MOSFET
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在电力电子系统中，IGBT或MOSFET的死区介绍
在电力电子系统中，特别是使用IGBT或MOSFET等功率元件时，死区时间非常重要。它确保在一个功率元件关闭后，另一个元件才能开启，从而避免同时导通导致的短路风险。
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哪些工艺参数会影响MOSFET阈值电压？MOSFET雪崩失效解读
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET具备清晰的认识，主要内容如下。
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非常见问题解答第224期：热插拔控制器中的寄生振荡
使用高端N沟道MOSFET开关的热插拔器件在启动和限流期间可能会发生振荡。虽然这不是新问题，但数据手册通常缺少解决方案的详细信息。如果不了解基本原理，只是添加一个小栅极电阻进行简单修复，可能会导致电路布局容易产生振荡。本文旨在解释寄生振荡的理论，并为正确实施解决方案提供指导。
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用MATLAB实现单相半桥和全桥逆变器
交流电(AC)电源几乎用于所有的住宅、商业和工业需求。但是交流电最大的问题是它不能储存起来以备将来使用。交流电被转换成直流电，然后直流电被储存在电池和超级电容器中。现在，每当需要交流时，直流又被转换成交流电来运行基于交流电的电器。所以把直流电转换成交流电的装置就叫做逆变器。
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使用MOSFET的简单h桥电机驱动电路
一开始，驱动电机似乎是一项简单的任务——只要把电机连接到合适的电压轨道上，它就会开始旋转。但这并不是驱动电机的完美方式，特别是当电路中涉及到其他组件时。这里我们将讨论一种最常用和最有效的直流电机驱动方式——H桥电路。
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用运算放大器设计一个简单的恒流吸收电路
电流源和电流汇是电子设计中使用的两个主要术语，这两个术语决定了有多少电流可以离开或进入终端。例如，典型8051单片机数字输出引脚的吸收电流和源电流分别为1.6mA和60uA。这意味着引脚在高电平时可以提供(源)高达60uA，在低电平时可以接收(接收器)高达1.6mA。在我们的电路设计过程中，我们有时必须建立我们自己的电流源和电流吸收电路。在上一篇教程中，我们使用普通运算放大器和MOSFET构建了一个电压控制的电流源电路，可用于向负载提供电流，但在某些情况下，我们需要电流吸收选项而不是源电流。
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使用MOSFET和晶体管的可编程增益放大器
在测量行业中，一个非常关键的功能模块是可编程增益放大器(PGA)。如果您是电子爱好者或大学生，您可能已经见过万用表或示波器非常珍贵地测量非常小的电压，因为电路具有内置PGA和功能强大的ADC，有助于精确测量过程。
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230V交流电源过电压保护电路
由于技术的进步和更好的设计偏好，大多数电源现在都非常可靠，但由于制造缺陷，或者可能是主开关晶体管或MOSFET坏了，总是有可能发生故障。此外，它也有可能由于输入过电压而失效，尽管像金属氧化物压敏电阻(MOV)这样的保护装置可以用作输入保护，但是一旦MOV触发，它就会使设备失效。
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简单的MOSFET开关电路-如何打开/关闭n沟道和p沟道MOSFET
MOSFET是一种利用场效应的晶体管。MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管，它有一个栅极。为了简单起见，你可以把这个门想象成一个水龙头你逆时针旋转水龙头水开始流出水龙头，你顺时针旋转它水停止流出水龙头。同样，栅极电压决定器件的导电性。根据这个栅极电压，我们可以改变电导率，因此我们可以把它用作开关或放大器，就像我们用晶体管作为开关或放大器一样。自20世纪80年代功率MOSFET问世以来，功率开关变得更快、更高效。几乎所有现代开关电源都使用某种形式的功率mosfet作为开关元件。
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如何使用MOSFET构建高效的D类音频放大器
在过去的几十年里，音频内容已经走过了漫长的道路，从经典的电子管放大器到现代的媒体播放器，技术进步改变了数字媒体的消费方式。在所有这些创新中，便携式媒体播放器已成为消费者的首选之一，因为它们具有充满活力的音质和长电池寿命。那么它是如何工作的，它听起来是多么的好。作为一个电子发烧友，这个问题总是出现在我的脑海里。尽管扬声器技术取得了进步，但放大器方法的改进发挥了重要作用，这个问题的明显答案是D类放大器。因此，在本项目中，我们将借此机会讨论D类放大器，并了解其优点和缺点。最后，我们将构建放大器的硬件原型并测试其性能。听起来很有趣，对吗?让我们开始吧。
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使用IRF540N MOSFET的DIY泡沫切割机
但是使用聚苯乙烯泡沫塑料通常需要大量的加热元件工具，这些工具价格昂贵，对于业余爱好者来说是遥不可及的。这里最好的选择是自己创建一个加热的泡沫塑料切割工具，因为大多数在线教程都遵循使用固定电源的方法，它们将用户体验限制在电线的长度上。因此，在本教程中，我们将使用镍铬合金线制作便携式泡沫切割工具。
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Zeus：一个交流到直流的高瓦电源单元
当我们在家里做一个定制的RGB LED设置时，基本上它是一堆可寻址的5v LED WS2812，但不幸的是，我们没有一个高电流的电源来正确地点亮它们。因为有很多，它需要大约9安培的电流来照亮全亮度。这导致我们设计一个电源为这个目的，以及gerber是共享的，所以如果有人想做这个电源，他们可以很容易地做到这一点。
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Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET
提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。
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英飞凌推出OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET，赋能先进的热插拔技术和电池保护功能
【2024年11月25日, 德国慕尼黑讯】为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on) 而能够在工作期间将损耗降至最低。与上一代产品OptiMOS™ Linear FET相比，OptiMOS™ Linear FET 2改善了高温下的 SOA、降低了栅极漏电流，并扩大了封装选择范围。
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电动汽车的DC-DC转换器类型
DC-DC转换器是一种机电设备或电路，用于根据电路要求将直流电压从一个电平转换到另一个电平。作为电力转换器家族的一部分，DC-DC转换器可用于小电压应用，如电池，或高电压应用，如高压电力传输。
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减轻 MOSFET 体二极管的反向恢复过冲
由于 SiC MOSFET 尺寸紧凑、效率更高，并且在高功率应用中具有卓越的性能，因此目前正在开关应用中取代 Si 器件。 SiC 器件可实现更快的开关时间，从而显着降低开关损耗。这些优势源于 SiC 器件独特的电气和材料特性——MOSFET 体二极管结构固有的快速反向恢复，这削弱了 SiC MOSFET 的优势。在快速反向恢复事件期间，设备可能会经历较大的电压尖峰，从而给设备和整个系统带来风险。其他设计挑战包括增加的电磁干扰 (EMI) 和意外故障，例如假栅极事件或寄生导通 。幸运的是，您可以减轻这些影响，从而优化系统性能。
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意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制
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SiC上车提速，清纯半导体把握国产替代先机
综合自中汽协、EVvolumes.com的多方数据，新能源汽车行业增长势头强劲。我国2021、2022、2023年新能源汽车销量分别为350万辆、689万辆、950万辆，市场占有率31.6% 预计2024年产销量1200-1300万辆，市占率超过45%；约占全世界产销量60%。
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业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
数据中心、电动汽车基础设施和工业设备中高效电源解决方案的理想选择
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线性放大电路中的乙类推挽功率放大器设计
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
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