• 使用超低压 MOSFET 阵列进行电路设计-“零阈值”模式设备

    寻求在电路设计中实现更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势,这给电气工程师带来了艰巨的挑战,因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来,工程师们一直将这些特性视为基本特性,并可能阻止他们最大限度地扩大可用电压范围,否则会使新电路取得成功。

  • 关于氮化镓实际使用的热管理方面讨论

    所以,我想说这个概念是完全可扩展的。因此,我们可以为低功率制作非常高的 RDS (on) 部件,或为高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通过简单地重塑设计,它可以扩展到低电压,但这个概念是成立的。这就是我们基本上认为我们已经实现了最初目标的方式。

  • 使用更高功率来进行射频抗扰度测试

    如今,无论生活亦或是工作环境中都充斥着大量不同频率的电磁场,各个电子、电气设备在同一空间中同时工作时,总会在它周围产生一定强度的电磁场,比如电视发射台、固定或移动式无线电发射台以及各种工业辐射源产生的电磁场。

  • 新的 SMU 可优化物联网和半导体的电池寿命

    罗德与施瓦茨宣布进入源测量单元 (SMU) 市场,推出两款新仪器,用于分析和优化物联网 (IoT) 应用和半导体元件测试的电池寿命测试。

  • 对话恩智浦:有关电动汽车的电气化和电池管理

    汽车电气化正在兴起,随着世界各国政府试图实现可持续发展目标,它可能会继续增长。本文摘录了与恩智浦半导体执行副总裁兼高级模拟业务线总经理 Jens Hinrichsen 就汽车电气化的各个方面的对话——从技术方面,包括电池管理,到增长的挑战,包括解决范围焦虑等因素,这是一种常见的消费者犹豫。

  • 我们如何看待未来几年的 GaN?

    我们如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以,我提到了碳化硅。因此,这些天来,我们也在谈论电动汽车。那么,与其他解决方案相比,GaN 在哪些方面可以提供更好的价值呢?我们期望在哪里看到下一波增长?

  • 火灾的发生,让我们重新思考高效的电气化(1)

    穴居人发现了火,而人类通过发明来进化这一发现,为我们照亮道路、烹饪食物并让我们保持温暖。但现在,我们都同意我们需要改变我们对能源的看法:它是如何产生、使用的,如何提高效率。近几十年来,许多进步包括来自可再生能源的清洁能源、以前依赖燃烧燃料的事物的电气化以及对能源效率的关注。随着我们向万物电气化迈进,人类与火的这种亲密关系将会消失,因为未来人类将看不到明火。这是一个相当大的偏离!当前这一代工程师将不再需要火。

  • 火灾的发生,让我们重新思考高效的电气化(2)

    我们会在不久的将来看到镓的高压应用吗?或者我们可以在哪里做一些事情,比如通过氮化镓芯片运行列车级电压?

  • GaN 半桥集成加速电力电子革命

    功率半导体的第二次革命五年后,基于氮化镓 (GaN)的移动快速充电器主宰了旗舰智能手机和笔记本电脑型号,从传统功率硅芯片中抢占了市场份额。这种下一代“宽带隙”技术正在逐步进入主流移动应用程序,同时从该滩头市场突围,进入更高功率的消费者、太阳能、数据中心和电动汽车。一个新的电源平台——集成的、功能丰富的、高效的 GaNSense™“半桥”——是高功率、高速应用的基本组成部分,其中 GaN 不仅提供更小、更快速的充电和降低系统成本的应用,而且还可以节省大约 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。

  • 使用宽带隙半导体为电动汽车供电,第一部分

    车辆电气化是减少道路交通温室气体排放计划的关键部分。与传统的硅替代品相比,宽带隙半导体具有多种优势,因此可以改进电动汽车和混合动力汽车。在这个与 FTEX 的联合创始人兼首席技术官 Alexandre Cosneau 的讨论中,我们将发现电动汽车的动力总成技术和 GaN 的优势。Cosneau 正在寻找优化电源转换的方法,从电池设计到电机效率,这对 FTEX 技术和解决方案至关重要。

  • 设计节能螺线管驱动器:设计理念

    螺线管是机电致动器,具有称为柱塞的自由移动磁芯。通常,螺线管由螺旋形线圈和铁制成的动铁芯组成。 当电流通过螺线管线圈时,它会在其内部产生磁场。该磁场产生拉入柱塞的力。当磁场产生足够的力来拉动柱塞时,它会在螺线管内移动,直到达到机械停止位置。当柱塞已经在螺线管内时,磁场会产生力将柱塞固定到位。当电流从螺线管线圈中移除时,柱塞将在螺线管中安装的弹簧推动下返回其原始位置。

  • 集成IC简化了移动平台中的电源管理

    移动电话和平板电脑等便携式设备需要电源管理技术来满足日益具有挑战性的性能要求。消费者正在以新的方式使用智能手机:他们希望显示高清 GPS 视频和地图;进行双向视频通话;玩更吸引人的游戏;和流音乐。此类应用的片上系统 (SoC) 项目还必须符合严格的散热目标,同时满足长电池寿命要求。

  • 使用耗尽型 MOSFET作为启动电源设计介绍

    金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种电压控制器件,由源极、漏极、栅极和主体等端子构成,用于放大或切换电路内的电压,也广泛用于数字应用的 IC。此外,也用于放大器和滤波器等模拟电路。MOSFET的设计主要是为了克服FET的缺点,例如高漏极电阻、中等输入阻抗和运行缓慢。MOSFET有增强型和耗尽型两种。本文主要介绍耗尽型MOSFET,以及它的使用场景。

  • 更轻松地调整高功率 CPU 电源中的负载瞬态

    在大功率 CPU 的电源应用中,我们如何解决负载瞬态调整的耗时问题 在 DC-DC 电压转换器中,最具挑战性的电源轨之一是 CPU。CPU 的电流瞬变具有非常高的电流阶跃和高转换率。CPU 电源轨还需要总和高达数 mF(通常约为 4mF)的输出电容器,这增加了解决方案的尺寸和成本。

  • 电源瞬态缓冲器支持 IC 和电路测试

    没有一些专门设备的情况下,测试和测量 IC 或电路在电源瞬态方面的性能是一项棘手的任务。输入电压源不仅需要以受控方式改变,而且还必须能够提供足够的电流来调节输入电容并为被测电路供电。

发布文章