威世精密集团(VPG)与富丽恩延续约经销商伙伴关系;专注于台湾精密测试仪器,半导体测试与消费电子产品市场。 VPG今天宣布,该公司与台湾富丽恩延续约经销商伙伴关系。为满足台湾精密测试仪器,半导体测试,电子产品
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其光电子产品部发布新VLMx1500-GS08系列采用小型表面贴装0402 ChipLED封装的大红、浅橙、黄、嫩绿、蓝色和白色的超亮LED。VLMx1500-GS08系列器件的尺寸为1.0mm x 0.
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其光电子产品部推出业内首款将信号探测和处理功能集成进单个器件的学习型遥控码IC--- VSOP98260。该器件适用于通用遥控器,通过对这些设备里已有红外发射器接收到的
2012 年 7 月25日 — 全球最大的分立半导体和无源电子元件制造商之一和全球电子行业的领军企业Vishay(NYSE: VSH)宣布,在公司成立50周年之际,向新加坡儿童癌症基金捐款10万美元。 Vishay的管理人员和其亚洲区的合作
2012 年 7 月25日 — 全球最大的分立半导体和无源电子元件制造商之一和全球电子行业的领军企业Vishay(NYSE: VSH)宣布,在公司成立50周年之际,向新加坡儿童癌症基金捐款10万美元。 Vishay的管理人员和其亚洲区的合作
21ic讯 Vishay宣布,在公司成立50周年之际,向新加坡儿童癌症基金捐款10万美元。Vishay的管理人员和其亚洲区的合作伙伴各捐献了一半的善款,这笔基金是通过名为“50小时,50人,50公里”的丝绸之路远足活动
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列采用径向引线的正温度系数 (PTC) 热敏电阻---TFPTL。该系列器件具有镍薄膜芯体和+4110ppm/K正温度系数,响应时间小于2秒,在-55℃~+150℃的宽温范围内具
21IC讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将参加7月11日至13日日本Tokyo Big Sight举行的Techno-Frontier 2012,在专业的功率系统展览Power System Japan的6D-210展位展出其最新的半导
21IC讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将参加7月11日至13日日本Tokyo Big Sight举行的Techno-Frontier 2012,在专业的功率系统展览Power System Japan的6D-210展位展出其最新的半导
21IC讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将参加7月11日至13日日本Tokyo Big Sight举行的Techno-Frontier 2012,在专业的功率系统展览Power System Japan的6D-210展位展出其最新的半导
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc 宣布,推出用于电力电子产品的新系列3相圆柱形电容器。电容器可处理高电流,具有400VAC~1650VAC的9种标准电压等级,以及丰富的容值和封装选项。今天发布的EMKP电容器有16
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于电力电子产品的新系列3相圆柱形电容器---EMKP。电容器可处理高电流,具有400VAC~1650VAC的9种标准电压等级,以及丰富的容值和封装选项。日前发布的EMKP电容
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介质损耗角,可在高频商用应用中工作。VJ HIFREQ系列器
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有14pF低容量的新款双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管--- VCUT07B1-HD1,该器件采用超小LLP1006-2L封装。凭借1.0mm x 0.6mm的小占位面积和0.38mm的极小尺寸,
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。 新的Si
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介质损耗角,可在高频商用应用中工作。VJ HIFREQ系列器件具有低介质
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有14pF低容量的新款双向非对称(BiSy)单线ESD保护二极管,该器件采用超小LLP1006-2L封装。凭借1.0mm x 0.6mm的小占位面积和0.38mm的极小尺寸,新的VCUT07B1-HD
21IC讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有0.8mm业内最低高度的新款全集成接近和环境光光学传感器。VCNL4020把一个红外发射器、用于测量接近程度的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号调理IC和一
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有0.8mm业内最低高度的新款全集成接近和环境光光学传感器--- VCNL4020。该器件把一个红外发射器、用于测量接近程度的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号