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  • 尔必达：希望分文不花整并台日DRAM产业

    台、日DRAM产业集成议题沸沸扬扬多时，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄首度吐露真心话表示，假如台、日DRAM产业双方真的进入集成及合并阶段，尔必达并不希望花任何1毛钱，希望能用股权交换方式来进行，若能集成成功，尔必达在全球市占率将可超过40％，直逼三星电子(SamsungElectronics)龙头地位。至于台厂庞大债权归谁，尔必达内部希望以债做股方式一笔勾销，盼银行团能同意拿债权换股。业界对此认为，尔必达这招颇有公开逼亲意味。尔必达这次来台发行台湾存托凭证(TDR)，被业界视为台、日DRAM产业集成第1步，从尔必达在2011年初宣布要发行TDR开始，面对DRAM报价二度崩盘，多家DRAM厂顿失筹资能力，很多集成议题再度被挑起，但台厂始终不愿正面回应，坂本幸雄在公开场合亦仅表示，一切还未有具体细节。不过，坂本幸雄24日在面对DRAM产业集成议题时，一开始先表示目前很多细节都还在谈判，没有最后定案，但时程越快越好，但最后他终于首度吐露真心话表示，假如台、日业者真的进入集成及合并阶段，尔必达希望藉由股权交换方式，目标是能不花任何1毛钱来达成集成。坂本幸雄指出，台、日DRAM产业能顺利集成，涵盖尔必达、力晶、瑞晶、茂德等产能，有信心全球市占率可到40％以上；这亦意味尔必达将藉由这次拉拢台湾产能策略，让尔必达一举站上挑战三星龙头的制高点。不过，力晶和茂德旗下12寸厂产能固然诱人，然一旦集成后，庞大负债该由谁来承担，尔必达已讲明不想出任何钱，力晶和茂德本身亦无多余资金，一切关键点仍是丢回给债权银行团，尔必达内部一直希望银行团能同意用债权换股权方式，将债务一笔勾销。存储器业者认为，现阶段台、日DRAM产业实力，与2008年底政府宣称要进行台、美、日大集成时，早已大不如前，尤其台DRAM厂经过这2年喘息后体质并未转佳，尔必达却藉著MobileRAM翻身，且逐一收编台DRAM产业12寸厂产能，现在要与尔必达谈条件，台湾处境确实居于弱势。另外，台、日DRAM产业集成棋局走到这一步，多数DRAM厂都已不具主导权，关键球又回到债权银行身上，债权银行背后则是政府的指导棋。从尔必达宣布要来台发行TDR开始，不断传出要合并瑞晶、茂德、力晶等消息，但台、日双方都不愿意证实或承认，虽然屡次传出尔必达希望以债作股来解决负债问题，但银行团并未同意，一切都未获得公开证实。存储器业者指出，坂本幸雄这次公开表示希望能不花1毛钱就完成集成，若不是与银行团及政府方面有默契，就是希望用这种方式公开逼亲，给台湾方面压力，毕竟现在台DRAM厂手上筹码已不多，如果2011年再无法顺利募资做制程转换，与三星、美光之间技术差距会越拉越大，最后恐将毫无竞争力可言，在此时摊牌应是看准台厂已无后路。

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  • 2010年电子元器件市场行情分析

    2010年的电子市场总体是量价齐扬、行业景气迅速攀升的一年。整个中国电子行业在外部环境好转、内需迅速唤醒并且一直强劲、市场热点产品不断出现等因素的影响下，行业保持较快增长。 根据华强北•中国电子价格指数网监测的一手资料显示，2010年电子行业的价格一反上一年的萎靡不振形势，出现节节攀高，月度同比指数除了3月份几乎接近之外，全年都处于较高水平。同比指数的节节攀高，并在7月份出现峰值，说明剔除季节性影响因素之外，电子行业的价格出现了明显的上涨。 电子市场平均价格由于缺货等原因，出现大幅度的攀升。四大板块指数在二季度一致性上扬，电子元器件成为领涨指数，最高涨幅达8个点。而其下辖电子元件在二季度价格波动非常大，部分产品有价无市，某些产品出现翻倍涨价。缺货、涨价是今年以来市场上的热门关键词，市场上有部分板块产品，由于缺货导致价格翻番上涨，部分有预见性的商家，赚得是盘满钵满。 电子元器件 在电子行业中，电子元器件毫无疑问占据半壁江山，该板块的价格走势引领着整个电子行业的动向。下游产业的价格定位虽然受市场供给的影响，但作为电子产品上游产业的电子元器件的价格走势，对其产生根本影响作用。从华强北电子市场价格指数研究中心监测的数据显示，电子元器件市场全年以来市场发展态势较好。第一季度市场出现淡季不淡，第二季度增长趋势非常明显，三季度高位运行，四季度价格维稳下探。 电子元器件价格指数在今年的7月份，出现108.8点的峰值，创出历史新高点，月度同比指数也达到全年最高点。上半年呈现出喜人的上升局面，凸显市场活力一面。据分析得出，其中有两个因素：一是产业政策扶持的因素，家电下乡、汽车销售等拉动电子消费，全球终端市场需求旺盛，这就赋予电子元器件行业快速增长的推动力；二是行业复苏的牵引力，随着全球经济逐渐复苏，行业荣景初现，半导体、TFT-LCD、集成电路等主要行业成长良好。 集成电路 相比09年除了接近年尾的小高峰，全年没什么起色的市场行情不同，2010年的集成电路先抑后扬，后期市场高位缓慢下探，价格指数值高峰出现在7月份的105.98，年底价格下滑的动力不强。旗下众多细分类别，价格涨跌交替，部分指数价格走势拐点出现在7、8月份，代表产品有CPU、MCU等。有些类别全年价格涨跌交替，没有明显的拐点，代表类别有芯片、逻辑电路、数字电路等。还有部分类别产品全年几乎保持一致上涨形势，代表类别电源电路、放大器、DSP等。 分立器件 作为半导体产业的两大分支之一，半导体分立器件具有广泛的应用范围和不可替代性，也具有稳定的市场空间。在市场需求上，由于分立器件品种多，应用范围广，通用性高、技术相对成熟，市场发展平稳，产品更新换代较慢，采购渠道和资源丰富等特点，促使销售额一直比较稳定的增长。 从监测的价格指数数据可以看出，09年分立器件价格总体上有了10百分点的增幅，全年一直保持较均匀的增长趋势。2010年的分立器件市场价格在整体电子行业价格看涨声中，也水涨船高，出现大幅度攀升现象。价格在二季度涨势最明显，最大月度涨幅高达11个百分点，此后价格在7月份上升至128.7，创历史新高。此后价格一路下滑，今年底，下降速度有减缓势头，但12月份的同比价格依然具有显著优势，高出10个百分点。 电子元件 电子元件在整个电子基础产业中所占的市场份额不大，但是对于电子产品来说，是必备板块，市场上产品型号数以万计。整体价格在2009年平稳微幅度上涨基础上，2010年价格出现一季度下滑，二、三季度大幅上涨，而第四季度开始出现明显回落的走势。电子元件的价格在二季度呈“V”字型强力反弹，从4月份始，价格节节攀高，市场大面积涨价一直持续到8月份。旗下电容器价格持续稳定的上涨，对于整体电子元件行业价格的上涨功不可没。其中，在4月下旬，由于某些权重型号出现价格翻倍上涨，拉动总体指数出现近17个百分点上涨。此后，价格一直稳定在高位。电子元件价格指数在8月份出现历史最高值，报点115.47，环比指数上涨近6个百分点，而同比指数上涨高达19个百分点。 电容器 相比09年价格的稳定走势，电容器在2010年价格走势显得格外跌宕起伏。3、4月份短暂大幅下滑之后，价格迅速上涨，5月份位居涨幅位居前位，涨幅最高达20多个百分点，成为电子元件价格指数上涨的助推指数。后期接连几个大幅度上涨，指数值在8月份冲击最高点109.11，此后，价格明显回落，到年底平均价格已经下降到09年以下的水平。 电容器今年上半年电子市场的大体走势，与去年预期相差并不太大，一季度电子市场整体价格呈现温和上涨，涨价主要原因是缺货。缺货现象在今年4、5月份反映更明显，导致部分型号有价无市，部分型号呈现翻番的涨价，从而促使电子市场价格指数在3、4月份明显上升走势。今年头5个月，电容器的价格指数呈现V型走势，价格在4月中旬出现强力反弹现象，旗下众多型号，出现大面积涨价。今年一季度开始，电子行业掀起缺货潮，而4、5月份缺货不但没得到改善，反而出现更严重现象。电容器总指数上涨幅度出现20多个点的反常现象，缺货及有意囤货惜卖让部分型号价格翻番。 四季度电容器价格出现明显下滑，并不是所有的电容器价格都在大幅度滑坡，也有部分产品价格还是维持上涨走势，代表类别就有铝电解电容器。铝电解电容器的价格将呈上升趋势，原因是原材料（铝，纸张等）、能源成本（阳极铝箔生产成本的主要组成部分）的花费上升，与此同时，中国劳动力成本上升也很快，预计未来几年还会继续上升。钽电解电容情况也与之类似。 电阻器 2010年电阻器的价格走势呈现不对称的“∧”型走势，8月份成为价格上涨的拐点。相比09年及其稳定的价格走势，今年的价格显得更加大起大落，8月份以前，价格月度环比指数一直保持大于1的态势，增长率在2季度大幅提高，指数值最大涨幅近10个百分点。8月之后，价格一路滑坡，一直到年底未见止跌趋势，价格整体水平恢复到今年的4、5月份左右。 由于手机市场、个人电脑和通讯市场的驱动，市场对电阻的需求持续强劲。每一个新手机可以使用400多个芯片电阻，而一个电脑则可以使用多达1000个。交货时间和价格将保持相对平稳，一些0201封装产品的交货时间和价格有小幅增加，供应商们正在增加产量。同时原材料上涨和市场缺货，电阻器价格逐月上升，指数在4月下旬突破100点之后，大幅攀升，从而出现8月份125点的高峰。  

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  • 芯片制造三巨头的次世代光刻技术战略异同分析

    台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头，不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言，在提供的产品方 面，Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务（至少从对外公布的路线图上看是这样），而相比之下，台积电的28nm制 程则有HKMG和传统的多晶硅栅+SION绝缘层两种工艺可供用户选择。另外，两者对待450mm技术的态度也不相同，台积电是450mm的积极推进者， 而Globalfoundries及其IBM制造技术联盟的伙伴们则对这项技术鲜有公开表态。不过我们今天分析讨论的重点则是其次世代光刻技术方面的战略异同。   资料图片：Mapper lithographics公司的E-beam tool   三家公司光刻技术策略的异同对比： Globalfoundries，台积电以及Intel三家在光刻技术方面的策略各有不同。其中台积电一直对无掩模的电子束直写技术最为热衷，但是他们最近对EUV技术的态度忽然变得热烈起来。而Intel则对EUV技术十分看重，将其视为下一代光刻技术的首选(Intel的EUV投入量产时间点大概也定在2015年左右），当然两家公司对电子束直写以及EUV也均有投入研究力量，但是侧重点则有所不同而已。相比之下，Globalfoundries则与台积电对比鲜明，他们对EUV技术显得非常热衷，不过他们对电子束直写的态度最近开始变得热烈起来。 传统的光刻技术领域，台积电主要使用ASML生产的光刻机，而Globalfoundries则脚踩ASML/尼康两只船。自从45nm节点起，Globalfoundries便一直在使用193nm液浸式光刻机，他们认为193nm液浸式光刻技术至少可以沿用到20nm节点。相比之下Intel则32nm节点起才开始使用193nm液浸式光刻机，此前使用的是193nm干式光刻技术，Intel曾经表示过准备把193nm液浸式光刻技术沿用到10nm节点。 Globalfoundries的次世代光刻技术攻略详述：20nm节点两种光刻技术可选？？ GlobalfoundriesEUV技术的热衷程度与台积电形成了鲜明的对比。去年Globalfoundries跳过ASML的预产型EUV光刻机，直接订购了ASML的量产型EUV设备。据Globalfoundries高管Harry Levinson介绍，他们计划在20nm节点为用户提供分别采用两种不同光刻技术的选择。 第一个选择是使用193nm液浸式光刻+双重成像技术（以下简称193i+DP）制造的20nm制程产品，另外一个选择则是使用EUV光刻技术制造的20nm制程产品。 据Harry Levinson表示，理论上讲，193i+DP的光刻速度相对较慢，成本也相对较高，不过EUV光刻技术则急需解决曝光功率，掩模方面的问题。 Globalfoundries的计划是2012年安装自己从ASML订购的量产型EUV光刻机，并于2014-2015年开始将EUV光刻技术投入量产。不过按照计划，Globalfoundries会在2013年推出基于22/20nm制程的芯片产品。这样推断下来，至少在Globalfoundries将EUV光刻机投入量产的2014年前，他们的20nm制程产品只能使用193i+DP技术来制造。 不过Levinson并没有透露20nm节点之后Globalfoundrie在量产用光刻技术的布局计划，但令人稍感意外的是，他们最近似乎开始热衷于研究电子束直写等无掩模型的光刻技术。对小尺寸晶圆以及ASIC即专用集成电路器件而言，无掩模技术显得更适合作为下一代光刻技术使用。 台积电的次世代光刻技术攻略详述：16nm节点还是未知数 与Globalfoundrie类似，台积电也在40nm节点开始使用193i光刻技术，台积电计划将这种技术沿用到28/20nm节点，至于16nm节点，台积电则表示还在评估193i+DP，EUV以及无掩模光刻这三种技术的优劣。  台积电过去对EUV技术的热乎劲一直不是很高，但是最近由于在无掩模光刻技术的研发上遇到一些困难，因此他们似乎又开始重视这种技术。台积电纳米成像部的副总裁林本坚表示：“台积电16nm制程节点会是EUV或者无掩模光刻技术的二选一。而最终哪项技术会胜出则取决于其‘可行性’。” 台积电不准备脚踏两只船，同时走EUV和无掩模技术两条路。他们曾一度大力支持无掩模技术的发展，并曾积极投资无掩模技术的设备厂商 Mapper Lithography，后者还曾在台积电的研究设施中安装了一台5KeV功率的110-beam电子束光刻设备，并使用这台机器成功造出了20nm制程级别的芯片。不过这台机器仍为“Alpha”试验型产品，不适合做量产使用。 但台积电最近在光刻战略上有了较大的转变，他们最近从ASML那里订购了一台试产型NXE:3100 EUV光刻机,这台光刻机将在今年早些时候安装到台积电的工厂中， 林本坚为此表示：“EUV技术的研发资金投入状况更好一些，不过我们担心研发成本问题。” 另外，台积电也对EUV在曝光功率方面的问题表示担忧。当然无掩模电子束光刻技术也碰上不少问题，比如如何解决数据量，产出量问题等。有人认为Mapper公司可能还需要再凑足3一美元左右的资金才可以开发出一台量产型的电子束直写设备。 那么台积电在16nm节点究竟会采用哪一种次世代光刻技术呢？这个问题目前还得不出明确的答案。不过如果从各项技术所获得的资源支持来看，EUV获选的可能性似乎是最大的。林本坚表示：“这就像是一场龟兔赛跑，而富有的一方则是那只兔子。”他还表示：“我们已经开始关注这个问题。”同时他还不无讽刺地表示，虽然市面上有许多研发无掩模光刻技术的厂商，但Globalfoundries目前还没有找到能够符合其要求的解决方案。  

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  • 美国印第安人抗议太阳能开发项目

    美国印第安人与联邦政府在大规模太阳能项目的建设上发生冲突，他们担心这些项目会有损于西部沙漠中的圣地和重要文化遗址。最近有两个印第安人组织提起诉讼，对六个拟议中的太阳能开发项目形成威胁——为扩大清洁能源的生产奥巴马政府已将其列为优先项目。其中一项诉讼已使南加州的一个太阳能转化场的工作陷于停顿。土地开发与法律专家表示，这两项诉讼标志着美国内政部与印第安人充满矛盾的历史关系进入一个新阶段。印第安人过去曾诉诸法律，抵制该机构所管辖的公共领土上的油气、采矿和其它能源开发项目。有关联邦官员声称，他们已向多家印第安人部落进行了咨询，确信这些大规模太阳能项目不会对任何历史遗迹造成损害，而且某些遗址不值得保护。

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  • 日本熊本县的太阳能产业发展“经”

    位于日本西部九州岛的熊本县人口约１８０万，是日本屈指可数的农业大县，现在又开始大力培育太阳能产业，力争成为日本的“太阳能先进县”，并取得不小进展。一个农业大县如何成为太阳能产业大县？记者日前在日本外国记者中心组织下，前往熊本县了解当地发展太阳能产业的情况。据熊本县知事办公室宣传科主任干事吉村始介绍，当地发展太阳能产业，要诀就是因地制宜。首先，虽然熊本县临海，但是熊本平原被群山环绕，属于盆地地形，所以更加接近内陆型气候，晴朗天气非常多，适宜发展太阳能发电。其次，在熊本县的工业中，半导体一直是龙头老大，熊本县大力发展太阳能发电产业，也是作为振兴半导体业的一个措施。早在２００６年７月，该县就建立了旨在促进“产官学合作”（企业、政府和研究机构合作）的“太阳能事业推进协议会”，致力于推进研究开发、培育人才、扶持地方太阳能发电产业等。这一年，熊本县还制定了“熊本太阳能产业振兴战略”，支持开发新的半导体技术用于太阳能发电。同时，努力在住宅、民间企业和公共设施普及太阳能发电设施。根据战略，熊本县大力推动太阳能电池企业到当地办厂。富士电机系统公司和本田太阳能发电系统公司两家大型太阳能电池厂家在熊本县的工厂分别在２００６年和２００７年投产，这起到了标杆效应，不少零件厂家和原材料厂家纷纷跟进，一些当地企业也开始与太阳能电池厂家进行合作。为了将太阳能发电产业建成熊本县的支柱产业，２００９年熊本县政府又建立了负责统筹规划的“熊本太阳能项目小组”。其基本方针就是发挥半导体相关企业的技术潜力，形成世界上少有的太阳能产业集聚地，并将太阳能产业培育为龙头产业，从而实现低碳发展和“环境立县”。项目小组采取的主要措施就是通过产官学合作开发下一代技术，建立以有机薄膜技术为核心的产官学合作技术基地，推进研究开发，培养人才。目前，项目小组主导的实验项目包括柔韧性太阳能电池利用方法实验、百万千瓦太阳能发电实验、新型太阳能电池和发光二极管实验等。此外，熊本县还将县内具备开发条件的与太阳能发电有关的３３处设施和企业认定为“熊本太阳能公园”，目的是吸引普通市民参观相关设施，普及太阳能发电知识，促进公众采用太阳能发电装置。同时，熊本县还对企业和住宅安装太阳能发电系统提供补贴，例如县内的天草市每千瓦补贴５万日元（１美元约合８１日元），上限为２０万日元。目前，通过一系列措施，熊本的太阳能产业取得了丰硕成果。熊本县境内已经聚集了２８家与太阳能电池有关的企业。住宅用太阳能发电系统普及率达到４．３１％，跃居全国第二位。截至２００９年度，在公共设施和民间企业已经设立了２６９处太阳能发电系统。而日本国内最大的太阳能发电厂也位于熊本县境内。

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  • 美方称新一代电子芯片将给军事电子市场带来革命性进展

    美国《防务新闻》周刊网站2月28日报道 原题：经过长时间研发，国防业有了高性能芯片(记者戴夫·马宗达) 美国国防工业及政府官员表示，新一代电子芯片将注定给军事电子市场带来革命性的变化。 美国国防部高级研究项目局负责微系统技术的副局长马克·罗斯克表示，基于氮化镓的电子芯片已经达到了一定程度的可靠性和产量。这种新一代芯片将在很大程度上取代昔日的砷化镓芯片，特别是在各种高性能的用途中。 他还指出，这种技术将会越来越成熟，甚至能最终帮助研制出功能更为强大的硬件。 来自克里、雷神等芯片制造商的业内官员表示，向新型芯片的过渡进程已经开始。 洛克希德-马丁公司采用这种新型芯片的雷达系统部负责研究项目的高级经理汤姆·麦内利斯认为：“氮化镓有望使芯片的价格更为合理、效率更高且系统性能更为强大。” 业内及政府官员表示，与砷化镓相比，这种新型技术将使芯片的生产成本、外形尺寸、功率及效率得到大大改进。氮化镓还可以具有比砷化镓材料高出7倍的热导率，这就意味着它的冷却要求较低，但可以具有更大的功率。 总的来说，氮化镓功率放大器对于手机电话基站、干扰发射台、战术射频、卫星通信站、配电系统以及军用雷达系统等高输出、高频率设备特别有用。 然而，对于手机及其他低功率用途的设备来说，砷化镓可能仍是最好的选择，因为这种材料在这个功率水平上性能表现非常出色。 雷神公司研究氮化镓技术的工程师柯林·惠兰认为，采用氮化镓材料的主动电子扫描相控阵雷达搜索能力相当于类似尺寸砷化镓雷达的5倍，或者说搜索范围可以扩大50%。甚至可以使雷达的尺寸缩小一半，但仍能具有更强大的性能。  

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  • 节能成为芯片厂商未来发展的重中之重

    最新一代的图形处理器集成了30亿个晶体管，耗能约为200瓦。这个数字确实令人印象深刻--迄今为止你可以想象人类的大脑就等同于一万亿个晶体管，耗能仅为20瓦，远远低于点亮一个电灯泡的能耗。 半导体制造商希望在他们应对行业中的最新挑战时能拥有这样令人羡慕的头脑：在能效上更进一步。这一直是芯片设计者关注的重点，但是当降低能耗的常用技术正在逐渐丧失他们的效率时就必须采取新的手段了。 美国加利福尼亚大学伯克利工程学院的教授简.若比本周在参加旧金山举行的固态电路大会时表示"在过去十年间我们所采用的技术正在逐渐失去它的作用"。这不是一种抽象的关系。能效的稳步提升是当下功能强大的计算机迅猛发展的主要助推器，特别是iPhone这样的移动设备，其电池的寿命是至关重要的。最大的收获来自"处理器体积的缩小"或者说向更新的制造工艺发展，可以让晶体管的体积越来越小。这种规则性的发展就是众所周知的摩尔定律，但是每一代处理制程能改进半导体每瓦的性能也是半导体行业追求的目标。 数字设备公司，Broadcom和苹果的前任芯片工程师DanDobberpuhl表示，制程工艺的进步理论上来说可以将能效提高三倍，但是目前的发展只能将能效提高1.4倍。 三星电子公司总裁Oh-HyunKwon之前曾经说过"低于30纳米的话，我们就必须采用新的材料和架构来降低晶体管的电压"。 工程师一直在采用其他的方法来降低能耗，比如控制电流的泄漏，但是得到的回报也在不断递减。就有参加固态电路大会的与会者提议要将未来处理器的能耗降低10倍。 TSMC公司的首席技术官杰克.桑表示，最新的处理器设计能解决部分问题。他们的选择是一种称之为FinFET的设计，在每个晶体管上使用多个门栅，另外一种设计叫做无缝晶体管。 研究人员在FinFET的研发上取得了巨大的进步，TSMC公司希望这种设计能用在未来的CMOS上，这也是半导体行业中的标准硅芯片制造流程。 桑和其他参加讨论的与会者还对称之为3D堆栈的包装技术充满了信心，这种设计是芯片位于彼此的顶端而不是并排的排列方式。这样就可以让芯片以更短的距离互联在一起，从而降低电子损耗。 不过这些技术中有很多依然处于研发阶段，如果他们无法与目前的CMOS制造设备相兼容，那么实施成本将比较昂贵。 STMicroelectronics公司负责研发的副总裁PhilippeMagarshack表示，还有一种方法可以解决这个问题。目前的芯片非常的不灵活，因此这些芯片无法与他们的环境完全适应。他提议了一种被他称作"感觉和反馈"的方法。 智能手机芯片的需求变化的非常广泛。芯片应该根据智能手机是打电话还是显示视频来调节他们的电压，时钟频率和其他的组件的高低。     Magarshack表示，目前是根据时钟门控和电压范围来实施的，但是如果每个组件-比如天线，接收器等等要同步设计才能做得更好。 解决方案就是系统只在需要的时候才消耗能量。使用我们目前的工具要想实现这一点是绝对不可能的。我们需要新一代的工具和方法。 Magarshack和桑都提议了一种称之为输入/输出体系结构的方法，可以允许多个组件来共享输入/输出设备。举例来说，一个动态随机存储器芯片可以被配置在基础处理器上，取代连续输入/输出执行的方式并行处理。 前任DEC工程师Dobberpuhl表示，最大的收获是来自于改进的运算法则和体系结构，包括更加高效的并行设计。 英特尔移动通讯公司的总裁Herman Eul表示，关键是通过类似处理器将功能转移为数字形式。数字电路缩小规模要更容易一些，他们可以被重新编译，从而一个单个的无线电收发器可以用于一部3G手机的所有五个频率波段，来替代目前所使用的五个独立的芯片。 "最具能效的晶体管是目前还没有出现的晶体管"Eul表示。总的来说与会的讨论者们看起来都比较乐观，或许只是因为半导体工程的进步已经突破了过去的许多障碍。"概括而言就是工程师们从来都不曾放弃"Eul强调说。  

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  • 解读中国集成电路产业新政

    为鼓励集成电路产业的发展，国务院于2000年制定发布的《鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》（国发〔2000〕18号）（以下简称“18号文件”）。经过10年的发展，国内集成电路产业取得了有目共睹的快速发展，同时也还存在很大差距与诸多不足。为进一步加快集成电路这一国家战略性、基础性产业的发展，国务院于2011年1月28日正式发布了《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发〔2011〕4号）（以下简称 “4号文件”），对集成电路产业给予进一步鼓励与扶持。新政策的发布，将继续推动产业的投资与创新，中国集成电路产业将迎来新一轮快速发展期。 　　 4号文件从财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权以及市场等多个方面对软件与集成电路产业的发展给予了诸多优惠。具体来看，与18号文件进行比较，新的4号文件具有如下特点： 　　 1、政策扶持力度更大。4号文件明确提出，“继续实施国发18号文件明确的政策，相关政策与本政策不一致的，以本政策为准”，其中对集成电路产业的支持更由设计企业与生产企业延伸至封装、测试、设备、材料等产业链上下游企业，可见4号文件是18号文件的拓展与延伸。国家对集成电路产业的政策扶持力度更进一步增强。 　　 2、集成电路产业得到进一步强调。18号文件共计13章，其中专门集成电路产业的内容仅有1章（第十二章），其余均为软件方面内容。4号文件共计8章，各章内容对集成电路产业均有涉及。政策内容上，4号文件全文共34条，其中与集成电路产业有关的政策达到29条，18号文件全文中“软件”一词共计出现106次，“集成电路”一词仅出现24次，而在4号文件全文中，“软件”一词共出现82次，而“集成电路”一词出现频次已增加到61次。新政策中集成电路产业地位的提升由此可见一斑。 　　 3、更加注重解决企业实际经营中遇到的不便与困难。经过10年发展，国内集成电路产业从小到大，并新建立了众多集成电路企业。这些企业在几年的发展中，积累了一定经验，也在日常生产经营中遇到了不少与集成电路产业特点相关的实际问题。4号文件中对这些问题给予了针对性的解决办法。如项目建设中产生的短期内难以抵扣的增值税进项税额占用资金问题，集成电路设计企业进口料件的保税问题，软件企业和集成电路设计企业需要临时进口的自用设备的进口关税问题，质检、通关时长时间等待导致对集成电路相关设备、仪器造成不良影响的问题，以及文件给予的所得税优惠与其它优惠政策交*时如何处理的问题等等。 　　 4、对政策的落实工作十分重视。“落实难”是18号文件执行过程中遇到的突出问题。国家已充分意识到这一问题，并在4号文件突出强调政策的细化与落实。18号文件规定：“各地人民政府和国务院有关部门要根据《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》的要求，抓紧研究制定相应的实施细则和配套政策，尽快组织实施。”4号文件则进一步强调：“各地区、各有关部门要高度重视，加强组织领导和协调配合，抓紧制定实施细则和配套措施，切实抓好落实工作。发展改革委要会同有关部门及时跟踪了解政策执行情况，加强督促指导，确保取得实效”。新政策不仅强调要“高度重视”、“抓紧制定细则”、“切实落实”、“确保实效”，更明确了督促政策实施的具体部门，可说是极大的注重实效。 　　 分析4号文件对国内集成电路产业发展带来的积极意义，主要体现在以下几个方面： 　　 首先是坚定了产业发展的信心与决心。4号文件的发布，表明了国家重点发展集成电路产业的决心。这对于广大集成电路企业，以及计划进入集成电路产业的企业而言，无疑坚定了其发展的信心与决心。“信心比黄金还要宝贵”，这一点在18号文件颁布后的10年中已经得到充分显现。未来4号文件还将继续起到国家政策对产业发展的导向作用。 　　 其次是引起了各方的广泛关注与重视。4号文件本身已明确要求“各地区、各有关部门要高度重视”，未来集成电路产业无疑将继续作为各级政府优先发展的产业受到重点扶持。同时，通过政府部门、产业界、投资机构，以及新闻界对文件的宣传，“集成电路产业大有可为”这一信息将传递到社会各界。未来4号文件对于产业发展外部环境的进一步优化将起到积极作用， 　　 第三、也是最重要的，是给予了行业急需的优惠与扶持。 4号文件已经在财税、投融资、研发、进出口、人才、知识产权保护、市场等多个方面，对集成电路产业给予了多项行业急需的优惠与扶持。借鉴18号文件的经验，有关部委正在制定的实施细则中，将在此基础上给予更多细节上优惠。同时，未来各地方政府出台的相应地方性政策中，还将有更加细致、更加优惠的内容，4 号文件的对产业扶持的倍增作用不言而喻。  

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  • 半导体产业：创新发展进行时

    中国半导体行业协会最新统计数据显示，2010年，我国国内集成电路产业销售额1440亿元，实现近30%的高增长。不仅如此，在国家对研发创新给予重点投入与大力扶持的帮助下，在我国半导体企业的不懈努力下，我国半导体技术与产品创新也取得了显著成果。但总体来看，在半导体核心技术与产品的研发创新与产业化方面，我们还有很长的路要走，创新仍是我国半导体产业发展的主旋律。 　　新兴产业带动创新 　　与国际先进水平相比，我国集成电路产业基础较为薄弱，企业科技创新和自我发展能力不强，应用开发水平亟待提高，产业链有待完善，我国企业在市场上还很难与跨国公司正面交锋。如何瞄准差异化市场，培育新的增长点是必解之题。 　　上海华虹NEC电子有限公司销售与市场副总裁高峰认为，国家近期公布了7大战略性新兴产业规划，新型产品创新的重点必将出现在与战略性新兴产业相关的IC产品中，如LED驱动、新型电力电子器件大功率IGBT/MOSFET、MEMS、高速通信用芯片等，而作为产业链一环的半导体设备、材料等也将是产业创新的重点目标。“这些新兴热点市场从本质上来说是核心集成电路芯片在多个产业领域的交叉融合应用，重点新兴产业应用市场的兴起将衍生出多层次的集成电路市场需求。这些新兴热点产品和应用为集成电路产业加快发展提供了广阔的市场和创新空间。”他说。 　　联芯科技有限公司相关负责人表示，围绕战略性新兴产业，我国半导体企业应该在一些细分的半导体产品和技术领域方面进行突破：在应用领域，应优先在面向互联网应用的智能终端芯片及LTE/LTE-A终端SoC芯片领域取得突破，重点关注生物医疗电子产品、清洁能源和智能家居等方面的应用；在技术领域，应重点在多频段、低功耗的射频基带纳米技术(45nm/32nm)的SoC集成技术，面向软件无线电的射频/混合信号电路的可重构结构及其设计技术，基带、射频单芯片协同仿真设计技术等方面进行突破。 　　厦门永红研究所所长助理彭淑合表示，今年是国家布局战略性新兴产业的开局之年，我国半导体产业的发展迎来又一个春天。在超大规模集成电路方面，需要对封装、引线精密制造、芯片导线接合、集成电路材料的选择、结构的设计和冷却的手段等进行技术创新；在LED照明方面，需要加大对硅衬底LED技术、核心装备MOCVD国产化、大功率白光LED技术的创新；在芯片设计和制造方面，高阶制程控制和整合、高精密度仪器、硅提纯、切片、深紫外光(EUV)或无光罩电子束、掺杂等技术创新显得尤为重要。 　　重大专项驱动创新 　　集成电路产业是国家战略性新兴产业，是国民经济和社会信息化的重要基础。我国发展集成电路产业必须发挥国家意志。国发4号文强调，发挥国家科技重大专项的引导作用，大力支持集成电路重大关键技术的研发，努力实现关键技术的整体突破，加快具有自主知识产权技术的产业化和推广应用。 　　事实上，“核高基”等重大专项的实施，已经带动我国集成电路产业在一些核心领域取得突破。 　　“以华虹NEC为例，‘十一五’期间，华虹NEC承担的两个重大专项‘0.25微米～0.18微米通用BCD产品工艺开发与产业化’和‘0.18微米/0.13微米锗硅BiCMOS成套工艺技术’已取得显著成绩。其中，瞄准高端电源管理芯片市场需求而成功开发的0.18微米BCD技术平台，已于2010年12月进入量产。目前正在对世界上最前沿的0.13微米/0.18微米SiGeBiCMOS进行技术攻关，并已取得重要阶段性成果。已有两款SiGe产品进入小批量生产阶段，填补了国内空白。”高峰说。 　　当然，通过重大专项带动集成电路产业创新，还应进一步优化管理方式，找准创新突破口。中国半导体行业协会集成电路设计分会副理事长魏少军认为：“重大专项要防止两个误区：一是要防止重大专项代替一切，二是要防止企业盲目跟进重大专项课题任务。” 　　协同发展加快创新 　　随着技术的升级和竞争的加剧，市场竞争已经不再是单一产品的竞争，而是商业模式和产业链的竞争。在发达国家掌控核心技术、完成专利布局的情况下，我国企业利用庞大的“中国市场”，通过商业模式创新和加强产业链之间的合作，增强企业的创新实力，改善创新效果，是从“追随”实现“赶超”的有效途径。 　　上海新进第二产品事业群总经理王裕仁告诉记者，随着全球范围内的产业转移，“中国制造”正在吸引着全球生产要素的流入。在技术东移背景下，我国台湾地区和中国大陆的半导体公司有机会和系统厂商一起坐下来了解市场的真实需求，IC设计变得更加有的放矢，产品更加贴近客户需求，产业链之间的合作更加密切。中国大陆的半导体公司的创新实力会得到很多提升，未来的进步空间会更广阔。 　　苏州晶方半导体科技股份有限公司董事长兼总经理王蔚表示，一个半导体产品推出市场的时间长短、性能优劣、价钱高低等，跟企业与其上下游产业链企业，与设备、物料供应商的相互合作程度相关。“以晶方半导体为例，一方面它积极与上下产业链企业之间通力合作，建立战略联盟，相互提供平台，相互提供资源，增强企业的市场竞争地位和实力。另一方面，在前沿技术研发过程中，注意把握市场和技术发展趋势和方向的准确性和及时性，通过跟上下游产业链企业紧密合作，互通有无，加快技术创新和产业化的步伐。”王蔚说。 　　从整个产业链条来看，要想提高产品核心竞争力，不但企业本身掌控技术工艺要突破完善，上游支撑的材料设备也必须发展就位。“因此，支撑材料业不但要提供优质产品，而且要指导下游厂商用好材料；反之，器件电路厂商也能就工艺发展对材料提出要求，反馈提升材料产品质量。上下游的合作是非常重要的，各种方式无论合资、技术交流等都是发展创新、抗拒风险的重要手段。”有研半导体材料股份有限公司研发部经理肖清华说。  

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  • 法国太阳能市场有望在2011年突破500MW上限

    据法国《回声报》(LesEchos)的报道，除去2010年底已获批准的项目，法国太阳能市场有望在2011年突破500MW的补贴上限。法国政府估计在2010年全年总共有3.4GW的项目获得了施工许可，其中大约有2GW的项目最终将在未来18个月内完成，整个时间跨度将延至2012年第一季度。巴克莱投资银行(BarclaysCapital)的分析师维沙尔•沙赫(VishalShah)指出，如果这些项目未能完成，政府可能将补贴上限从500MW提高至800MW。沙赫继续评论说，新的上网电价补贴议案可能意味着：（1）未来许可证的发放将与项目的规模有关——100kW以上规模项目的上网电价补贴额度将由竞标流程确定；（2）住宅项目市场的补贴额度可能在2011年调整20%，2012年调整10%。这条消息公布后，巴克莱投资银行提高了对法国太阳能市场供求前景的预期。原本投资者认为补贴上限为500MW，且没有额外的项目获得上网电价补贴，这一改变对法国市场将产生积极的影响。修订后的补贴额度将保证2011年或2011年及2012年上半年(在供应紧张的情况下）新增项目总装机容量达到约3.4GW，这将大大提高之前对于2011年下半年市场需求的预期。沙赫解释道：“我们预测2011年和2012年的需求均为750MW。然而由于近日政策的改变，实际数据将可能会高于这一预期。”“最近政策制度的改变坚定了我们对于近期太阳能市场的乐观态度：在近期太阳能行业变革的情况下，尽管太阳能项目在这个普遍盈利的时期不太受欢迎，但我们认为太阳能行业在近期还有发展空间。我们相信近期大部分交易都是补仓，而非真正意义上的购买。由于近期相关政策得以改善，股票市场也继续飙升，我们认为高β太阳能股票有望继续攀升，价格甚至将超过旺季。”

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  • NEC中小尺寸面板事业传将和大陆天马微电子合并

    继PC事业决定与中国大陆联想集团(0992.HK)合并之后，NEC传出也计划将旗下中小尺寸面板事业和大陆最大中小尺寸面板厂天马微电子(000050)进行合并。日经新闻25日报导，NEC已同意将旗下全额出资的中小尺寸面板子公司“NECLCDTechnologies(以下简称NECLCD)”和天马微电子进行合并，NEC并计划于今(25)日正式发布上述消息。据报导，NEC计划将NECLCD70%股权以约10亿日圆的价格出售给天马微电子，并计划于今(2011)年7月将NECLCD变更为双方的合并公司，且公司名称也将进行变更。报导指出，合并公司将由天马微电子掌握主导权，且双方除了投资之外，也将于产品研发、技术共有、零件采购及通路共用等事项进行合作。据报导，天马微电子中小尺寸面板事业主要生产手机面板等泛用产品，NECLCD则主要生产医疗用及产业用面板，故进行合并将可达到相当大的相乘效果。据报导，2010年天马微电子中小尺寸面板全球市占率约3.2%，位居第11位，NECLCD则以0.3%的市占位居第21位。近来日本中小尺寸面板厂与海外厂商合作的态势日趋明显。日立制作所(Hitachi)社长中西宏明日前接受ThomsonReuters专访时表示，日立目前确实正与台湾鸿海(2317)就中小尺寸面板事业进行合作协商，且出售旗下液晶面板子公司日立显示器(HitachiDisplay；以下简称日立DP)给鸿海也为协商的内容之一。另外，东芝(Toshiba)旗下中小尺寸液晶面板子公司ToshibaMobileDisplay(TMD)计划斥资逾1,000亿日圆兴建乙座中小尺寸液晶面板新工厂，而据外电报导指出，该座新厂所生产的面板将大半供应给美国苹果(Apple)的iPhone使用，预估苹果也将负担部份投资额。日经也曾于2010年12月17日报导指出，Sharp计划斥资约1,000亿日圆于龟山第1工厂内新设使用于智慧型手机的中小尺寸液晶面板产线，所生产的产品将大部分供应给美国苹果的iPhone使用，而苹果也将负担大部分的投资额。

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  • 新型聚光光伏电池效率达到50%

    新电池可以使太阳能更好地匹配太阳光谱，价格低于每千瓦小时10美分。有一家新创公司名为太阳能交*公司（SolarJunction），这家公司说，它的先导制造工厂正在生产太阳能电池组，这些电池的效率超过目前市场上最好的产品。这一进展依赖于新的半导体材料，这些材料都是公司开发的，这一进展有助于制造一种类型的太阳能系统，这种系统称为聚光光伏系统，是一种更有吸引力的方式，可以用太阳发电。聚光光伏系统只占今天太阳能总额的一小部分，只有几兆瓦的生产容量装机，相比之下，有很多千兆瓦容量的是传统太阳能电池板。它们局限于特别阳光好的地方，在那里它们与太阳热能竞争，太阳热能是今天最便宜的太阳能形态，它使用镜子，聚集阳光，目的是产生蒸汽，驱动汽轮机。这些进展是属于太阳能电池效率方面，只是最近才使聚光光伏系统更经济，在某些地区就是这样。克雷格-斯托弗（CraigStauffer）是太阳能交*公司创始人之一，这家公司位于加利福尼亚州圣何塞市（SanJose），他说，他公司的新电池可以使太阳能价格低于每千瓦小时10美分，形成对比的是每千瓦小时16.5美分或更多，这是典型太阳能电池板的价格。太阳能交*公司的电池需要较少的层，少于许多其他超高效太阳能电池，而且可更好地匹配太阳光谱。太阳能交*公司的电池根据设计是用于光伏系统，要使用很多镜子或透镜，聚集阳光1000倍。聚集阳光可提高大部分太阳能电池的效率，但是，这些太阳能电池根据设计要采用这样的高度聚光，就是所谓的多结电池，这种电池效果特别好，因为它们包含两个或三个半导体层，用以吸收不同颜色的太阳光，而不是单一的半导体层，这种单一层用于传统太阳能电池板。聚光太阳能发电已经受阻，因为难以找到一些半导体，以便在分离光谱时有最佳方式，但是，这种半导体也有相应的结晶结构，这就使这种电池易于制作。太阳能交*公司的技术解决了这一问题，可用于红端光谱（infraredendofthespectrum），这部分已证明是最具挑战性的，对多结电池的开发而言就是这样。在传统的多结电池中，有些半导体材料根据设计是用于这部分光谱，但要么是吸收的光都是太远的红外线，要么是不兼容其他半导体，因此，电池就需要昂贵的缓冲层。斯托弗说，他公司的新材料都没有这些问题。他没有透露具体这些材料是用什么制成，但他说，其晶体结构可兼容其他半导体材料，用于多结电池，并且可以进行改进，以吸收不同波长，从而提高效率。这家公司称它们是可调式光谱晶格匹配材料（AdjustableSpectrumLatticeMatchedmaterials）。这种新电池使用了一种新材料，可以转换41%的太阳光能量，转化为电能，相对比的38%至39%是市场上的其他多结电池。（世界纪录的效率比这高，但研究人员已经取得这样的水平，采用的是一次性电池，是在实验室制成的，不是生产线上生产。）跳上两个百分点就可大大改变太阳能系统的价格，尤其是聚光光伏系统，只有约20%的成本是属于电池。提高电池输出功率，就会从数量上减少透镜、金属框架、跟踪系统和其他元件，这些占80%的成本。斯托弗说，该公司也制成了两种新的半导体，可用于未来的电池，这样就可以使效率高达50%。因为这些材料都很容易生长，就在彼此顶部生长，因此，这种五层设备的制备只需要同样的成本，就像三层设备一样。他预计，该公司能生产这种电池，时间是在五年之内。“我不会感到惊讶，如果它们达到50%，但问题是什么时候，它们将花费多少钱，”杰里-奥尔森（JerryOlson）说，他是科罗拉多州戈尔登（Golden）国家可再生能源实验室（NationalRenewableEnergyLaboratory）的首席科学家。他说，这一计划将需要更长的时间，可能会超过公司的设想，因为这种太阳能电池是复杂的。即使不到每千瓦小时10美分，聚光光伏系统发电价格仍远为昂贵，超过化石燃料，化石燃料成本往往不到每千瓦小时六美分，并具有相当的优势，就是可以昼夜运行。奥尔森说，虽然聚光光伏系统还比较少见，但它们有可能成为最便宜的一种太阳能光伏电池，因为高度聚集阳光，会在用量上减少所需土地和昂贵的半导体材料。

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  • 分析师：NAND闪存市场或将“崩盘”

    在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上，海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。在一段时间内，由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求，NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。但是不要看现在，NAND闪存的“派对”可能将要结束了。海力士、美光、三星和东芝已经或者即将建造新的NAND晶圆工厂，此举可能会导致生产能力过剩和价格下跌。Objective-Analysis分析师JimHandy表示：“我们一直估计下半年(NAND市场)将要崩盘。”NAND市场需求预计仍将保持较强水平。Handy在ISSCC大会上表示，NAND平均销售价格(ASP)在过去一年中一直保持平稳，但是平均销售价格预计将在2011年第四季度“瓦解”。目前，NAND闪存的每GB售价为1.6美元。到2012年中，这一价格预计将下降至0.65美元，降幅达40%。问题时，即将有太多的工厂产能上线。美光公司正在新加坡兴建新的NAND晶圆工厂。东芝公司日前启动了名为Fab5的晶圆厂。此外有报道称三星也将启用新的名为Line16的晶圆厂。与此同时，在ISSCC大会上，东芝和SanDisk提交了一份关于151平方毫米、64Gb、基于MLC和24nm技术的设备材料。海力士则谈到了他们基于该24nm的32GbMLC产品线。市场领导者三星公司则谈到了64Gb、基于27nm的3bpc产品线。

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  • 杜邦推出新型Solamet太阳光电导电浆料产品

    杜邦微电路材料事业部(MicrocircuitMaterials)推出杜邦SolametPV701太阳能导电浆料产品，运用最新一代的金属贯穿式背电极(MetalWrapThrough)技术，专供背板互连式硅晶太阳能电池设计使用。这项先进的产品结构，能让背面接点电池设计之制造商将太阳能电池的转换效率提高0.4%，这在杜邦规划的技术蓝图中，也是协助太阳能产业于2012年达成结晶硅(c-Si)太阳能电池转换效率超过20%的重要一环。杜邦微电路材料事业部太阳能产品全球营销经理PeterBrenner表示：「杜邦Solamet?已成为太阳能产业的领导品牌，因为我们的产品持续提升发电效率、设立能让客户节省成本的更高标准，并增加客户产品的竞争力。超过20年来，杜邦微电路材料事业部的研究团队一直致力提升太阳能电池的效率，期望可协助该产业早日实现市电同价的目标；有了SolametPV701，我们又向目标迈进了一大步。」相较于一般电池设计，杜邦SolametPV701太阳能导电浆料产品是专为MWT电池设计开发而成，能提升转换效率高达0.4%。MWT是一种特殊化的电池结构，能将正面电极移转至背面，以减少电池前端的遮光效应。电极透过穿孔来相互连结，其成分组成就如同主栅线电极(busbar)一般。具备着填孔以及p-型背面电极浆料的特性，SolametPV701与正面的副栅线电极结构展现绝佳的电气连接性、高机械强度、低分流、高导电性、以及如p-型导电浆料具有的杰出焊接性。

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  • 新一轮专利战打响 2/3专利纠纷是针对半导体公司

    非常明显由于IntellectureVentures(IV)智力风险而卷进的专利法律纠纷近期在专利市场中纷起。即便对于有些公司是第一次，由于近30，000个专利价值达10亿美元。追溯到10年之前由前Microsoft的首席技术执行官NathanMyhrvold提交给法院有关专利的纠纷开始，在半导体业中许多人为此感到威胁。一家非盈利组织专门在开放市场中买专利的公司叫AlliedSecurityTrust的CEODanMcCurdy认为这是不可避免的。它的目的是保护那些没有实战经验(nonpracticingentities，NPE)的公司受到伤害。业界会感到惊奇这家公司如何能生存下来。从IV专利风险投资机构看，为了提高认识专利问题的严重性，及有效的推行它的专利贸易必须提出诉讼。因此未来这样的事例会越来越多。在2010年12月8日IV提出三宗纠纷，涉及三个不同领域，软件安全性，动态RAM及FPGA中多家公司。其中软件专利纠纷涉及CheckpointSoftware，McAfee，Symantec及TrendMicro共有四项专利纠纷。而动态RAM专利纠纷直指海力士与Elpida，涉及7项专利纠纷。最后的FPGA专利纠纷直指Altera，Microsemi及LatticeSemiconductor，涉及5项专利纠纷。为什么这些IV风险投资机构，单把这些公司挑出来，而在这些特定范围中进行诉讼。FPGA中的两家公司都比较小，(Microsemi的年销售额在5，0亿美元，及LatticeSemiconductor仅3，0亿美元。)McCurdy表示，这些IV不想与大公司决战是有道理的，因为大公司往往都是IV的成员单位。即使有的大公司它不是成员，由于大公司的财力物力充足，诉讼起来也费时又很困难。按IHS-iSuppli的首席分析师JordanSelburn看法，在FPGA的纠纷中，目标对准Altera，这家公司销售额为1，9B，而另一家FPGA大厂是Xilinx，是Altera的主要竞争对手，它的销售额达2，3B，因此目的也很清楚希望通过纠纷来打压对手。IV不可能把它的投资者都看成同等，因为投资者中不乏有Microsoft，Inel，CiscoSystemsandGoogle。所以有些观察家认为大公司对于IV的决定起诉那些公司会有影响力。如果这些是事实，对于那些在IV中拥有一定地位的投资者一定会对它的竞争对手起作用。一家专注IP市场的管理顾问和通讯公司，称作BroadBermanAssociatesInc的CEOBruceBerman指出。一位华尔街分析师近期预测Intel可能兼并Xilinx或者Altera中的一家，为了扩展它的嵌入式及SoC市场。在有些特定动机下，专利纠纷有时可看到另外一些讯号，即专利市场变得有多么黑暗。有些大公司会利用秘密的NPE发出抱怨，或者不好听一点叫”专利钩鱼”，即大公司用设计好的专利陷阱來敲诈大量的专利费。现在因为有些大的运作公司己经公开它的模式，而导致此种方法暴露无遗。传统观念上对于那些大的运作公司销售专利到开放市场中会持反对态度，因为它们买了之后，然而又利用专利來对抗其它公司。按SantaClara大学法律系助教CollenVChien在Hasting法律杂志上写的论文，如今态度有所转变。文章标题是FromArmsRacetoMarketplace，从武器竞赛到市场。从复杂的专利生态关系和专利系统它的含意來解释过去若干年来专利市场已经发生改变，那些运作公司可以得到补贴来销售它们的无用unused专利给市场。在2009年未仅一个季度就从它的专利包中售出4500份专利给JohnDesmarais，是美国顶级的专利诉讼师之一。然后Desmarais开了它自己的专利公司，称作RoundRockResearchLLC，并开始进行专利贸易。有些观察家认为除了进行专利贸易之外，Micron也可能从RoundRock通过专利纠纷得到的钱中分到一定的比例。按Chien的报告目前Micron是最大的公司专利销售商，专门给NPE。按己出版的报告它的专利涉及半导体制造，照片图片，通讯，搜索引擎技术及RF识别。另一个有趣的作法，Desmarais作为IV处理它的专利纠纷的律师来对抗有些FPGA公司。它同时相信Micron从中最终可获得10亿美元数量级的版税，这么大的收入将使其它运作公司也跟进。McCurdy说这是一笔很好的收入，一位董事会成员甚至说，应该再产生另一个500M的收入，对于Micron的专利又没有损害，无乐而不为呢？最终专利诉讼有截止期，所以必须在有效期内快做。如果更多的运作公司都照此模式学着做，对于IV及一些NPE是血腥的，由此可能增加很多诉讼师。即便一家运作公司并不直接把专利售给钩鱼者，通常它们也会卷进去。在IV与FPGA公司对抗的专利纠纷之一，例如按美国专利和商标办公室的说法在90年代中期由AMD公司挑起的。McCurdy说IV诉讼最大的影响之一可能是工业界更多的学习IV的机会，作为一个被告者对于内部的运作要强迫深入地了解。IV总是装出一付在斗篷中装有庞大的秘密，McCurdy认为作为被告者要积极的应对，并要开创新的局面。

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