-
10月快闪存储器NAND供过于求 合约价看涨
市调机构集邦科技预期，第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓，10月合约价看涨。集邦科技表示，海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外，不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨，同时激励9月
-
10月快闪存储器NAND供过于求 合约价看涨
市调机构集邦科技预期，第4季储存型快闪存储器(NANDFlash)供过于求情况可望趋缓，10月合约价看涨。集邦科技表示，海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外，不仅带动动态随
-
半导体景气 恐反转向下
国际半导体设备材料产业协会（SEMI）昨（20）日公布2013年8月份北美半导体设备订单出货比（Book-to-BillRatio，B/B值）为0.98，订单及出货金额同步走跌，并跌破代表半导体市场景气扩张的1。设备业者指出，全球总体经
-
半导体景气 恐反转向下
国际半导体设备材料产业协会（SEMI）昨（20）日公布2013年8月份北美半导体设备订单出货比（Book-to-BillRatio，B/B值）为0.98，订单及出货金额同步走跌，并跌破代表半导体市场景气扩张的1。设备业者指出，全球总体经
-
应材：移动装置主导未来市场
全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆昨（5）日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NANDFlash厂的制程升级，将
-
应材：移动装置主导未来市场
全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆昨（5）日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NANDFlash厂的制程升级，将
-
东芝Fab5第二期动工 为量产3D NAND铺路
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NANDFlash扩产需求；该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3DNAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩大五号半导体制造工厂（Fab5
-
东芝Fab5第二期动工 为量产3D NAND铺路
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NANDFlash扩产需求；该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3DNAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩大五号半导体制造工厂（Fab5
-
观察全球前10大半导体厂商资本支出情况变化
根据DIGITIMES最新统计结果，去除2家IC设计业者，2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(SamsungElectronics)、台积电、德州仪器(TexasInstruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(RenesasElectronic
-
2013年10大半导体厂商如何投资布局
根据DIGITIMES最新统计结果，去除2家IC设计业者，2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(SamsungElectronics)、台积电、德州仪器(TexasInstruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(RenesasElectronic
-
2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守
扣除2家IC设计业者，2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(SamsungElectronics)、台积电、德州仪器(TexasInstruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法
-
2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守
扣除2家IC设计业者，2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(SamsungElectronics)、台积电、德州仪器(TexasInstruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法
-
2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守
扣除2家IC设计业者，2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(SamsungElectronics)、台积电、德州仪器(TexasInstruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法
-
美光第二财季净亏损2.86亿美元同比扩大
美国芯片厂商美光科技今天发布2013财年第二财季业绩。报告显示，美光科技第二财季营收为20.8亿美元，比去年同期的18.3亿美元增长3.4%;净亏损为2.86亿美元，比去年同期的净亏损2.82亿美元有所扩大，主要由于计入了
-
美光第二财季净亏损2.86亿美元同比扩大
美国芯片厂商美光科技今天发布2013财年第二财季业绩。报告显示，美光科技第二财季营收为20.8亿美元，比去年同期的18.3亿美元增长3.4%；净亏损为2.86亿美元，比去年同期的净亏损2.82亿美元有所扩大，主要由于计入了与
-
中国NAND Flash市场发展现状
随着人们对消费电子如数码相机、便携式音乐播放器、智能手机、平板电脑、固态硬盘等需求的日益增长，大容量、高速度、小体积、便携性以及较低价格等因素使NANDFlash一举成为目前乃至未来一段时间中高容量闪存甚至存储
-
SIA：2012年全球半导体销售创历年第三高
半导体产业协会(SIA)4日公布，2012年12月全球半导体3个月移动平均销售额月增3%至255亿美元；第四季产值年增3.8%至742亿美元；全年销售总额达2,916亿美元，不仅为历年来第三高，且稍优于先前预估的2,900亿美元。不过若
-
12月上旬主流NAND Flash合约价小跌1-2%
市调机构集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，虽然系统产品年底销售旺季备货高峰期已过，然在NANDFlash原厂持续对于零售市场减量供货的情况下，12月上旬NANDFlash合约价较11月下旬仅小跌1-2%，预估缓跌走势将持续
-
美半导体设备股下挫！Caris：三星支出传砍半拖累
barron`.com19日报导，Caris&Co.证券分析师BenPang发表研究报告指出，市场传出三星电子(SamsungElectronicsCo.)可能会将明(2013)年资本支出预算砍半，若报导属实，那么三星明年的资本支出可能约达65亿美元，这可能会
-
7月下旬DRAM价格续跌NAND价格持平小涨
根据TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查，DRAM合约价格在7月上旬呈现本年度首次下跌的走势后，下旬合约价依然持续疲弱，4GB均价落在19.75美元，最低成交价甚至出现19.5美元水位，4GB均价较上旬下跌约2.5%。至于
gck_2009
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
pangkitty
tongpcb
eengrzh
fortaczx
lyp123010
lenjohn0591
nikel
weldon116
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
wyiqing
