• 如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

    碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来它肯定会取代硅用于大功率应用。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序，以保证其清晰的激活或停用。通常，要关闭它，“栅极”和“源极”之间需要大约 20 V 的电压，而要打开它，需要大约 -5 V 的负电压(地)，并且开关驱动器必须非常快，否则会增加工作温度、开关损耗和更大的电阻 Rds(on)。

    电源电路
    2022-10-23
    碳化硅 (SiC) SiC MOSFET

  • 设计合适的电池管理系统，可以使电池平衡以延长电池的使用寿命

    为大型系统(例如电动自行车或储能)供电的电池组由许多串联和并联的电池组成。每个电池在理论上都是相同的，但由于制造公差和化学差异，每个电池的行为通常略有不同。随着时间的推移，由于不同的操作条件和老化，这些差异变得更加显着，通过限制其可用容量或潜在地损坏电池来严重影响电池性能。为了避免这些危险情况，重要的是通过称为电池平衡的过程定期串联电池电压。

    电源-能源动力
    2022-10-23
    电池管理系统 电池使用寿命

  • 如何设计电池管理系统，AFE系统介绍

    在过去十年中，电池供电的应用已变得司空见惯，此类设备需要一定程度的保护以确保安全使用。电池管理系统 (BMS) 监控电池和可能的故障情况，防止电池出现性能下降、容量衰减甚至可能损害用户或周围环境的情况。

    数字电源
    2022-10-23
    电池管理系统 AFE

  • GaN 晶体管的性能测试，器件GS61008T

    GaN晶体管是新功率应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 进行实验。

    功率器件
    2022-10-23
    性能测试 GaN

  • 如何在我们的项目中选择合适的 MOSFET 器件

    随着为个人计算机 (PC) 应用中的核心 DC-DC 转换器开发的同步降压转换器的开关频率向 1MHz-2MHz 范围移动，MOSFET 损耗变得更高。由于大多数 CPU 需要更高的电流和更低的电压，这一事实变得更加复杂。当我们添加其他控制损耗机制的参数(如电源输入电压和栅极驱动电压)时，我们需要处理更复杂的现象。但这还不是全部，我们还有可能导致损耗显着恶化并因此降低功率转换效率 (ξ) 的次要影响。

    功率器件
    2022-10-23
    MOSFET 功率器件

  • 使用LLC 谐振拓扑降低了开关损耗，提高了电源的工作效率

    在当前的全球能源危机中，重点是效率，电子产品正面临着在提供高性能的同时降低功耗的艰巨挑战。由于这场危机，世界各地的各种政府机构已经或正在寻求提高其各自规格中众多产品的效率标准。使用传统的硬开关转换器将难以满足这些效率规范。电源设计人员将需要考虑软开关拓扑以提高效率并允许更高频率的操作。

    功率器件
    2022-10-23
    电源效率 LLC 谐振拓扑

  • BMS到底是什么,不同设备BMS有什么区别？

    如果您使用过或查看过电池系统，您很可能听说过电池管理系统或 BMS。那么，如果它们都做同样的事情，为什么 BMS 价格从 10 美元到几千美元不等呢?一个适当的类比是问为什么机动运输系统的价格差异如此之大，在这一范围的一端是机动滑板，另一端是运输卡车。让我们仔细看看这个类比如何在电池管理系统中发挥作用。

    电源-能源动力
    2022-10-23
    电池管理系统 BMS

  • 瞬态负载为电力系统提供锻炼

    使用本设计实例中描述的快速动态负载来测试电力系统的瞬态响应可以揭示许多关键的运行特性。快速电流阶跃导致的电压偏差可以提供对稳压器相位裕度的深入了解。此外，对于距离负载点有一定距离的电源，瞬态测试可以帮助确定有效的串联互连电感、并联电容和 ESR。虽然商业电源的相位裕度通常由供应商验证，但添加远程感应通常会破坏电源的稳定性。互连电感和负载电容会在调节器控制回路反馈中引入额外的相移，从而影响稳定性。

    电源电路
    2022-10-22
    电力系统 瞬态负载

  • 使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-EPAD MOSFET参数介绍

    EPAD MOSFET 是一种有源器件，可在大量设计中用作基本电路元件。有许多电路可以利用它们。使用这些 EPAD MOSFET 器件的潜在设计和用途的数量仅受设计人员的需求和想象力的限制。

    功率器件
    2022-10-22
    低功耗设计 超低压 MOSFET

  • 频率折返工作方式：逐渐降低频率折返，及电流频率二级折返保护

    输出短路保护固定频率折返，折返工作频率高，输出短路保护效果会降低；折返工作频率低，系统甚至进入到非连续工作模式，虽然保护效果好，但有可能导致输出短路消除后输出电压无法恢复正常。如图1所示，输入24V、输出12V的 DCDC变换器，输出短路时，固定折返频率为正常工作频率的1/16，系统进入到非连续工作模式。

    松哥电源
    2022-10-20
    短路保护 工作频率 非连续工作模式

  • 在 IoT 应用程序中平衡内存性能和功耗

    为物联网应用选择电子元件的两个关键标准是功率预算和性能。自从电子产品问世以来，就一直在这两者之间进行权衡——要么获得最佳功耗，要么获得最高性能。根据应用程序，系统架构师对系统中的不同组件有不同的要求。例如，系统可能需要高性能控制器但低功耗存储器。一个典型的案例是可穿戴设备，其中控制器需要功能强大，但由于 SRAM 用作暂存器，因此预计它具有尽可能低的功耗。

    功率器件
    2022-10-19
    SRAM 物联网功耗

  • 修改我们的开关电源架构以改善瞬态响应，第二部分

    尽管输出电压随负载的变化在美学上令人不快，但该模型相对于前一个模型的优势是巨大的。它包含相同限制之间的输出电压，具有几乎两倍的 ESR，并且当我们将它们与允许的偏差进行比较时，误差源和纹波电压会变小，这通常是这种情况。将近两倍的 ESR 意味着输出电容器的数量几乎减少了一半，从而大大降低了成本和尺寸。剩下的问题是：我们如何设计电源以具有此特性?

    电源
    2022-10-19
    开关电源 瞬态响应

  • 修改我们的开关电源架构以改善瞬态响应，第一部分

    开关电源通常具有严格的静态调节规范。使用广泛可用的精密基准，我们无需任何初始调整即可在工作温度范围内轻松实现 ±1% 的精度。我们还必须处理电源的动态调节规范，制造商通常将其指定为瞬态负载的最大允许偏差，该瞬态负载具有规定的电流阶跃和规定的最大允许压摆率。这些规格以及恢复时间定义了瞬态后输出电压需要多长时间才能恢复到静态限制范围内。

    电源
    2022-10-19
    开关电源 瞬态响应

  • 使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-亚阈值电压操作

    在阈值电压或低于阈值电压时，EPAD MOSFET 在称为亚阈值区域的工作区域中表现出关断特性。这是 EPAD MOSFET 传导通道根据施加的栅极电压快速关闭的区域。由栅电极上的栅电压引起的沟道呈指数下降，因此导致漏极电流呈指数下降。然而，通道不会随着栅极电压的降低而突然关闭，而是以每十倍电流下降约 110 mV 的固定速率下降。

    功率器件
    2022-10-18
    低功耗设计 超低压 MOSFET

  • 使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-增强型 EPAD MOSFET

    ALD1148xx/ALD1149xx 产品是耗尽型 EPAD MOSFET，当栅极偏置电压为 0.0V 时，它们是常开器件。耗尽模式阈值电压处于 MOSFET 器件关断的负电压。提供负阈值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在没有电源电压且 Vgs = 0.0V 的情况下，这些 EPAD MOSFET 器件已经开启，并且在源极和漏极端子之间表现出受控的导通电阻。

    功率器件
    2022-10-18
    低功耗设计 超低压 MOSFET
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