模拟运算放大器从诞生至今,已有40多年的历史了。最早的工艺是采用硅NPN工艺,后来改进为硅NPN-PNP工艺(后面称为标准硅工艺)。在结型场效应管技术成熟后,又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后,特别是CMOS技术成熟后,模拟运算放大器有了质的飞跃,一方面解决了低功耗的问题,另一方面通过混合模拟与数字电路技术,解决了直流小信号直接处理的难题。
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/
一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得
使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。
绝对要收藏的小功率 MOS管 选型手册。KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mΩ、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300;Si2300,APM2300,
在开关电源变压器的工作过程中,工程师不仅需要综合考虑其设计构造的合理性问题,还需要严格把控其温升范围,以免出现温升过高导致工作效率下降的问题。而在实际应用过程中
发光二极管就是俗称的LED,由于较容易入门且普及率高,很多新手在进行入门学习时经常会选择发光二极管来入手。本文将对发光二极管与MOS之间的特定关系进行分析,从而帮助大
高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低,变压器漆包线的绝缘特性降低,晶体管损坏,材料热老化,焊点脱落等现象。有统计资料表明,
如果将电源的极性接反,可能会损坏电源或者烧掉电路板。下图是一个实用的防反接电路。当电源正向接入,且输入电压范围为+9V~+28V时,MOS管的栅极电压,为2/3Vin即6V~18.7
摘要:一摸电源模块的表面,热乎乎的,模块坏了?!且慢,有一点发热,仅仅只是因为它正努力地工作着。但高温对电源模块的可靠性影响极其大!我们须致力于做好热设计,减小电源
如果将电源的极性接反,可能会损坏电源或者烧掉电路板。下图是一个实用的防反接电路。 当电源正向接入,且输入电压范围为+9V~+28V时,MOS管的栅极电压,为2/3Vin即6V~18
如果将电源的极性接反,可能会损坏电源或者烧掉电路板。下图是一个实用的防反接电路。 当电源正向接入,且输入电压范围为+9V~+28V时,MOS管的栅极电压,为2/3Vin即6V~18
简介: 今天一个刚刚入行的朋友找到我说,他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后,他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数,就
【电路】 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 (原文件名:MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.jpg) 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。 双向传输原理:
1、芯片发热 本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯
摘要:分析了测量角度和角速度传感器的选择,通过Atmega16单片机多路信号AD采集陀螺仪和加速度计的信号,经过Kalman滤波算法计算动态的角度和角速度,通过LCD1602显示角速度和角度的值、转向值。利用PID控制算法控制
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允
1)防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作,使晶体管截止更可靠!三极管的基极不能出现悬空,当输入信号不确定时(如输入信号为高阻态时),加下拉电阻,就能使有效接地。特别是GPIO连接此基极的时候,一般在GPIO所在I
【导读】在“中国制造”的道路上国产分立器件已经不可或缺的融入供应链。现阶段,以客户需求为出发点,调整并深化产品线,走专业化道路,合理的性价比成为国内分立器件制造的主要目标以及竞争优势的体现。也只有这样