MOSFET

飞兆半导体宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7

具有宽占空因子范围的隔离式 MOSFET 驱动器

图 1 所示电路主要用途是用于驱动频率范围为 1 Hz 至 300 kHz、占空因子为 0 ~ 100%的功率 MOSFE

飞兆半导体的80 V MOSFET

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IR D类音频功放用 MOSFET

IR AC-DC同步整流MOSFET

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IR MOSFET及控制芯片组方案

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移动通信平台中使用的双路电源控制器MAX1715

讨论了MAX1715在移动通信平台中的应用方法，电路设计，参数计算及实验电路和实验结果。

新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B

SKHI22A/B是德国西门康（SEMIKRON）公司推出的一种新型的IGBT/MOSFET的驱动模块。

一种专为IGBT和MOSFET设计的驱动器

介绍了一种专为IGBT和功率MOSFET设计的电力电子驱动器件——SCALE集成驱动器的性能特点和内部结构 。

Maxim:MAX1567

MAX1567是一款六通道、高效率、完整的数码相机电源转换器方案，它适应2节AA，1节锂电池和其它双电池应用。其主要特点如下：1：该器件具有六个直流-直流转换器通道：内置MOSFET的升压转换器；内置MOSFET可配置为升压或

凌特公司通过2.6A超低正向电压理想二极管提高二极管“或”效率

凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4411 低损耗 Power PathTM 控制器，能够控制一个集成 P 沟道 MOSFET，为电源切换或负载共享提供近于理想的二极管功能。在导通时，MOSFET 的电压降至 28mV，比同类别的肖特基二

IR全新多功能驱动集成电路

功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR2304及IR2308多功能600V高侧及低侧驱动集成电路，产品整合了专为照明镇流器、电源及电机驱动内的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能。IR230

飞兆半导体推出采用SC75 FLMP封装的低压MOSFET

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具备快速本体二极管特性，专为零电压开关 (ZVS) 电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SM