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Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代大幅提高功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
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Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V
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Vishay推出最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
Vishay 宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和
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Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面积2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封装21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小
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Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封装，最大RDS(ON)降低57%，提高了转换效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术
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Vishay推出新款TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET 具超小尺寸、极低导通电阻
器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---
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Vishay Siliconix 推出 N沟道TrenchFET®功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。 新的Si
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计，在4.5V下导通电阻
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Vishay的TrenchFET功率MOSFET荣获电源产品奖
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET?功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得
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Vishay推出双芯片P沟道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
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Vishay推出双芯片P沟道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
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Vishay推出双芯片P沟道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
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