电源
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提高 xEV 牵引逆变器系统的安全性
电动汽车设计人员可以通过监控栅极电压阈值来提高牵引逆变器系统的安全性和可靠性。 当消费者购买汽车时，他们认为设计工程师尽职尽责地创造了一款安全的产品。为了达到必要的安全水平，特别是在国际标准化组织 (ISO) 26262 标准方面，车辆内的子系统(例如牵引逆变器)必须包括内部诊断和保护功能，以帮助检测潜在的故障模式。
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TI的最新反激式控制器器件LM51561、LM34966-Q1、LM51561H-Q1
LM51561具有扩频功能的 2.2MHz 宽输入非同步升压、SEPIC、反激式控制器 LM5156x(LM5156 和 LM51561)器件是一款宽输入范围的非同步升压控制器，采用峰值电流模式控制。该器件可用于升压、SEPIC 和反激式拓扑。
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TI锂电池充电管理IC介绍，BQ25170和BQ25170-Q1
BQ25170 是一款集成式 800mA 线性充电器，适用于针对空间有限的便携式应用的 1 节锂离子、锂聚合物和 LiFePO 4电池。该设备具有为电池充电的单个电源输出。系统负载可以与电池并联，只要平均系统负载不会阻止电池在安全定时器持续时间内完全充电。当系统负载与电池并联时，充电电流在系统和电池之间共享。
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专业的工业ACDC小体积电源设计介绍
Powerbox 推出了用于工业应用的1,200 W AC/DC 电源。OFI1200A 针对传导冷却进行了 优化，无需使用风扇即可在 –40°C 至 95°C 的基板温度范围内提供高性能。该电源可在 85 至 305 VAC 的宽通用输入范围内工作，并具有功率因数校正 (PFC)。
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最新几款小体积医疗行业使用的ACDC电源介绍
用于医疗和工业市场的 AC/DC 电源变得越来越小，并实现了更高的功率密度。 无论 AC/DC 电源是开放式还是封闭式，甚至是桌面适配器，用于医疗和工业应用的最新电源设备都有一些共同点：它们提供更小的解决方案尺寸并实现更高的功率密度，同时提供更高的效率。
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适用于小尺寸面板的 ESD 和 EOS 解决方案
小尺寸面板主要包括手机触摸屏、平板触摸屏、数码相机触摸屏。这些面板和主板之间最常见的数据连接接口是MIPI(移动工业处理器接口)。通过加入 TVS 保护方案，提高 ESD 和 EOS 耐受水平，可以大大降低电子产品在日常生活中受到干扰甚至破坏的机会，从而延长产品的使用寿命，降低返修率，允许消费者对产品的信任度更高，品牌美誉度也随之提高。
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建立SiC VJFET 的动态电路模型
在与电子仪器相关的行业中，与传统的硅基半导体相比，宽带隙半导体的创新已被证明是有利可图和有效的。碳化硅 (SiC)宽带隙半导体是最先进的半导体之一，具有显着的相关性。这些半导体在各种参数(如高温、频率、电压等)方面表现相当出色。
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用于毫米波 (mmW) GaN HEMT 器件的基于 TCAD 的协同设计方法
毫米波技术领域的不断进步因其波长减小和频带宽而对无线通信系统做出了贡献。这使制造商能够设计更小但性能更高的组件。氮化镓已证明自己在该领域是一种很有前途的半导体，其目标应用包括高功率放大器、宽带放大器和5G无线网络。
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什么是半导体？半导体材料具有与绝缘体和导体相同的导电特性
半导体材料具有与绝缘体和导体相同的导电特性。它们可以由纯元素(如硅或锗)组成，也可以由两种元素(如砷化镓或硒化镉)混合而成。半导体材料可以通过在纯半导体中添加杂质来掺杂，从而改变它们的导电性能。
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老化测试有助于面对 SiC MOSFET 的不稳定性
在本文中，我们将重点介绍老化测试如何帮助评估碳化硅 MOSFET 在晶圆级的栅极阈值电压的稳定性。众所周知，关于 SiC 功率器件可靠性的一个主要问题是器件工作期间阈值电压 (V TH ) 的变化。
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Infineon具有高度集成控制器的车内无线充电解决方案
无线充电技术的范围从感应、磁共振和电容到射频辐射、激光、声学和其他新兴技术。电感耦合技术是领跑者1;因此，其相关的Qi 标准在无线充电中最为流行。 感应充电根据法拉第定律工作，其中功率发射器 (PTx) 线圈中的交流电会产生交变磁场。然后，该磁场与功率接收器 (PRx) 线圈相互耦合，并转换回交流电流，为连接在接收器侧的直流负载进行整流。
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Power Integrations (PI)在线电源的平面变压器设计
电力电子转换器在电气化功能的趋势中发挥着更大的作用，因为它们不断需要以更便宜的成本、更小的体积和更高的可靠性提供更多的电力。 Power Integrations (PI) 在 PI Expert 中推出了一项新功能，该在线设计工具可根据用户的规格自动生成优化的电源设计。现在可以使用 PI Expert 中的平面磁性构建器创建一个特定于应用的平面变压器设计，其中包含印刷电路板 (PCB) 制造商准备好的文档和 Gerber 文件。最新版本的PI Expert现已支持 PI 的整个 InnoSwitch3 反激式切换器 IC 系列。
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带有基于 PCB 的变压器的 SiC MOSFET 隔离栅极驱动器
本文将介绍一种用于 3.3kV SiC MOSFET的基于变压器的隔离式栅极驱动器。两个 VHF 调制谐振反激式转换器，工作频率为 20 MHz，可生成 PWM 信号和栅极驱动功率。
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驱动和保护电源开关的先进解决方案
今天，新的功率开关技术被广泛采用在高功率密度、高开关频率、小外形因素是关键要求的要求应用中。这些新的开关设备产生不同的三个关键应用是
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比较可堆叠 DCDC 降压转换器和多相控制器的功率密度
TI 比较了可堆叠 DC/DC 降压转换器和多相控制器的功率密度，着眼于尺寸、散热、效率和成本。 鉴于能够有效支持大于 30 A 输出电流的 DC/DC 转换器数量有限，设计工程师主要依靠带有外部场效应晶体管 (FET) 的多相降压控制器来实现大电流应用。
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