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NAND Flash控制芯片低头
NAND Flash控制芯片低头
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SanDisk联手东芝开发3D存储芯片 欲取代NAND技术
据一份提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件，为了扩大合作，SanDisk与东芝(Toshiba)计划合作开发某些类型的可重写3D存储芯片。 由SanDisk提交的这份文档表示，SanDisk与东芝“将贡献和交叉授权与这项3D合
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市场不断下滑 东芝计划关闭200毫米NAND合资企业
在NAND闪存市场下滑之际，日本东芝(Toshiba)将小幅缩减NAND闪存产量。为此，该公司计划停止FlashVision Ltd.的NAND生产。这是东芝与SanDisk公司之间的合资企业，位于它在日本四日市的工厂。FlashVision负责东芝的
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市场不断下滑 东芝计划关闭200毫米NAND合资企业
在NAND闪存市场下滑之际，日本东芝(Toshiba)将小幅缩减NAND闪存产量。为此，该公司计划停止FlashVision Ltd.的NAND生产。这是东芝与SanDisk公司之间的合资企业，位于它在日本四日市的工厂。FlashVision负责东芝的
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Intel与美光推出34nm NAND芯片, 引领跨入30nm工艺时代
Intel和美光(Micron)日前宣布，其合资公司IM Flash Technologies已经开发出基于34nm工艺的32Gb MLC NAND闪存单芯片，该器件die面积仅为172mm2，将使用300mm晶圆片制造。Intel和美光计划从6月份开始提供样片，量产
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海力士与三星欲推3-bit-per-cell NAND，或对SanDisk不利
韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。
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40、30纳米产能倾巢出 NAND Flash乌云密布
40、30纳米产能倾巢出 NAND Flash乌云密布，4大阵营新世代产线起跑 3Q价格大战一触即发。
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基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现
目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制.实测结果显示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不复当年 新帝全球裁员
NAND Flash毛利率不复当年 新帝全球裁员约10分之1,上游面临三星、英特尔劲敌 下游面临金士顿逼近.
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SSD大单花落英特尔 服务器成其新辟疆土
固态硬盘（SSD）已不再是襁褓中婴儿，现已扩大商机，被更多的领域应用。先前被广泛应用到低价计算机的固态硬盘（SSD），现又被应用到服务器中。 据存储器业者称，英特尔(Intel)日前已接获Google在服务器用固态硬盘（
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可管理NAND：适用于移动设备的嵌入式大容量存储革新
与多年前相比，现在的移动消费电子装置结构复杂，功能丰富，能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是，存储系统的体系结构能够适应这些新的数据密集型应用。例如，适用于大容量存储的高性价比紧凑型 NAND 闪存就替代了手机、MP3 播放器和数码相机中使用的 NOR 闪存和其它非易失性存储装置。
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