近日,英飞凌在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部公布了截止到2008年12月31日的2009财年第一季度的财务数据(依照国际财务报告准则IFRS编制)。 英飞凌2009财年第一季度实现营收8.30亿欧元,环比下降28%,同比下降24
对于微机电系统(MEMS)市场,不仅台湾半导体厂商抱持高度兴趣,就连大陆晶圆代工厂同样十分关注,台系MEMS设计公司透露,继中芯国际(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圆代工后,再度有大陆晶圆代工厂加入MEMS晶圆代工行列。
继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后,三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米),今年第3季度将实现量产。 据了解,40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相
在存储器市况恶劣的背景下,Hynix日前公布第四季度亏损9.64亿美元。 相比之下,去年同期亏损额为3.35亿美元,第三季度亏损12亿美元。 “DRAM价格下跌43%,NAND flash价格下跌18%,而位出货量DRAM为持平,NAND flas
受记忆体晶片严重供应过剩冲击,全球动态随机存取记忆体(DRAM)产业正处于有史以来最严重的下滑趋势. 在延续一年多的景气循环下滑趋势中,全球景气放缓近来更让情况雪上加霜,许多DRAM资金流失惨重,德国DRAM制造商奇梦达
据有关消息报道,从AMD公司的剥离出来的制造部分,与阿布扎比的ATIC公司共同组建,并获得纽约州政府12亿美元激励资金的The Foundry Company,将在纽约州的马耳他镇开始其建造晶圆工厂的新计划。该公司计划位于Luther
介绍一种能测量心电波、呼吸波、心率、呼吸率、体温、脉率、血氧和血压等多种生理参数的无线集散医疗监护系统。通过三个独立的OEM模块分别和一个具有控制、显示和无线收发功能的模块连接,实现上述参数的测量以及和上位机的信息交互。该方案设计的系统具有体积小、便于携带、分散控制、集中管理、开发周期短、性能可靠、易于维护、便于升级等优点。
依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)O.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明,在电源电压yD0==3.3 V,温度强25℃时,输出基准电压V~r=1.25 V。在温度范围为-45℃~+85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比6(PSRR)=一58.3 dB。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出两款新型超高精度Z箔分压器电阻 --- 300144Z 和 300145Z。这些电阻在55°C~+125°C(参考值为 +25°C)范围内具有±0.2 ppm/°C的低典型 TCR,0.1ppm/°C 的 TCR 跟
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列螺钉安装式高电压圆盘电容器,这些器件为设计人员提供了多种直径和电容值选择,其额定电压为 10kVDC~40kVDC。 凭借低交流与直流系数,以及可忽略的压电/电致伸缩效
TCF792是单相、三相通用数字相位控制触发电路。该器件具有高精度、易用、可靠、价格低廉以及性能优良等优点,而且可完全与TC系列和KJ系列所有的单相、三相移相触发电路相兼容,且价格低廉。给出了基于TCF792的晶闸管整流电路设计。
赛灵思(Xilinx)继与三星电子(SamsungElectronics)宣布45纳米制程携手合作之后,近日再传赛灵思为追求市场领先,下一代32纳米制程代工策略大转弯!代工评估名单除了新伙伴三星、既有伙伴联电外,劲爆的是过去从未往来
对于微机电(MEMS)市场大饼,不仅台湾半导体厂商抱持高度兴趣,就连大陆晶圆代工厂同样投注关爱眼神,台系MEMS设计公司透露,继中芯国际(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圆代工后,再度有大陆晶圆代工厂加入MEMS晶圆代工行列
加速TD发展 刻不容缓 TD是建立在我国自主知识产权基础上的国际标准,具有技术领先、频谱效率高并能实现全球漫游、适于网络规划和优化、适合各种对称和非对称业务、建网和终端的性价比高等五大突出优势。其重要意义只
欧胜微电子日前宣布为其非常成功的高性能数字模拟转换器(DAC)系列增添一款新品。这款编号为WM8742的新DAC以专业音频应用为目标,并满足了高端家用音频应用不断增长的需求,诸如A/V接收器、CD、DVD、超级音频光盘系