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锗化硅（SiGe）技术在测试技术中的应用
锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频器、低噪声放大器（LNA）、前置放大
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IDT 推出针对光纤电信应用的最新系列低抖动 SiGe VCSO 产品
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出新的低抖动硅锗（SiGe）声表面（SAW）压控振荡器（VCSO）
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恩智浦推出SiGe:C低噪声放大器
21ic讯 恩智浦半导体 NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出SiGe:C低噪声放大器（LNA），进一步提高了GPS信号的线性度、噪声系数以及GPS（包括GLONASS和伽利略卫星定位系统）的接收效果，同时继续保持恩智浦在此类产品
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提高RF_PA效率的技术比较
在向着4G手机发展的过程中，便携式系统设计工程师将面临的最大挑战是支持现有的多种移动通信标准，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和HSDPA，与此同时，要要支持100Mb/s～1Gb/s的数据率以及支持OFDMA调制、支持MIM
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瑞萨电子推出新型SiGe:C异质接面晶体管
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采
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泰克采用8HP SiGe技术实现30+ GHz示波器
21ic讯 泰克公司日前宣布，经验证采用 IBM 8HP 硅锗 (SiGe) BiCMOS 特殊工艺技术设计的泰克新型示波器的各项技术指标优于规定要求，实现了新型高性能示波器的设计目标，使多通道带宽达30 GHz以上，同时减小过去芯片组
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Skyworks重金收购RF前端组件供货商SiGe
模拟与混合信号芯片供货商 Skyworks Solutions 近日宣布，已签署最终协议，将以2.75亿美元现金收购RF前端组件供货商 SiGe Semiconductor 。 Skyworks 表示，这桩收购案将弥补该公司在广泛前端解决方案上的不足，将可
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泰克采用8HP SiGe技术实现30 GHz示波器
泰克公司日前宣布，经验证采用 IBM 8HP 硅锗 (SiGe) BiCMOS 特殊工艺技术设计的泰克新型示波器的各项技术指标优于规定要求，实现了新型高性能示波器的设计目标，使多通道带宽达30 GHz以上，同时减小过去芯片组中存
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基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
本文设计了四种结构的射频有源电感， 其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中，由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感，电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压，有源电感具有可调谐性。
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欧盟项目刷新硅锗芯片高频纪录
欧盟项目DotFive研发出一款硅锗芯片，号称为硅锗（SiGe）史上运行频率最高的芯片。这款820GHz传送接收芯片对可实现x射线般透视，但波长在毫米范围，对人体无害。
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RF前端制造向硅技术演进大大改善GaAs供需紧
消费者需求所推动的不仅仅是设备的功能和性能。无线连接性正在广泛的消费电子应用产品中迅速普及，满足了消费者对随心所欲的人际互动与网络接入永不餍足的需求。消费者需要一种想象天马行空、基于功能的用户体验，供
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SiGe半导体前端模块SE2600S荣获《电子技术应用》2010年度优秀产品奖
SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 的高性能单芯片集成式前端模块 (FEM)产品SE2600S荣获由《电子技术应用》杂志主办的2010年优秀产品评选的网络和通信产品类别优秀产品奖。SE2600S是由《电子技术应用》杂志读者投
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SiGe半导体获“最受尊敬的私营半导体企业奖”提名
全球领先的硅基射频 (RF) 前端模块 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供应商SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 已获全球半导体联盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名为2010年度“最受尊敬的私营半导体企业
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第二代WiMAX功率放大器（SiGe）
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)进一步扩展其功率放大器产品系列，推出能够覆盖2.3-2.4 GHz和2.5-2.7 GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T，该器件能够减少材料清单(BOM)数目，降低成本，适用于USB 适配器
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泰克公司在高速示波器中采用200 GHz SiGe技术
泰克公司日前宣布，其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术，再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米（nm）硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)
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Imec开始提供SiGe-MEMS代工服务
Imec扩展了其CMORE服务，新增了SiGe-MEMS代工服务以及面向高校和研究机构的MPW服务。这些服务都是基于其单片集成SiGe MEMS工艺线，并提供了扩展的设计工具包。 Imec’s CMORE offering extended with SiGe-MEMS foun
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恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出一系列采用最新SiGe（硅锗）工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品，旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推
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SiGe用于移动设备的基于硅技术的集成式WiFi前端IC
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列，推出RF开关/LNA 前端IC (FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式应用中融合型蓝牙/WiFi芯片组的性能和功能性而设计，能够满足新一代智能电话、上网
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集成式WiFi™前端IC SE2601T（SiGe）
集成式WiFi™前端IC SE2601T（SiGe）
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如何用LNA改善GPS的灵敏度
在GPS应用中，通常需要在天线的附近放置LNA(低噪声放大器)，这是因为从GPS卫星接收到的GPS信号非常微弱，需要LNA将它放大。要实现这个目的，可以使用一段式LNA(大约15dB)或者两段式LNA(大约27dB)。采用两段式LNA可以
