为大功率应用提供可靠的电路保护,所需PCB空间减少约40%。
2023年8月10日,领先的高性能连接解决方案提供商Valens Semiconductor(纽约证交所代码:VLN,以下简称Valens)宣布,LG电子的汽车零部件解决方案部门选择将Valens的VA7000 MIPI A-PHY芯片系列,部署于其下一代摄像头系统项目,该项目是其数字驾驶舱电子解决方案的一部分,旨在为整车厂的先进驾驶辅助系统(ADAS)提供支持。预计从2026年开始,整车厂将能够从这项首次推出的创新解决方案中获益。
近日,ELEGOO爱乐酷带来了Mars 4、Mars 4 Ultra、Neptune 4Pro三款3D打印机,并将发布一款PHECDA激光雕刻机,多款新机型吸引了众多用户目光。
全新铠侠CD8P系列企业及数据中心NVMe固态硬盘支持E3.S和2.5英寸(U.2)两种标准外形规格设计,并针对其性能、延迟性和服务质量都进行了优化。
Bourns® GDT28H 系列 – 高性能 8 毫米超迷你气体放电管,为您的交流线路提供高绝缘电阻和卓越浪涌保护
随着智慧楼宇、智慧办公等数字化发展与管理概念的兴起,空间管理与智能照明、空调控制等多个能源管理方向,成为了各大企业提高建筑节能减排,提升办公空间全生命周期,实现企业精细化管理的重要一环。空间管理作为对于企业可持续发展,起着至关重要的作用。
【2023年8月11日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出TLE988x和TLE989x系列,进一步扩大其全面且成熟的MOTIX™ MCU嵌入式功率IC产品组合。英飞凌的系统级芯片解决方案将栅极驱动器、微控制器、通信接口和电源集成到一颗芯片上,实现了最小的占板面积。全新TLE988x 和TLE989x 系列具有更高的性能,其特点是以CAN(FD)作为通信接口。新型IC已通过 AEC Q-100 认证,是车身、舒适性和热管理应用中的车用有刷直流电机和无刷直流电机控制应用的理想选择。
罗德与施瓦茨(以下简称"R&S公司")率先向3GPP全球认证论坛(GcF)提交了5G Next Generation eca11(NGeca11)协议测试用例,公司还推出了新的5GNGeca11应用选项,模拟端到端一致性测试所必需的公共安全应答点(PSAP)功能以验证被测试设备的互操作性,确保完整的通信交换。R&Seca11产品系列的这两个新功能现在都支持对新的5GNextGenerationeca11系统进行早期测试,使用R&ScMX500一体化测试仪,有助于及时开展针对5GNGeca11进行相关研究。
近些年,国产MPU弯道超车越来越给力,芯片国产化,不再纯依赖进口,产品平台选型自主可控,未来国产化的主芯片平台产品将进一步蓬勃发展。为满足客户对入门级、低成本、高性能的国产需求,米尔电子推出国产入门级性价比T113核心板。这款国产核心板怎么样,到底有什么优势呢?
TSB582是意法半导体首款高压大电流双运算放大器,封装小巧(带裸露焊盘的SO8和带有裸露焊盘和表面可湿的DFN8)。我们的团队首先考虑将其用于电动车辆的旋转变压器,或具有高功率交流电机或无刷直流电机的其他应用(能将机械运动转换为电气数据),以确定电机位置并提高效率。此外,该运算放大器的尺寸以及与其他运算放大器的引脚兼容性使其成为一款出色的压电执行器通用器件。因此,我们在2023年全球嵌入式系统展上推出了TSB582并在驾驶模拟演示中展示了新款Toronto Technology Tour。
在许多应用场合,都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。在输出功率60W以内,工程会选用内置MOS的升压芯片,集成度高,外围元器件少。但是在更大功率的应用场合,如车载升压应用、户外大功率拉杆音箱等,需要升压电路将12V电源升压至24V~36V或以上,实现更大功率输出,内置MOS的升压芯片显然无法满足应用要求。
AI应用爆发促进了数据中心基础构架的发展,而HBM市场也将受益于此,据悉未来三年HBM的年复合增长率将超过50%。目前HBM技术最新已经发展到了HBM3e,而预期明年的大规模AI计算系统商用上,HBM3和HBM3e将会成为主流。
NeuPro-M提供业界领先的350 TOPS/Watt性能,以卓越的成本和能效为基础设施、工业、汽车、PC、消费产品和移动市场带来强大的生成式人工智能(Generative AI)
保护配备C型端口的消费电子产品免受CC/SBU过压、短路和ESD冲击
这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时,关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。