散射测量方法日益应用于复杂结构的测量,并逐渐在间隔层的量测中占据主导地位。数量级在10nm或更薄的间隔层测量尤其困难。除间隔层厚度外,由间隔层过刻蚀导致的基板凹陷深度也对器件有着明显的影响。嵌入式
无线射频(RF)解决方案供货商SiGe半导体(SiGe Semiconductor)表示,预期2008年营收将可达9,800万美元,年度芯片出货量则超越1.2亿片。 SiGe半导体执行长Sohail Khan表示,该公司已连续第五年创下年营收超过40%的成长
SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布2008年再次成为销售增长创记录的一年,自公司创建以来产品付运量超过3.5亿个。SiGe半导体预计全年的销售额接近9800万美元,今年付运量超过1.2亿个产品。SiGe 半导体的创新
SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 现已推出一款 ISM (即工业、科研、医疗 - industrial、 scientific、medical, ISM) 频带高性能功率放大器 (power amplifier, PA),型号为 SE2568U,目标是嵌入式2.4GHz 无线局
SiGe 半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布针对Wi-Fi® 应用推出全球最小的 RF 前端解决方案。该器件基于一种创新性架构,首次在单芯片上集成两个完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。这种架构对外形尺
RMI公司是提供高性能通讯和媒体处理器的公司,近日扩大它的合作伙伴联盟,新增加的成员包括CSR和SiGe半导体。RMI选择这两个新合作伙伴的目的是为RMI最近在阿姆斯特丹IBC 2008上发布的mPND参考解决方案提供一种低成本
SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 现已推出具有双天线输入功能的 GPS 无线电接收器,型号为SE4150L,是专为下一代GPS 系统而开发的。
SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 现已推出两款高性能射频 (RF) 前端模块,型号为 SE2547A 和 SE2548A,可在游戏控制台、台式电脑与笔记本电脑和家庭接入点等客户端访问设备中,实现新的无线多媒体服务。
SiGe 半导体公司 (SiGe Semiconductor, Inc) 宣布推出全球集成度最高的射频 (RF) 前端模块,型号为 SE2593A。
SiGe半导体首席执行官Sohail Khan表示:“我们非常荣幸 Fred 能加入董事会,他拥有30 多年的领导及运营经验,对半导体行业有非常深刻和透彻的了解。在我们致力于继续提高 RF组件的市场份额,使其适用于广大范围的无线