e络盟将 Flexxon 的高级 NAND 闪存存储与硬件安全解决方案扩展至美洲、欧非中东及亚太地区
与DRAM内存不同,NAND在断电后也能够储存数据。闪存断电时,浮栅晶体管 (FGT) 的金属氧化物半导体会向存储单元供电,保持数据的完整性。NAND单元阵列存储1到4位数据。
256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术,5nm制程控制器,提供SLC模式选项,速度目前为三星最快 更高的性能和可靠性,使此款SSD支持端侧AI功能,更适配下一代车载解决方案 深圳2024年9月24日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NA...
三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术,其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,为各种AI应用提供优质内存解决方案 深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布,三星首款1太比...
深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 随着消费者对电子产品耐用性和性能的期望日益增长,市场上对元器件的选择标准也在不断提高。在众多关键组件中,NAND Flash因其在数据存储和处理速度上的核心作用,成为了厂商们尤为重视的焦点。在这一背景下,NAND Flash不仅需要满足基...
在存储技术领域,SD卡作为一种常见的存储媒体,其内部采用的存储技术直接影响着性能和可靠性。客户关心SD卡内部是否采用EMMC(嵌入式多媒体卡)还是NAND(非易失性存储器)技术。拓优星辰将对这两种存储技术进行详细解析,帮助客户更好地理解SD卡的内部结构。
随着AI应用的兴起,对于数据中心提出了更高的要求。而作为数据中心的关键数据存储和流转部件,SSD也面临着一系列新的挑战。
业界领先的美光 2650 NVMe SSD(基于第九代 NAND 技术)已批量出货
美光 2500 SSD 采用业界领先的 QLC NAND,性能远超竞品
2024年3月27日上午,美光西安新封测厂奠基仪式成功召开。
DRAM和NAND产品的可持续供货渠道
业内消息,韩媒称三星电子已将西安工厂的NAND闪存开工率至 70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为 20 万片 300mm 晶圆,占三星整体 NAND 产量的 40%。
SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题,减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间
业内消息,NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。不少NAND相关业者表示,NAND芯片供应商为达赚钱目的将持续强力拉抬报价,预料还要再涨四成以上,才能让大厂跨过损平基准,要能赚钱,未来报价涨幅至少会达五成甚至更高。
EnduroSLC® eMMC NANDrive EX系列最高可达40万擦写次数; 高性价比eMMC NANDrive VX系列可在宽温 (-25oC 至 +85oC) 环境下工作
美光 3500 是全球首款采用200+ 层 NAND 技术的高性能客户端 SSD
海量数据的增长,来自各种创新应用的兴起,都为世界带来新的变化。从智能汽车、大语言模型、到AR/VR,数据从传感器中被收集,然后经过端侧计算单元的处理,最终通过无线传输到云端,在世界各地的大型超算集群中进行深度价值挖掘。在整个数据流转的过程中,离不开各种内存和存储系统的参与。数据的持续爆炸增长,导致数据存储的需求也指数上升。“存力”必须要与“算力”同步升级,才能真正实现人类社会数字化可持续的未来。
业内消息,近日三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。知情人士透露三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并开始大规模扩张。
业内消息,全球最大的存储芯片和智能手机制造商三星电子本周表示,今年第三季度初步利润下降了78%,降幅低于之前的预期,或将表明过去遭受重创的存储芯片市场显示出从严重低迷中复苏的早期迹象。
业内最新消息,昨天韩国总统府办公室正式宣布,允许三星电子和 SK 海力士无期限向其位于中国的工厂供应来自美国的芯片设备,无需美国单独批准。