模拟
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全新电流/数字转换器（ADI）
Analog Devices, Inc.（ADI）最新推出一款全新的电流/数字转换器芯片—— ADAS1128，它使得高层数CT系统能够以高精度和丰富信息量捕获实时移动图像（如跳动的心脏）。CT（计算机断层扫描）扫描的应用随着技术进步正在
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爱立信携手意法半导体出击手机芯片领域
在手机芯片领域，爱立信和意法半导体(ST)选择了携手出击。两家公司日前宣布，已完成爱立信手机平台与ST-NXP Wireless 的整合，成立双方各持股50%的合资公司。在业界看来，此合资公司的成立，将对高通的霸主地位形成挑
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联电CEO:Q1将为公司运营谷底 今年不配发股利
2月11日，据台湾媒体报道，继台积电CEO蔡力行指出，首季运营可能是谷底后，联电CEO孙世伟昨在股东说明会上进一步表示：“近期从公司内部的定单及出货情况来看，定单有改善且有急单出现，客户信心逐渐恢复，但急单是不
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英特尔投资70亿美元升级32纳米芯片技术
2月11日消息，英特尔计划在未来两年里投资70亿美元升级其在美国的工厂。这个迹象表明经济衰退还没有消灭芯片厂商追求高级设备的欲望。 英特尔首席执行官欧德宁本周二在华盛顿的讲话中宣布的这个投资表明半导体行业需
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移相全桥变换器的建模与仿真
本文主要是通过Buck变换器推导出移相全桥变换器的小信号电路模型，接着用MATLAB软件进行仿真，来判断系统的稳定性。
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英飞凌发布2009财年第一季度财务数据
近日，英飞凌在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部公布了截止到2008年12月31日的2009财年第一季度的财务数据（依照国际财务报告准则IFRS编制）。 英飞凌2009财年第一季度实现营收8.30亿欧元，环比下降28%，同比下降24
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2009年大陆晶圆代工厂抢攻台系MEMS订单
对于微机电系统(MEMS)市场，不仅台湾半导体厂商抱持高度兴趣，就连大陆晶圆代工厂同样十分关注，台系MEMS设计公司透露，继中芯国际(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圆代工后，再度有大陆晶圆代工厂加入MEMS晶圆代工行列。
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三星研制出首款40纳米内存 年内量产
继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后，三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。 据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相
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2008年Hynix巨亏32亿美元
在存储器市况恶劣的背景下，Hynix日前公布第四季度亏损9.64亿美元。 相比之下，去年同期亏损额为3.35亿美元，第三季度亏损12亿美元。 “DRAM价格下跌43%，NAND flash价格下跌18%，而位出货量DRAM为持平，NAND flas
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全球DRAM产业面临有史以来最冷冽的寒冬
受记忆体晶片严重供应过剩冲击,全球动态随机存取记忆体(DRAM)产业正处于有史以来最严重的下滑趋势. 在延续一年多的景气循环下滑趋势中,全球景气放缓近来更让情况雪上加霜,许多DRAM资金流失惨重,德国DRAM制造商奇梦达
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纽约州建造晶圆工厂 带来5千至1万新职位
据有关消息报道，从AMD公司的剥离出来的制造部分，与阿布扎比的ATIC公司共同组建，并获得纽约州政府12亿美元激励资金的The Foundry Company，将在纽约州的马耳他镇开始其建造晶圆工厂的新计划。该公司计划位于Luther
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无线集散医疗监护系统的设计
介绍一种能测量心电波、呼吸波、心率、呼吸率、体温、脉率、血氧和血压等多种生理参数的无线集散医疗监护系统。通过三个独立的OEM模块分别和一个具有控制、显示和无线收发功能的模块连接，实现上述参数的测量以及和上位机的信息交互。该方案设计的系统具有体积小、便于携带、分散控制、集中管理、开发周期短、性能可靠、易于维护、便于升级等优点。
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0．5μm CMOS带隙基准电路设计
依据带隙基准原理，采用华润上华(CSMC)O．5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压yD0==3．3 V，温度强25℃时，输出基准电压V~r=1．25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm／℃，电源电压的抑制比6(PSRR)=一58．3 dB。
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新型超高精度Z箔分压器电阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款新型超高精度Z箔分压器电阻 --- 300144Z 和 300145Z。这些电阻在55°C～+125°C（参考值为 +25°C）范围内具有±0.2 ppm/°C的低典型 TCR，0.1ppm/°C 的 TCR 跟
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螺钉安装式高电压圆盘电容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列螺钉安装式高电压圆盘电容器，这些器件为设计人员提供了多种直径和电容值选择，其额定电压为 10kVDC～40kVDC。 凭借低交流与直流系数，以及可忽略的压电/电致伸缩效
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