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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP获《今日电子》杂志的年度产品奖
该公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP荣获《今日电子》杂志的2008年度产品奖。 《今日电子》的编辑根据设计的创新性、技术或应用的显著进步，以及性价比显著提高三个方面，从2008年发布的
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导
