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新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
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非对称双通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有
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非对称双通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有
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12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
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60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接近器件减
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP获《今日电子》杂志的年度产品奖
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。 《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP获《今日电子》杂志的年度产品奖
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。 《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的
