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Vishay新款表面贴装TRANSZORB®双向TVS具有3kW的高浪涌能力
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出采用SMC DO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB®双向瞬态电压抑制器(TVS)--- SMC3K。该系列器件在10/1000μs下的浪涌能力达
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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Vishay推出新系列表面贴装PAR®瞬态电压抑制器
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用SMC DO-214AB封装的新系列表面贴装PAR®瞬态电压抑制器(TVS)---5KASMC。该系列器件可用于汽车和电信应用，在10/1000μs条件下具
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Vishay推出新款具有5kW的高浪涌能力表面贴装PAR® TVS器件
器件采用DO-214AB封装和+185℃的工作结温日前，Vishay Intertechnology宣布，推出采用SMC DO-214AB封装的新系列表面贴装PAR®瞬态电压抑制器(TVS)---5KASMC。该系列器件
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Vishay发布有6种封装选项的19款汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢复二极管
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改进型TO-247封装的汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢复二极管。新器件具有极快恢复和软恢
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Vishay发布有6种封装选项的19款汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢复二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改进型TO-247封装的汽车级FRED Pt®和HEXFRED®极快和超快整流器和软恢
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Vishay推出采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺
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Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83mΩ的低导通电阻日前，Vishay Intertechnology宣布，推
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Vishay推出新款Power Metal Strip®电阻
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip®电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5
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Vishay推出新款Power Metal Strip电阻
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip®电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。WSLP2010电
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Vishay推出低外形 高电流电感器
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用8787外形尺寸的新款IHLP® 低外形、高电流电感器---IHLP-8787MZ-5A，它具有9.7A～180A高额定电流，可在+150℃高温下工作。该器件具有很高的效率，最大DCR
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Vishay发布新款车用MPMA精密配对电阻网络
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的MPMA系列精密配对电阻。MPMA电阻网络通过AEC-Q200认证，采用表面模塑SOT-23贴片封装。每个MPMA网络使用耐潮的薄膜钽氮化物电阻膜制造，在高纯铝衬底上进行了
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Vishay推出新款精密MELF电阻样品套件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出实验室样品套件，让设计者触手可及精密MELF电阻的常用阻值，简化各种电子系统的原型，并加快上市时间。新的样品套件在今天发布，分别提供大约100个MMA 0204和MM
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Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---
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Vishay发布新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面贴装S
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Vishay推出小尺寸表面贴装封装集成接近传感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出把红外发射器、光电二极管、信号处理IC和16位ADC集成进小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm表面贴装封装的全集成接近传感器---VCNL3020，扩充其光电子
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Vishay全集成接近传感器VCNL3020 可扩大检测距离
Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出把红外发射器、光电二极管、信号处理IC和16位ADC集成进小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm表面贴装封装的全集成接近传感器---VCNL3020，扩充其光电子产品组合。节省空间的VC
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Vishay推出最小芯片级MICRO FOOT®封装的功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。今天发布的器件将用于智能手机
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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vi
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