MOSFET

起直流稳压(流)电子负载核心作用的功率 MOSFET

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飞兆半导体的高电压 SuperFET MOSFET 产品荣获最佳功率元器件奖

飞兆半导体器件获《电子设计应用》嘉许，能显著减低 SMPS 和 PFC 应用的系统功耗，并同时提升效率和可靠性《电子设计应用》杂志是中国领先的电子设计出版刊物之一，该杂志日前举行了2004年度电源产品奖颁奖典礼，向飞

IR DirectFET MOSFET芯片组

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大电流便携式DC/DC变换中MOSFET功耗的计算

介绍了大电流便携式DC/DC中MOSFET的迭代流程和功耗计算。

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电源跟踪技术

对于大多数多电源设计来说，相比简单的电源排序，使各电源的电压执行同步上升和下降跟踪是更加可取的解决方案。虽然从理论上讲这样做较为困难，但已经有了专用器件，这些器件能够极大地简化跟踪电路的设计 —— 即使在采用了大量特性迥然不同的电源系统中也是如此。

电源跟踪技术

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安森美新型低压沟道MOSFET

Fairchild小尺寸互补对称MOSFET

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飞兆半导体宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7

具有宽占空因子范围的隔离式 MOSFET 驱动器

图 1 所示电路主要用途是用于驱动频率范围为 1 Hz 至 300 kHz、占空因子为 0 ~ 100%的功率 MOSFE

飞兆半导体的80 V MOSFET

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IR D类音频功放用 MOSFET

IR AC-DC同步整流MOSFET

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IR MOSFET及控制芯片组方案

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