于之前发展的保守与缺乏战略，从2006年上市后到2009年，
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上海先进半导体：告别被动代工
先进半导体是全球历史最为悠久的模拟电子芯片代工厂之一，其前身是1988年成立的上海飞利浦半导体公司。当时，这家位于上海市漕河泾的工厂，产品基本出口。由于之前发展的保守与缺乏战略，从2006年上市后到2009年，这
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取代石英晶体 MEMS振荡器难竟全功
微机电系统(MEMS)振荡器全面取代石英晶体振荡器的美梦难圆。虽然MEMS振荡器基于与半导体制程和封装技术相容而树立低成本优势；然而，其在温度及相噪(Phase Noise)的整体表现远不及石英晶体成熟，短期内仅能切入有线通
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陀螺仪价格续降 九轴MEMS发展添动能
陀螺仪价格不断下杀，中低阶智慧型手机采用九轴微机电系统(MEMS)感测器机会大增。由于陀螺仪单颗售价仍约落在2美元，导致现阶段仅少量高阶智慧型手 机内建九轴MEMS感测器，随着2012年陀螺仪的单价下滑到1.5美元左右，
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MEMS:智能机和汽车电子贡献率60%以上
美国MEMS产业协会（MIG）于2011年11月2日～3日在加利福尼亚州Monterey召开了MEMS经理人年度大会。与会专业人士认为，未来几年，智能手机和汽车电子将是MEMS应用的两大主要市场。手机和平板电脑中的运动传感器（加速度
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单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计
1 引 言单片集成是MEMS传感器发展的一个趋势，将传感器结构和接口电路集成在一块芯片上，使它具备标准IC工艺批量制造、适合大规模生产的优势，在降低了生产成本的同时还减少了互连线尺寸，抑制了寄生效应，提高了电路
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