美光 HBM3E 比竞品功耗低 30%,助力数据中心降低运营成本
【2024年3月4日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装,将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管相结合,在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量,该功率半导体器件与威迈斯的车载充电器实现了高度适配。
先楫新一代的仪表显示产品具有高画质、低功耗等特点。
随着通用人工智能的发展,数据中心的计算需求逐步提高。针对多模态数据、大模型的推理和训练需要更高的算力支持,而随着算力提升与之而来的还需更关注在功耗方面的优化。对于头部云计算和服务厂商而言,针对专门用例提高每瓦性能变得至关重要。而这就需要其在CPU的IP微架构层面就开始着手优化设计,且需要极高的灵活性和丰厚的软件生态能力。Arm Neoverse系列正是迎合了这部分技术发展趋势,自推出至今,已经获得了诸多头部云服务厂商的认可,基于Neoverse推出的定制服务器CPU也帮助云服务客户获得了更具效益的计算服务。而在近日,Arm又推出了其全新的新一代Arm Neoverse N3和Arm Neoverse V3,并且同步提供了Arm Neoverse CSS N3和Arm Neoverse CSS V3;这也是Arm首次提供基于高性能的Neoverse V系列的计算子系统。
【2024年3月1日,德国慕尼黑和加利福尼亚州长滩讯】人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长,促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块,为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本(TCO)。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构,通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率,在满足AI GPU(图形处理器单元)平台高功率需求的同时,显著降低总体拥有成本。
具有10TOPS/W能效的新一代AI加速器无需冷却风扇,即可提供高达80TOPS的AI推理性能。
全新的高效率SiC模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
Bourns® SM91801AL 专为配合与 Analog Device 型号 LTC6815 系列、NXP 型号 MC33771C 系列和 Texas Instruments 型号 BQ79616 使用而开发
模数转换器,即Analog-to-Digital Converter,常称ADC,是指将连续变量的模拟信号转换为离散的数字信号的器件。大部分现实世界的电信号是模拟信号,ADC构建了模拟世界数字世界的联系。本文就模数转换器ADC的分类、技术点、测试方案等方面,为您提供相关技术说明及解决方案。
2024年2月29日,中国-意法半导体新推出了两款近距离无线点对点收发器芯片,让以简便好用为卖点的电子配件和数码相机、穿戴设备、移动硬盘、手持游戏机等个人电子产品互联不再需要线缆和插头接口,同时还可以解决在机械旋转设备等工业应用中传输数据的难题。
近期,备受瞩目的全球通信产业盛事MWC 2024(2024世界移动通信大会)正式拉开序幕。在此次大会上,联发科以“连接AI宇宙”(Connecting the AI-verse)为主题,展示了在AI技术与移动通信技术等领域的诸多创新成果,吸引了众多业内人士与媒体关注。特别是现场展示的生成式AI技术,更是激发了与会者的浓厚兴趣,纷纷争相体验。
专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。
TDK 公司(TSE:6762)推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同,同时从可靠设计角度出发,还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 (1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高),电感范围从1.0 nH至56 nH,将于2024年2月开始量产。
美光通过专有固件功能提升数据密集型应用体验,进一步巩固在 UFS 4.0 移动存储领域的领导地位
作为STM32高性能低功耗系列旗舰产品,STM32U5延续STM32F2/F4/F7的应用范围,同时又有更低的能耗,具有更高的性价比。在工业控制系统中,U5可以承担主控器、系统监控以及图形显示等核心职能。