固态锂技术将提供快速充电能力,同时为无线通信提供大电流脉冲。锂离子微型电池最多只能提供两倍的额定电流,因此产品设计人员倾向于使用更高容量的电池来满足脉冲电流要求。固态锂微电池通过提供超过 10 倍的额定容量解决了这个问题。
固态锂微电池将改变小型连接设备的设计和供电方式,但需要了解它们的工作原理。 虽然电动汽车 (EV) 行业正在积极探索固态锂电池的使用,但该技术尚未开始向估计每年出货的 10 亿多个可穿戴设备、可听设备和物联网传感器迁移。随着专为小型连接设备设计的可充电 1 毫安时 (mAh) 至 100 mAh 固态锂微电池的出现,这种情况即将改变。
Assodel 和 Consorzio Tecno 以及 Special-Ind 组织了一场活动,分析充电站的技术和市场。意大利电子供应商协会 Assodel 执行董事 Diego Giordani 与 Special-Ind 战略营销总监 Maurizio Maitti、Battery Industry 博客创始人兼总监 Marco Pinetti、Omar Imberti 等其他嘉宾主持了小组讨论。 Anie E-mobility 集团的 Scam 和协调员,以及 Tecno 的数据分析师 Michele Arena。
东京理科大学(TUS) 的研究人员开发出一种新型电解质材料,可提高室温下镁离子的导电性,为下一步开发镁离子 (Mg 2+ ) 电池铺平道路。研究人员表示,作为锂离子的低成本替代品,Mg 2+电池由于室温下固体中镁离子的导电性差而面临巨大障碍。
在许多情况下,AC/DC 电源旨在支持工业和医疗应用的高可靠性要求。最近的一个例子是 Cosel Co., Ltd. 的 AEA600F 系列 600-W 自由空气对流冷却电源。这些开放式框架 AC/DC 电源可为医疗和医疗提供 300% 峰值功率长达 1,000 ms工业应用。该公司表示,这支持了电源在高峰运行期间提供额外电力的需求,这是动态负载(如电机启动时)的要求。
质子交换膜或聚合物电解质膜 (PEM) 燃料电池是将氢和氧转化为水和电的装置。它是氢经济的一项非常重要的技术。它在低工作温度下运行,可用于能源生产。这种电池构成了一个电化学系统,由于其反应物而产生电力。虽然 PEM 燃料电池中发生的反应非常复杂,但可以使用计算机系统对其进行模拟。让我们一起探索如何以电子方式重现燃料电池模型。
在离线原型设计中,受控电子驱动器(电机、转换器和传感器)的模型被添加到我们的方案中,并在 Simulink 中对生成的模型进行仿真。值得指出的是: 1 st,e-drive 模型被放置在中断驱动控制 ISR 块之外,因此它将根据固定或可变步长求解器的设置计算为时间连续系统。模型; 第二,为了完全符合控制 ISR 的目标微依赖实现,也必须从信号开始模拟其驱动 I/O 信号的外围设备(ADC、QEP、PWM...)的特性属性。
原型制作步骤在满足电气驱动控制中对性能、安全性和灵活性日益严格的要求方面发挥了重要作用。特别是,由于许多部门提出的解决方案的创新性和复杂性不断增加,因此必须进行快速测试和实验验证,以缩短上市时间并确保适当的性能和效率 。
许多模拟系统必须以出色的保真度或低失真适应非常大范围的信号幅度。同时,一些信号链组件被过大的信号损坏。一个示例是模数转换器(ADC) 输入。对于像ADC16DV160这样的高性能 ADC ,其中一个 Vin 引脚上的绝对最大输入电压为 2.35-V。
幸运的是,现代电子技术与大量控制理论相结合,使得控制速度变得相对容易。与转矩和位置一样,速度是通常建立的三个基本电机参数控制回路之一。需要精确速度控制的示例电机应用包括冷却风扇、硬盘驱动器、激光打印机和装配线传送带。在这些类型的应用中,在不同负载下保持恒定速度至关重要。
人类最原始的冲动是前进,让事情变得更好、更快、更大。我们在半导体行业看到了同样的人类趋势,嗯,除了更大,在电子世界中实际上更小。一旦晶体管被发明出来,早期的先驱者就会问:“我们可以在同一个芯片上放置多个晶体管吗?” 导致杰克·基尔比发明了集成电路。如今,电源管理单元 (PMU) 将数量惊人的电路集成到单个 IC 中,更好、更小、更快地实现了这一目标。
最流行的 e-mode HEMT 结构是在栅极上使用 p-GaN 层。实现的典型 Vt 在 1-2 V 范围内。HEMT 在开关应用中的固有优势得以保留,并且开关损耗可以更低。e-mode 器件的主要缺点之一是其低 Vt,这可能导致栅极对噪声和 dV/dt 瞬态的抗扰度较差。出于可靠性原因,最大栅极电压通常限制为 6-7 V,并且可能需要负电压来关闭器件。
氮化镓 (GaN) 功率器件在几个关键性能指标上都优于硅 (Si)。具有低本征载流子浓度的宽带隙允许更高的临界电场,从而允许在更高的击穿电压下具有降低的特定导通电阻 (Rds on ) 的更薄的漂移层。导通损耗可以通过较低的 Rdson 降低,而动态损耗可以通过GaN可能的更小的裸片尺寸来降低. 当它与铝基异质结构结合时形成二维电子气 (2DEG) 的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件。
从智能设备充电器等低功率、低成本应用一直到高功率汽车应用,氮化镓 FET 正成为许多产品的广泛首选。大多数情况下,设计人员对 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻,这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而,高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术,因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。
我有一个朋友喜欢世界各地的最新技术。带着对 3D 打印机的狂热,他最近邀请我去他的公寓欣赏他的新杰作,一台自制的 3D 打印机。嗯,他确实很好地为我打印了一只三条腿半个头的小狗,但真正引起我注意的是他的打印机在制作小狗时发出的小声响。因此,在赞扬了他的出色工作之后,我们花了一些时间讨论导致这种噪音的原因。