MOSFET
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电动汽车的DC-DC转换器类型
DC-DC转换器是一种机电设备或电路，用于根据电路要求将直流电压从一个电平转换到另一个电平。作为电力转换器家族的一部分，DC-DC转换器可用于小电压应用，如电池，或高电压应用，如高压电力传输。
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减轻 MOSFET 体二极管的反向恢复过冲
由于 SiC MOSFET 尺寸紧凑、效率更高，并且在高功率应用中具有卓越的性能，因此目前正在开关应用中取代 Si 器件。 SiC 器件可实现更快的开关时间，从而显着降低开关损耗。这些优势源于 SiC 器件独特的电气和材料特性——MOSFET 体二极管结构固有的快速反向恢复，这削弱了 SiC MOSFET 的优势。在快速反向恢复事件期间，设备可能会经历较大的电压尖峰，从而给设备和整个系统带来风险。其他设计挑战包括增加的电磁干扰 (EMI) 和意外故障，例如假栅极事件或寄生导通 。幸运的是，您可以减轻这些影响，从而优化系统性能。
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意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制
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SiC上车提速，清纯半导体把握国产替代先机
综合自中汽协、EVvolumes.com的多方数据，新能源汽车行业增长势头强劲。我国2021、2022、2023年新能源汽车销量分别为350万辆、689万辆、950万辆，市场占有率31.6% 预计2024年产销量1200-1300万辆，市占率超过45%；约占全世界产销量60%。
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业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
数据中心、电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案的理想选择
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线性放大电路中的乙类推挽功率放大器设计
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
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抑制纹波提高开关电源整体性能
开关电源一般由脉冲宽度调制PWM控制IC和MOSFET构成，控制开关管时间比率维持稳定的输出电压。
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MOSFET栅极充电机理是什么？如何提高MOSFET的动态响应？
一直以来，MOSFET都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来MOSFET的相关介绍，详细内容请看下文。
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IGBT如何改善寄生电容，适合高频操作
在导通特性方面，IGBT的导通损耗由器件导通时的压降造成，其参数为Vce(sat)，随温度变化较小。而SiC MOSFET的导通特性表现得更像一个电阻输出特性，具有更小的导通损耗，特别是在电流较小的情况下2。
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双管正激式开关电源主要组成部分详解
双管正激式开关电源是一种常见的电源拓扑结构，采用了两个功率开关管进行功率调节。在这篇文章中，我将详细解释双管正激式开关电源的原理、工作方式以及其应用领域。
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MOSFET常见电路有哪些？3款MOSFET应用电路介绍
在下述的内容中，小编将会对MOSFET的相关消息予以报道，如果MOSFET是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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MOSFET的应用电路你都了解吗？MOSFET在什么应用条件要考虑雪崩能量？
一直以来，MOSFET都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来MOSFET的相关介绍，详细内容请看下文。
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MOSFET对驱动电路有哪些要求？常见的MOSFET驱动电路有哪些
MOSFET驱动电路将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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你了解MOSFET驱动电路吗？2款常见的MOSFET驱动电路分享
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET驱动电路的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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MOSFET负载开关基本电路了解吗？双MOS如何设计分立式负载开关？
本文中，小编将对MOSFET负载开关予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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MOSFET与IGBT的定义与特性
MOSFET，全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。它由金属、氧化物（如SiO₂或SiN）及半导体三种材料制成，具有三个主要电极：源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
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IGBT和MOSFET的优缺点有哪些
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为两种重要的半导体功率器件，在电力电子领域有着广泛的应用。它们各自具有独特的优缺点，以下是对两者优缺点的详细分析：
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一文详解MOSFET结构及其工作原理
MOSFET的工作基于栅极电压对导电沟道的控制。当栅极电压达到一定值时，会在半导体中形成导电沟道，从而控制源极和漏极之间的电流流动。
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降压转换器顶部FET Q1的典型开关波形和损耗
MOSFET 开关损耗,真正的晶体管需要时间才能打开或关闭。因此，在导通和关断瞬变期间存在电压和电流重叠，从而产生交流开关损耗。
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Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET
单/双封装比传统封装具有更优异的热性能
