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看完这篇，请不要再说不懂MOSFET！（文末有惊喜）
01 认识功率器件 1.1 功率半导体器件在工业 、消费 、军事等领域都有着广泛应用 ，具有很高的战略地位，下面我们从一张图看功率器件的全貌： 1.2 功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱
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MOS管输出特性曲线，你看明白了吗？
我们知道，三极管是利用Ib的电流去控制电流Ic的，所以说三极管是电流控制电流的器件。 而MOS管是利用Ugs的电压去控制电流Id的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。 对于N沟道增强型的MOS管，当Ugs>Ugs(th)时，MOS就会开始导通，如果在D极和S极之间加上一定的
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开关电源微型化的一些技术
科技的发展对工程师的能力要求越来越高，在同样功率和电压的条件下，是什么技术瓶颈限制了开关电源的体积进一步缩小?现有技术条件下，电脑主机的电源不能做到和手机充电器一样大吗?为什么?请不要简单回答说散热问题，我想知其所以然。另外，未来是否有可能进一步缩小体积功率比?需要哪些技术前提?
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关于MOS管失效的六大原因分析
雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。
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不同的LED路灯电源
随着科学技术的发展，LED技术也在不断发展，为我们的生活带来各种便利，为我们提供各种各样生活信息，造福着我们人类。LED路灯是LED照明中一个很重要应用。在节能省电的前提下，LED路灯取代传统路灯的趋势越来越明显。
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LED灯不足点
在科技高度发展的今天，电子产品的更新换代越来越快，LED灯的技术也在不断发展，为我们的城市装饰得五颜六色。本文主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片进行分析。目的是为了能够减少MOS管的损失。下文中主要从5个方面分析了MOS管烧不停的原因，并给出合理的处理方法。
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关于隔离电源与非隔离电源在LED驱动中的选择方法
其实说白了，不是什么可靠性，而是非隔离电路对于浪涌太敏感，抑制能力差，隔离电路，因为能量是先进入变压器，然后从变压器再输送到LED负载的。
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MOS管的选择方案
MOS管在生活中处处会使用到，有电子产品的地方就有它的身影，正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题。
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MOS管使用你必须要知道的
MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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开关电源MOS管选用方法
MOS管最常见的应用可能是电源中的开关元件，此外，它们对电源输出也大有裨益。服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，以支持N+1 冗余与持续工作 (图1)。各并
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开关电源MOS管怎么选？参数说了算
在开关电源当中，开关管的关断和开通时间影响着开关电源的工作效率，而MOS管的一些参数起着决定性的作用，那么MOS管的选择又存在哪些技巧呢?由于MOS管对电路的输出有很好的
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MOSFET学习：N沟道MOS管和P沟道MOS管
MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。 我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易
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电源节能双管正激拓扑结构的研究
近期令人瞩目的新款航嘉多核R80电源，除了集低价、节能、稳定、低噪音等特点于一身外，令玩家们感兴趣的恐怕还有“双管正激”这一先进的拓扑架构。事实上，不但多
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模拟又挂科了？看懂模拟运放想挂都难
1． 模拟运放的分类及特点模拟运算放大器从诞生至今，已有40多年的历史了。最早的工艺是采用硅NPN工艺，后来改进为硅NPN-PNP工艺（后面称为标准硅工艺）。在结型场效应管技
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电路设计中三极管和mos管的区别
我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别 工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损
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开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路
对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又
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纳微在中国开设GaNFast研发中心以支持创新
纳微(Navitas)今天宣布在杭州开设新的GaNFast研发中心，以帮助合作伙伴和客户设计技术领先的电源转换器;相比传统的硅MOS管方案，这些新设计能让体积缩小50%，重量减轻50%，可为移动应用终端提供快3倍的充电速度
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MOS管功率损耗竟然还可以这么测
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢
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开关MOS寄生二极管的多种妙用
是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。
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开关MOS寄生二极管的多种妙用
是由生产工艺造成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，不一定和S极相连，所以DS之间不一定有寄生二极管。
江阳
朱德荣
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