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南北韩战事升温三星命悬一线
才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(SamsungElectronics)，再度因南北韩政治对立情势升温，战事恐一触即发，而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NANDFlash产业，三星在此两大产
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扩大生产规模三星变更半导体产线设置
为了扩大生产规模，三星电子(SamsungElectronics)变更半导体制作产线的营运方式，将原本一座工厂内设置两条产线的方式，变更为整座工厂只有一条产线的营运体系。据南韩MTNews报导，三星23日动工的京畿道华城半导体新
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扩大市占海力士2012年前拟投资近80亿美元
韩国媒体KoreaTimes独家获得海力士(Hynix)内部资料，显示该公司在2012年前，将投注9兆韩元(约79.4亿美元)的资本支出金额。由于不少大型存储器厂商提高投资，预料竞争将加剧。除提高投资外，该份名为「财务稳健中期策
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三星第一季度NANDFlash市占逼近40%大关
2010年第1季全球NANDFlash产业市占率中，仍以三星电子(SamsungElectronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小
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海力士1Q获利季增25%
韩国半导体大厂海力士(Hynix)公布2010会计年度第1季(2010年1~3月)财报，与2009年同期净损1.18兆韩元(约10.62亿美元)相比，海力士本季达成获利8,220亿韩元，比前季成长25%。营收则达2.82兆韩元，比2009年同期成长115%
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抓紧景气回升IM Flash新加坡厂提前运作
英特尔(Intel)和美系记忆体大厂美光(Micron)所成立的合资企业IMFlash，为了赶上半导体业2010年牛气冲天的景气，决定让新加坡厂重启营运。2005年英特尔和美光因看好NANDFlash市场，遂于2006年初合资成立IMFlash，由英
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金援DRAM厂再添一例创见借贷15亿予力晶
2010年DRAM货源持续短缺，由于Windows7换机潮驱动下，PC大厂DRAM采购规模持续扩大，排挤到存储器模块厂的货源，为进一步确保与DRAM厂间的合作关系，且彼此拉进距离，日前创见董事会同意贷款给力晶新台币15亿元，同时
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4月上旬NAND Flash合约价小涨
4月上旬NANDFlash合约价开始小涨，16Gb容量报价上涨2~7%，其次是32Gb容量芯片报价上涨3~4%。近期NANDFlash市场再度受到苹果(Apple)iPad正式开卖，外界再度燃起了兴趣，但消费者反应iPad不能无线上网、散热不佳的问题
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基于SEP4O20的Linux NandFlash驱动设计
基于SEP4O20的Linux NandFlash驱动设计
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基于SEP4O20的Linux NandFlash驱动设计
基于SEP4O20的Linux NandFlash驱动设计
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三星跳电存储器产业链绷紧神经
三星电子(SamsungElectronics)韩国器兴厂24日下午停电约1小时，虽然三星官方指出影响不大，但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张，甚至传出高容量32GbNANDFlash芯片亦受影响，尤其目前包括MobileRAM、SDRAM和NORF
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三星跳电 NAND、DRAM停止报价
DRAM龙头大厂三星半导体24日下午生产线意外跳电，旗下位于企兴（Kiheung）的12吋厂与8吋厂，分别负责生产NANDFlash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟，由于情形不明，厂商相继缩手，同步停止DRAM、NANDFlash报
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NANDFlash控制芯片业淘汰赛登场SSD时代加速产业整合
NANDFlash控制芯片市场曾吸引众多IC设计业者争相投入，随著快闪记忆卡市场饱和，以及固态硬碟(SSD)竞争对手环伺，过去拥有NANDFlash大厂作靠山便是票房保证的时代已不再，未来NANDFlash大厂对于控制芯片业者而言，恐
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DRAM跌价袭击模块厂1月营收处变不惊
2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NANDFlash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈
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NANDFlash合约价止跌高容量芯片有涨声
NANDFlash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NANDFlash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-LevelCell)成为市场的价格
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海力士4Q获利6，570亿韩元创3年新高
全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报，随著全球个人计算机(PC)景气回温，海力士获利创下3年来新高。 2009年第4季海力士营收为2。8兆韩元(约24。7亿美元)，较第3季大幅成长32%，海力士营收成
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海力士金钟甲：将扩增NANDFlash产能
据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NANDFlash的产能。 根据研究机构iSup
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金士顿砸1亿美元绑桩海力士产能
2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，
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威刚陈立白：今年DRAM市场多处于缺货状态
存储器模块大厂威刚2009年获利交出赚进1个股本的丰硕成绩单，董事长陈立白表示，2010年的DRAM产业多数时间将处于缺货的状态，只要价格维持平稳，预计对于模块产业绝对是好事，往年会是传统淡季的第2季，2010年将会见
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韩国FTC：NANDFlash大厂无操控价格
据华尔街日报(WSJ)报导，韩国公平贸易委员会(FTC)并未发现NANDFlash存储器大厂有任何操控价格的证据，将结束为期将近3年的调查。此外，韩国FTC表示，至目前为止所有和存储器市场相关的操控价格调查皆已完成，包括DRA
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