据新华社香港1月12日电 香港理工大学率先研发出全球首部的掌纹阅读机,通过对人掌纹的几何特征分析,在短短的1.5秒内就可辨明个人身份,其准确度较指纹辨识为高,在15万个测试样本中未曾出错。 据香港《文汇报》报道,香港科学馆11日举行介绍上述掌纹辨识系统的展览,发明人、香港理工大学电子计算学系教授张大鹏说,2002年研究成功的这部掌纹辨识系统,透过人手上多个掌纹的几何特征,来识别个人身份,其准确度极高,可应用于银行、员工考勤和出入境系统。 报道说,香港出入境系统采用指纹识别认证,但往往因使用者的手指损伤、指纹不明显,有4%的市民未能被系统辨识。张大鹏表示,手掌纹理相对较大,即使有损伤或有污迹,也不影响整体的分析,分析确认时间更缩短至1.5秒。一套基本辨识系统的售价只需数百港元。
半导体产业正在走向商品化,实现差异化的机会很少。无厂公司在争夺市场地位与市场份额之际,也要遵循无厂供应链领域中的大趋势。竞争特别激烈的一年即将结束,新的一年就要来临。在此之际,本文作者想思考一下过去10年出现的几个趋势,并探究人们可以从中吸取什么教训。在阅读这些无厂话题的时候,如果你认为本文提到的事情与真实的公司相似,那只是你自己的臆想。 晶圆代工领域中的竞争格局正在变化:晶圆代工产业变得越来越乏味和缺乏竞争力,本世纪初实际上台湾地区的几家企业控制了这个产业。但是,当中国大陆加入竞争之后,事情就变得非常有意思了。一家暴发户和几家规模较小的初创公司打入了晶圆代工产业,使得形势对于无厂客户来说变得非常令人兴奋。 台湾地区不会允许岛内企业向大陆转让最先进的技术,而美国国会也不会批准美国公司向中国销售某些制造设备。尽管如此,经济学还是设法为这些新企业的早期生存能力提供了伪装。这些大陆出现的新厂商采取的主要策略,就是展开价格竞争。 在经历众多的诉讼与和解之后,晶圆代工产业的格局不断变化,已导致代工价格大幅下降(对消费者有利),但赢家仍然是赢家,而新来者并未动摇老牌市场领导厂商的获利能力和市场份额。 教训:绝不能与财大气粗的竞争对手比拼价格。 我应该把制造资金投到何处?(晶圆厂或者装配-测试厂?):上世纪90年代的情况是,晶圆代工厂商获利丰厚,而装配、测试与封装(ATP)厂商则长期处于困境。无厂客户对于晶圆代工厂商忠心耿耿,但却经常更换ATP厂商。然而在世纪之交,有些事情发生了变化,彻底颠倒了各类厂商的角色。 首先,通讯产业泡沫破灭。随后,消费应用成了推动半导体需求的主力。结果硅片成本受到攻击,并大幅下降。新的代工厂商的加入,以及制造工艺迅速向更精细的水平转化,促进了这种趋势。ATP服务的成本占总体IC成本的比例上升,结果对于许多应用来说,硅片成本不再一定是决定成本的主要因素。 其次,借鉴晶圆代工企业的做法,ATP厂商开始严格控制资本支出。他们还开始大力压缩供给,使得供需形势变得对自己更加有利。此处一家基板工厂被大火烧个精光,或者别处有两家基板工厂破产,这肯定会加剧供需失衡。 目前,赚钱的晶圆代工厂商很少(可能是最大的两家或三家企业),但许多ATP厂商都在盈利(至少是最大的四家或五家企业)。ATP厂商似乎在财务方面很有吸引力,甚至私募股权投资公司都开始关注它们,并已采取了一些动作。 教训:老狗也能学习新技能 IP业务:半导体IP业务的生存能力是人们争论的热门话题。除了几家主要公司(主要是处理器IP提供商),很难找到有利可图和可以扩展的IP业务。生存能力的关键,从商业模式角度来看似乎是可以带来专利费的IP营业收入基础,而从技术角度来看应该具有一定程度的IP可定制性。 除了处理器IP,多数其它类型的IP都难以满足上述商业与技术要求。例如,免费或者付费的标准单元IP业务已经是商品类业务,日益面临来自晶圆代工厂商提供的库(library)的威胁,这些库可能比任何厂商提供的IP都都更接近实际的硅片。PHY IP业务一般来说开始的时候赚钱,但由于其基于标准,因此会逐渐变成商品(有些IP的这种变化很快,有些则比较缓慢一些)。 普遍缺乏产业所接受的IP质量标准,这是一个问题,但客户与IP提供商的想法总是不能一致起来。前者希望标准化,以便降低成本;后者经常希望通过质量与差异化进行竞争。 另外,客户不愿意支付大笔(如果有的话)IP使用费(尤其是在消费应用领域),由于低价IP提供商的加入,性价比障碍不断降低,也是导致这项业务缺乏吸引力的因素之一。该领域已经发生许多整合,这点毫不奇怪,而且肯定会有更多的整合发生。 教训:商业模式创新至少与技术创新一样重要。 创新方面的差距:硅片创作或者电子设计自动化(EDA)厂商与供应链中的制造(晶圆代工)环节在不断创新。厂商不遗余力地追求创新,以延长摩尔定律的寿命。工艺技术方面有大量的创新,如缩小光刻尺寸的方法,DFM/DFY,以及包括新材料创新在内的新颖的晶体管工程。 在晶圆生产方面,厂商不仅重视创新,而且动辄在研发上面投入数以10亿美元计的资金。EDA厂商通常会追赶工艺创新,并努力接住硅片制造领域不断向其抛过来的曲线球。 但EDA厂商设法开发和销售最佳设备,以便客户能够创造出可以精确模拟与预测硅片性能的设计。但另一方面,ATP厂商(作为一个群体)相对来说,创新活动不是很多。 QFP与BGA问世已经很长时间了。这些厂商偶尔也能令人刮目相看,如倒装芯片或QFN,但多数时候,后端领域总是受到创新的挑战或者缺乏任何真正的创造力。 要等四到六周才能获得一个四层封装基板,而只需一个月多一点的时间就能得到需要加工30多个光罩层的硅晶圆,这真的令人吃惊吗?这种创新方面的不平衡状况会持续下去吗?后端IC制造提供商最终是否会喊出“创新还是毁灭”的口号? 教训:有时乌龟确实比兔子跑得快 结论 半导体产业越来越严重依赖消费者的驱动,其供应链格局处于不断变化之中。对于产业参与者来说,重要的是退后一步,留意这种渐进的变化并学习新事物。商业模式挑战需要克服,创新差距需要弥补,竞争格局需要改善,所有这些可能会导致产业持续整合。一个充满竞争而又稳定的供应链,对于半导体产业体面地变老非常关键,该产业正在不断走向成熟。 最后一条教训:研究历史,避免重蹈覆辙
无源电子元件是一大类重要的电子信息产品,是各类电子信息产品的基础。在新型电子产品中,集成电路和无源元件占全部电子元器件及零部件的生产总成本的46.1%和9.1%,而在总安装成本中却分别占12.7%和55.1%,甚至某些片式元件的管理和安装成本已经超过其价格。不难看出,无源电子元件已经成为制约整机进一步向小型化、集成化发展的瓶颈。 无源电子元件在我国经济社会发展中的地位 电子元件及其组件制造业是电子元器件行业的主要组成部分,也是电子信息产业的支撑产业。电子设备一般都是由基本的电子元件构成的,从日常生活中的电脑、电视、PDA、手机、DVD等电子产品到载人航天、先进武器的尖端技术,电子元件无处不在。电容器、电阻器、电感器、变压器、滤波器、天线等无源元件都是电子产品中必不可少的基础元件,在日常生活和国家战略中均发挥着重要的作用。电子元件及其组件属于电子信息产业的中间产品,介于电子整机行业和原材料行业之间,其发展的快慢、所达到的技术水平和生产规模,不仅直接影响着整个电子信息产业的发展,而且对发展信息技术,改造传统产业,提高现代化装备水平,促进科技进步都具有重要意义。 随着电子信息整机产品制造的规模化,其对上游产品的配套能力要求日益强烈,电子元器件制造业作为基础产品的重要地位日益明显。目前,我国电子信息产业处于高速增长时期,一方面,新一代电子整机产品市场规模迅速扩张,急需各种电子元器件产品,尤其是新型电子元器件为之配套;另一方面,随着电子整机产品向数字化、信息化方向发展,电子元器件在电子整机产品中所占的比重日益增加,电子整机产品对电子元器件的依存度也越来越大。 高端电子元件及其关键材料和技术研发的战略意义 从产量上看,我国的多种无源元件产品,如电容器、电阻器、磁性元件等在世界上均名列前茅。但从销售额来看,这些产品都不占世界首位,这说明高档产品还有一定差距。如何将我国从电子元件大国变为电子元件强国,一直是我国政府、产业界和科技工作者长期探索、努力解决的一个问题。 目前我国电子元器件市场的供需矛盾仍然比较明显,突出表现为产品供给与整机需求之间的脱节。一方面,我国很多领域的电子元器件产品产量位居世界前列,并大量出口;而另一方面,我国也是全球最主要的电子元器件产品进口国之一。形成这种局面的原因主要在于,国产电子元器件产品主要集中在技术含量较小的中低端领域,因此大量新型电子元器件依靠进口。以用量最大的一类电子元件——多层陶瓷电容器(MLCC)为例,从2000到2004年间,尽管我国的元件产量从960亿只增加到1550亿只,但产品进出口逆差却从440亿只增加到880亿只。 从电感类产品的情况看,目前我国的片式电感生产总和只占全球的不足5%,与我国每年占全球约30%左右的片式电感用量严重不成比例,几乎所有的领先性电子产品(如移动通信)中所采用的这类基础元件基本上完全被日本、韩国和台湾地区的企业所垄断。 无源元件发展的历史机遇 近年来电子元件产品进入了一个迅速升级换代的时期。其突出表现是插装向表面组装、模拟化向数字化、固定式向移动式、分离式向集成化转变。从技术上看,无源电子元件的多层化、多层元件片式化、片式元件集成化和多功能化成为发展的主要方向。基于多层陶瓷技术(MLC)和低温共烧陶瓷技术(LTCC)的新一代电子元件已成为电子元件的主流,而集成化则是电子元件的主要发展方向。新一代电子元件与无源集成技术的发展正在成为高技术发展的制高点和产业生长点。 此外,在国际化的趋势下,国际电子制造产业中心向中国转移,未来5-10年,我国的电子元件市场将出现高速增长。 电子元件产业的主要利润点在于新一代高端产品。片式电子元件的全面升级换代,无源集成技术的迅速崛起,为我国有关企业提供了一系列实现跨越式发展的技术切入点。通过国家大项目的牵引,组织产学研联合的研发队伍,从材料、制程和设计方面全方位的研究开发,将有望使我国电子元件产业站在高的起点上参与国际竞争。 在电子元件升级换代速度加快、无源集成产业刚刚兴起、以及国际性的产业转移之时,抓住机遇,投入力量,研究开发具有自主知识产权的新一代电子元件及无源集成材料系统、模块设计及制程工艺,对我国信息技术的长期发展将是十分必要的。 世界各国无源元件研发情况 近年来,随着电子信息产品升级换代速度的加快,电子元件的进一步升级换代和集成化的问题日益为世界各国政府、产业界和学术界所关注。特别是由于低温共烧陶瓷(LTCC)等技术的突破使无源集成技术进入了实用化和产业化阶段,新一代无源元件和相关的集成技术成为倍受关注的技术制高点。早在上世纪90年代中期,美国政府就曾拨款7000万美元,实施了一个旨在研究发展无源集成和多芯片组装的三年计划。 2000年,美国商务部、国家标准与计划研究院和一些大型企业联合发起了一个规模更大的“先进嵌入式无源元件联合研究计划”,通过建立一个国家制造科学中心,推动新一代集成化无源元件的研究开发,其研究内容涉及发展新材料、新制程、以及新的设计五金|工具(软件),据称目前已取得重要成果。美国军方也相当重视电子元件和无源集成技术的研究发展,美国国防部2004财政年度的计划中,“先进元件开发与样品”作为列为7个重大计划之一,预算经费将高达132亿美元,其中一部分被用于新一代无源元件及其集成技术方面。 一些大型高技术企业,如美国杜邦公司、IBM公司、摩托罗拉公司,日本TDK公司、NEC公司、村田公司、3M公司、富士通公司,荷兰菲利普公司等均投入巨资参与新一代无源电子元件及其集成技术的角逐。2001年,台湾工业巨头台塑集团以LTCC模块作为切入点,启动了“科技台塑”计划,他们通过购买美国高科技企业的技术,开发蓝牙模块和移动通信产品,进入了电子信息领域。由国际电子与封装协会(IEAPS)发起的旨在推动世界范围内无源集成技术发展的名为CeramicInterconnectInitiative的计划(简称CII)得到 了世界各国很多研究机构和企业的积极响应。 研究发展的思路与政策建议总体思路: 以发展新型高端元件为牵引,以关键材料为突破口,以提升生产工艺技术为着眼点,将“材料研究-工艺开发-元件生产”相结合。 在“十五”有关项目的研究基础上,进一步组织力量,通过产学研相结合,发展新型材料,突破关键技术,形成自主知识产权,全面提升我国电子元件产业的产品结构和技术水平。 重点发展方向:针对无源电子元件高端产品和无源集成的关键技术问题,重点研究开发以下内容:(1)能促进量大面广的无源元件产品升级换代的核心材料;(2)具有共性的关键元件工艺技术;(3)高附加值的高端集成模块产品。 总体目标:形成我国在无源元件高端产品和无源集成技术方面的自主知识产权;发展出一系列技术指标居国际先进水平新型材料、元件和模块,及其制程工艺;研制并生产出集成度20以上的无源集成模块;形成5-10个具有国际先进水平的片式电子元件成果转化基地及产业链,其总生产规模达到年产数百亿只无源元件;建立的无源集成标准体系和测试平台。争取在“十一五”末,使我国在若干种新一代电子元件产业规模及水平居世界前列,推动我国从电子元件大国走向电子元件强国,为我国3G移动通信、数字电视、载人航天工程等重大计划的实施提供元件基础。
欧盟委员会9日宣布,放弃对美国苹果公司iTunes网上音乐销售业务展开的反垄断调查,并对苹果公司将拉平不同欧盟成员国市场定价的决定表示欢迎。 美国苹果公司当天早些时候宣布,将在未来6个月内,让所有欧盟成员国的消费者从iTunes网上音乐商店下载音乐产品时都可以享受到大致相同的价格,尤其是降低对英国偏高的定价。 去年4月,欧盟委员会在接到英国消费者保护组织投诉后,对苹果公司iTunes网上音乐销售业务展开反垄断调查。调查主要针对iTunes在欧盟市场上实行的国别销售策略,即消费者只能从居住国的iTunes网站上购买并下载音乐。 英国消费者保护组织称,这种局面是苹果公司与一些大型唱片公司协议安排的,由此造成英国市场上的iTunes音乐下载价格比欧元区国家高出约10%。 欧盟委员会曾认为,这种人为安排构成了限制性商业作法,违反了欧盟反垄断规定。但调查结果表明,苹果公司iTunes的国别销售做法主要是考虑到各国版权制度的差异,加之苹果公司决定拉平欧盟成员国的市场定价,因此,欧盟委员会确认了这一调查结果,并决定放弃相关的反垄断调查。
45纳米产品问世 集成电路新时代来临 冯晓伟 事件回顾:2007年11月12日,英特尔发布了16款采用45纳米工艺生产的服务器及高端PC处理器,标志着45纳米集成电路产品正式投入到应用领域,预计到2008年第三或第四季度时,英特尔的45纳米产品在数量上将超过65纳米产品。次日,美国高通公司宣布已使用基于TSMC45纳米工艺技术制造的3G芯片完成首次呼叫。12月10日,意法半导体宣布成功地推出第一批采用CMOS 45nm射频制造技术的功能芯片。 编辑点评:随着全球领先制造企业先后宣布跨入45纳米门槛,全球半导体产业已经进入"45纳米时代"。在高端技术的竞争中,英特尔凭借其雄厚的实力继续在业界领跑。"高K介质+金属栅"的结构在突破物理极限的同时也延续了摩尔定律的"寿命",成为CMOS技术的又一个里程碑。对于中国内地的集成电路制造企业而言,我们无须刻意去参与最前沿技术的竞争,而应该致力于解决当前面对的问题,脚踏实地做好眼前的事;当然,我们也不能满足于充当一个观众,如果能寻找到优秀的合作伙伴,完全可以抓住机遇,实现跨越式发展。 多晶硅投资热潮涌动 国内产能陆续释放 梁红兵 事件回顾:2007年国家火炬计划宁晋太阳能硅材料产业基地和锦州硅材料及太阳能电池产业基地正式挂牌。3月,四川新光硅业1000吨多晶硅项目投料试车成功。9月天宏硅业多晶硅项目奠基。6月,航天机电在内蒙古建设1500吨的多晶硅生产装置。7月宁波电子信息产业集团对控股子公司宁波晶元太阳能有限公司追加7000万元投资扩大多晶硅片的生产。8月江西赛维多晶硅工厂破土动工。 编辑点评:这种光伏项目蜂拥而上的现象是否是好事目前还很难定论。在投资多晶硅热潮背后,我们还要看到国内在多晶硅技术方面存在着很多不足。尽管国内很多企业都开始涉及这一领域,或进一步扩大产能,然而由于技术的落后,发展多晶硅也面临诸多问题。世界多晶硅主要生产国家正在积极寻求新工艺和新技术。这项研发工作十分活跃,并出现了众多的新成果和技术上的新突破。这也预示着世界多晶硅工业化生产技术一个新的飞跃即将到来。我国多晶硅产业要想把握住这个机会,就需要在技术上有重大突破。 建线扩产步伐加快 IC制造实力提升 冯晓伟 事件回顾:2007年9月8日,投资总额为25亿美元的英特尔12英寸芯片制造厂在大连奠基。11月5日,意法半导体新封装厂的奠基仪式在深圳举行,12月10日,中芯国际宣布其位于上海的12英寸芯片生产线进入正式运营阶段。8月8日,江苏长电科技年产50亿块IC新厂正式投产。 编辑点评:在"18号文"终结而针对半导体产业的新扶持政策尚未出台之际,或许有部分投资者和创业者暂时处于观望之中。但对于国际主流厂商而言,只有市场前景才是决定其投资策略的最重的一枚砝码,英特尔、意法和中芯国际的举动充分说明了这一点。在中国市场这块大蛋糕的诱惑之下,截至2007年底,英特尔和中芯国际在中国内地的累计投资总额已经分别达到了40亿美元和52亿美元;而龙岗新厂建设完工之后,意法仅在深圳市的投资总额就将超过10亿美元。中国集成电路制造规模持续扩大,工艺技术水平也不断上升,到英特尔大连12英寸厂和中芯国际武汉12英寸厂投产之时,中国内地将拥有5条12英寸生产线,光刻精度将达到65纳米。 绿色法规不断实施 电子制造面对考验 梁红兵 事件回顾:3月1日,信息产业部与国家发展和改革委员会、商务部、海关总署、国家工商总局、国家质检总局、国家环保总局联合制定的《电子信息产品污染控制管理办法》(中国RoHS)正式施行。8月11日起,欧盟EuP指令正式转化为欧盟成员国的法规,它是继RoHS和WEEE之后,欧盟设置的第三项"绿色壁垒"。另外,我国正在加快针对电子垃圾的政策制定,与欧盟WEEE相对应的,由国家发改委起草的《废旧家电回收处理管理条例》草案,已正式上报国务院法制办审查。 编辑点评:ROHS的实施,大大增加了我国电子信息企业的成本压力。EuP指令也值得关注,EuP涵盖范围之广,要求之高,可谓史无前例,将严重影响我国电子电气产业及相关产业发展和产品出口。在经济全球化的今天,世界上任何一个国家制定涉及贸易的法律法规,其作用与影响都不会仅仅局限在本国范围。因此,针锋相对地制定自己的相关法律法规将会成为国际贸易中不同国家之间重要的相互制衡手段。 市场推动变革 半导体企业整合频繁 冯晓伟 事件回顾:2007年,国内外半导体企业加快整合。2月中旬,恩智浦宣布购买Silicon Labs的Aero收发器、AeroFONE单芯片手机与功率放大器等产品线;5月22日,英特尔、意法半导体和Francisco Partners宣布共同组建一家独立的闪存公司;9月10日,联发科宣布收购芯片厂商ADI旗下的Othello和SoftFone手机芯片产品线;11月28日,华润上华宣布将通过发行总价约14.89亿港元的股份,收购华润励致所持的全部半导体业务股份;12月10日,日本富士通微电子亚太集团宣布入股威斯达芯片公司。 编辑点评:半导体业界的企业整合在2007年可谓是"乱花渐欲迷人眼",无论外界如何猜测,最终起决定作用的无非是企业自身的定位和企业对产品市场走向的判断。应该说,2007年半导体行业整体表现低于预期,对全球半导体企业加速整合有一定影响;但据业内专家分析,今年的分分合合或许只是一个热身,2008年将会出现更大规模的整合。 平板显示更受关注 面板企业赢利好转 梁红兵 事件回顾:今年5月上海莘庄工业园区作为"国家(上海)平板显示器件产业园"正式挂牌。3月,汕尾信利半导体有限公司的首条TFT-LCD生产线开始进入设备安装调试阶段。9月,友达光电宣布正式启用其位于厦门的全新制造基地,用以生产大中小尺寸的液晶面板模块。10月京东方4.5代TFT-LCD生产线项目落户成都。连续亏损多年的京东方科技集团公司TFT-LCD项目今年第三季度实现赢利。12月,长虹成立四川虹视显示技术有限公司,进军OLED市场。 编辑点评:在国家(上海)平板显示器件产业园正式挂牌之前,与显示器件有关的产业园至少还有6家,如陕西咸阳、河南安阳、江苏吴江、福建福州、江苏南京、广东佛山等,与上海平板显示器件产业园相比,没有直接突出"平板显示"的产业特色。平板显示正在成为国家层面重点发展的产业之一。今年京东方的赢利一方面说明公司内部管理水平的提升,另一方面也得益于外部市场环境的改善。液晶时代的到来、产业游戏规则和竞争格局的演变、供需状况的变化等因素,都促使京东方在年内实现赢利。 IC企业相继上市 融资难题有望破解 冯晓伟 事件回顾:2007年6月28日,中国芯片研发商展讯通信正式登陆美国纳斯达克股票交易市场,8月16日及11月20日,国内两家半导体封装测试企业南通富士通微电子股份有限公司和天水华天科技股份有限公司先后在深圳证券交易所挂牌上市。 编辑点评:也许有人认为展讯成功登陆纳斯达克是拜其头顶的"中国3G概念"光环所赐,但该公司的销售收入从2003年的240万美元暴增至2006年的1.07亿美元,现实的数据恐怕才是说服投资者的真正理由。但是,3G和TD-SCDMA产业的特殊性,展讯将面临难以预见的政策风险。此外,在海外融资虽然是中国半导体企业做大做强的一条捷径,但企业在管理领域尤其是财务制度方面要经受国际化的挑战。当然,吸引中国半导体企业的不仅仅是纳斯达克,国内证券市场依然是支撑本土企业快速发展的重要平台,南通富士通和华天科技的相继上市也表明了国内资本市场对中国半导体封装业的肯定,封装测试行业的上市公司数量增加为三个,长电科技从此不再是"一个人在战斗"。 元件百强突破千亿 多项产量全球第一 诸玲珍 事件回顾:2007年5月公布的第20届中国电子元件百强企业总体销售收入首次突破1000亿元大关,达到1081.9亿元,同比增长28.40%。目前,产量在世界上处于第一的产品有电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。其中,电声器件的产量占全球产量的50%;微特电机的产量占全球的60%。 编辑点评:电子元件行业是整个电子信息产业的基础,"大力发展核心基础产业"已经成为信息产业"十一五"期间的重点工作。我国电子元件的生产进一步走向现代化和规模化,更确立了中国成为世界电子元件生产大国的地位。而要想成为元件强国,对电子元件行业的生产企业来讲,光靠中低端产品是不行的,一定要建立研发机构,提高自主研发能力,要瞄准世界水平为目标,培育自主品牌,开发具有自主知识产权的技术和产品。还要时刻关注及跟踪整机行业的变化,及时调整企业的产品结构,跟上整机企业的步伐。 新兴领域芯片量产 IC设计再进一步 赵艳秋 事件回顾:2007年11月6日,上海复旦微纳电子有限公司宣布其具有完全自主知识产权、符合国家数字电视地面传输标准的信道解调芯片"中视二号"已由他们成功量产;12月20日,展迅通信宣布,其多媒体娱乐基带芯片SC6600M累计销售额达到3.08亿元;12月22日,CMMB芯片研发企业北京创毅视讯科技宣布,其手机电视芯片将量产,以配合国家广电总局全国建网的计划,在奥运会之前大量供货。 编辑点评:芯片在技术上获得突破、通过技术鉴定和获得科技成果奖项只是国产芯片要过的第一道槛,当过了第一关,能否拿到订单并实现量产则是他们马上要面临的第二道槛,而量产也是衡量国产芯片"功过成败"的一个关键指标,但这不是最后的衡量指标。过了这第二道槛,能否持续快速地推出第二个第三个符合市场需求的产品,是国内芯片企业面临的第三道槛,现在很多新兴企业在过第一和第二关,一些前几年已经壮大的国内设计企业则面临第三道关卡。我们期盼国产芯片的产业化之路走得更加顺畅。 汽车市场持续向好 电子企业纷纷涉足 刘 超 事件回顾:6月28日,由一汽启明信息技术股份有限公司和香港新进科技集团合作建立的启明新进汽车电子基地在长春市启明软件园落成投产。初期计划投入2条自动贴片生产线、3条电子产品组装线及相关实验室设备,用于研发制造车载信息系统、汽车总线、汽车电控单元、诊断仪等汽车电子产品。7月18日,家电巨头长虹规划的长春长虹工业园项目在长春汽车产业开发区正式奠基建设,同时筹备已久的吉林长春国家汽车电子产业园也同时挂牌成立。 编辑点评:根据相关调查显示,传统汽车电子产品已经达到较高普及率,车载GPS、移动电视等新兴汽车电子市场潜力逐步放大。如此丰厚的"蛋糕",众多企业纷纷挺进。此次启明和新进科技集团的合作,是国内汽车行业最大的IT企业首次和国际知名电子制造服务商合作建立汽车电子基地。启明新进汽车电子基地正式投产后,将形成以长春为基地,辐射东北亚地区的汽车电子及电子产品市场。长春长虹工业园的建立,标志着长虹以绵阳、合肥、广东、长春四大基地为支撑,产业布局成功完成。
随着射频(RF)娱乐控制网络技术的出现,基于红外线(IR)的远程控制技术将很快在汽车时代像昙花一现般过时。为了加快消费电子产品行业从基于IR的技术向基于RF的技术过渡,飞思卡尔半导体已宣布实施一项计划,向领先的消费电子产品制造商提供其RF娱乐控制网络技术,作为开放的行业规范。 通过与领先消费电子产品制造商的密切协作,飞思卡尔目前正在制定名为Synkro™的娱乐控制网络规范。飞思卡尔计划通过开放的全球标准论坛使Synkro协议在业内广泛普及,以便实现该技术的广泛利用。此外,他们还正在制定标准论坛和娱乐控制网络规范。 关于Synkro™协议 Synkro是根据IEEE® 802.15.4全球标准编写的联网协议软件栈,用于设计家庭娱乐产品,如数字电视、DVD播放器、音频/视频接收器、机顶盒、家庭迷你音乐站和远程控制。Synkro协议为未来产品线的扩展提供了软件和硬件移植路径,旨在彻底改革消费者控制他们的家庭娱乐器件的方式。 娱乐控制联网层的设计充分考虑了消费者的需求。这种技术可帮助解决日益困扰当今电子产品制造商的一个问题:技术限制和基于红外线(IR)的与消费产品路线图不兼容的解决方案导致的中断。这中综合平台可实现先进的控制功能,如娱乐器件之间的双向通信。它消除了对视线控制器件的需要,并为实现所有消费电子组件的远程控制奠定了坚实基础。
集成电路作为信息产业的基础和核心,是国民经济和社会发展的战略性产业,在推动经济发展、社会进步、提高人民生活水平以及保障国家安全等方面发挥着重要作用,已成为当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。 “十一五”期间,大力发展集成电路产业,尽快建立一个自主创新能力不断提高、产业规模不断扩大的产业体系,对于保障信息安全、经济安全,增强国防实力,以及推动社会进步,提高人民生活水平,具有极其重要的战略意义和现实意义。 按照《国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要》中“大力发展集成电路、软件和新型元器件等核心产业”以及《信息产业“十一五”规划》中“完善集成电路产业链”的总体要求,在深入研究、广泛调研的基础上,突出集成电路行业的特点,编制集成电路专项规划,作为集成电路行业发展的指导性文件和加强行业管理的依据。 “十五”回顾 产业和市场规模迅速扩大。自从18号文件颁布以来,我国集成电路产业进入发展最快的历史阶段。2005年集成电路产量达到266亿块,销售收入由2000年的186亿元提高到2005年的702亿元,年均增长30.4%,占世界集成电路产业中的份额由1.2%提高到4.5%。市场规模迅速扩大,2005年我国集成电路市场规模较2000年翻了两番,达到3800亿元,占全球比重达25%,成为全球仅次于美国的第二大集成电路市场。 部分关键技术领域取得突破。32位CPU芯片、网络路由交换芯片、GSM/GPRS手机基带芯片、TD-SCDMA基带芯片、数字音视频和多媒体处理芯片、第二代居民身份证芯片等一批中高端产品相继研发成功并投入市场,产品设计能力达到0.18微米,集成度超过千万门;集成电路芯片生产线工艺水平达到12英寸0.13微米,90纳米工艺技术研发取得进展,与国外先进水平之间的差距明显缩小;分辨率193nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机、100nm大角度离子注入机、100nm高密度离子刻蚀机等重大技术装备取得重要突破。 产业结构日趋合理。我国集成电路产业已初步形成了设计、芯片制造和封装测试三业并举、较为协调的发展格局。经过“十五”的发展,设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高,由2000年的31%提高到2005年的50.9%,封装与测试比重由同期的69%下降到49.1%,较为合理的产业结构初步形成。 骨干企业成长迅速。2005年销售额过亿元的集成电路设计公司已近20家,一批集成电路设计公司成功上市。上海华虹NEC电子有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司等企业的工艺技术水平大幅提高,国际竞争力显著增强,成为全球第七位和第三位芯片加工企业。2005年销售额过10亿元的封装测试企业超过10家,江阴长电科技股份有限公司、南通富士通微电子股份有限公司、天水华天科技股份有限公司等封装测试企业产能不断扩大,技术水平不断提升。 产业集群效应凸显。集成电路产业集聚效应明显,2005年长江三角洲、京津地区集成电路销售额之和达到644.17亿元,占同年全国总销售额的91.7%。国家(上海)集成电路产业园、国家(苏州)集成电路产业园等5个国家级集成电路产业园区集聚和辐射带动作用日益显现。 产业环境逐步改善。《鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》(国发[2000]18号)的颁布实施,集成电路专项研发资金的设立,知识产权保护力度不断加强,为我国集成电路产业提供了良好的政策环境,极大地调动了国内外各方面投资集成电路产业的积极性,5年来吸引外资累计约160亿美元。 尽管“十五”期间成绩显著,但是集成电路产业仍存在诸多问题。产业政策尚未完全落实到位,投融资环境还有待进一步改善;自主创新能力薄弱,缺乏核心技术和自主品牌;产业研发投入严重不足,总体技术水平与国外有很大差距;制造技术以代工为主,缺乏自主品牌;产业规模小,与国内市场规模差距较大;产品结构滞后于市场需求,进出口贸易逆差不断扩大;集成电路专用材料及设备自给率低,集成电路产业链并未完善;集成电路高级专业人才缺乏。 “十一五”面临的形势 (一)集成电路技术发展趋势 市场和技术双重驱动创新。第三代移动通信、数字电视、下一代互联网等领域重大技术和市场的快速发展,“三网融合”的不断推进,驱动集成电路产业的技术创新和产品创新。多技术、多应用的融合将催生新的集成电路产品出现,纳米技术的发展、新体系架构等新技术发明也在孕育着新的突破。 集成电路设计新技术不断涌现。随着90纳米及以下微细加工技术和SoC设计技术的发展,软硬件协同设计,高速、高频、低功耗设计,IP复用、芯片综合/时序分析、可测性/可调试性设计,总线架构、可靠性设计等技术将得到更快的发展和更广泛的应用。 65纳米~45纳米工艺将实现产业化。“十一五”期间,12英寸、65纳米~45纳米微细加工工艺将实现工业化大生产,铜互联工艺、高K、低K介质材料等将大规模采用;新型栅层材料、下一代光刻技术、光学和后光学掩模版、新型可制造互连结构和材料、光刻胶等工艺、材料将成为技术研发的重点;SOI、SiGe等材料显示出了良好的应用前景。 适应更高要求的新型封装及测试技术成为主流。集成电路封装正向高密度、高频、大功率、高可靠性、低成本的方向发展。球栅阵列封装(BGA)、芯片倒装焊(Flipchip)、堆叠多芯片技术、系统级封装(SiP)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)等封装类型将是“十一五”期间的主流封装形式。随着芯片性能的提高和规模的扩大,测试复杂度不断提高,自动测试技术和测试设备将快速发展,高速器件接口、可靠性筛选方法、高效率和低成本的测试技术等将成为测试的发展重点。 (二)集成电路市场分析 从上世纪70年代以来,世界集成电路市场虽有波动,但仍保持了年均约15%的增长率。经历了2001年的衰退后,世界集成电路市场销售额逐年增长,2005年实现销售额1928亿美元,达到历史最高水平。预计“十一五”期间,集成电路整体市场将保持平稳增长,波动幅度将趋缓,到2010年世界集成电路市场规模约为3000亿美元,平均增长率约14%。微处理器与微控制器、逻辑电路和存储器等三大类通用集成电路仍将占据主要市场,专用集成电路市场将较快增长。 未来5年,我国集成电路市场将进一步扩大,预计年均增长速度约为20%,到2010年,我国集成电路市场规模将突破8300亿元(2006~2010年我国集成电路市场需求预测见下表),采用0.18微米及以下技术的产品将逐步成为市场的主流产品,产品技术水平多代共存将是我国集成电路市场的特点。信息技术的快速发展,新应用领域的出现如移动通信、数字音视频产品、智能家庭网络、下一代互联网、信息安全产品、3C融合产品、智能卡和电子标签、汽车电子等的需求将形成集成电路新的经济增长点。“十一五”期间我国集成电路进口额年均增长率将在15%以上,贸易逆差局面难以得到改变。 (三)集成电路产业面临的环境 国内产业政策环境将不断改善。中央、地方各级政府和有关部门高度重视集成电路产业的发展,《进一步鼓励软件产业与集成电路产业发展的若干政策》等政策的出台,将为集成电路产业发展提供更加有利的政策环境。 投资强度和技术门槛越来越高。1条12英寸集成电路前工序生产线投资规模超过15亿美元,产品设计开发成本上升到几百万美元乃至上千万美元。企业的资金实力和技术创新能力成为竞争的关键。 国外高端技术转移限制仍将继续。作为战略性产业,全球主要发达国家越来越重视集成电路产业发展,为保持其领先地位,仍将控制关键技术装备、材料、高端设计和工艺技术向发展中国家转移,国内产业面临的技术挑战仍将长期存在。 知识产权和专利等摩擦将加剧。随着全球化竞争的不断深入,跨国公司利用其在技术、市场和资金的主导地位,更多地采用知识产权等技术手段开展竞争,国内企业发展面临各方面的压力。 “十一五”发展思路与目标 (一)发展思路 继续落实和完善产业政策,着力提高自主创新能力,推进集成电路产业链各环节协调发展。以应用为先导、优先发展集成电路设计业;积极发展集成器件制造(IDM)模式,鼓励新一代芯片生产线建设,推动现有生产线的技术升级;提升高密度封装测试能力;增强关键设备仪器和基础材料的开发能力。形成以设计业为龙头、制造业为核心、设备制造和配套产业为基础,较为完整的集成电路产业链。 设计业:鼓励设计业与整机之间的合作,加快涉及国家安全和量大面广集成电路产品的设计开发,培育一批具有较强自主创新能力的骨干企业,开发具有自主知识产权的集成电路产品。 制造业:鼓励现有生产线的技术升级和改造,形成90纳米工艺技术的加工能力;积极发展集成器件制造(IDM)模式,鼓励新一代芯片生产线建设;引导产业向有基础、有条件的地区集聚,形成规模效应。 封装测试业:加快封装测试业的技术升级。积极调整产品、产业结构,重点发展 SIP、Flipchip、BGA、CSP、MCM等先进封装技术,提高测试水平和能力。 材料、设备等支撑业:以部分关键设备、材料为突破口,重视基础技术研究,加快产业化进程,提高支撑能力。 (二)发展目标 1.主要经济指标 到2010年,我国集成电路产业产量达到800亿块,实现销售收入约3000亿元,年均增长率达到30%,约占世界集成电路市场份额的10%,满足国内30%的市场需求。 2.结构调整目标 到2010年,集成电路产业结构进一步得到优化,芯片设计业在行业中的比重提高到23%,芯片制造业、封装与测试业比重分别为29%和48%,形成基本合理的产业结构。 3.技术创新目标 到2010年,芯片设计能力大幅提升,开发一批具有自主知识产权的核心芯片,主流设计水平达到0.13μm~90nm;国内重点整机应用自主开发集成电路产品的比例达到30%左右。芯片制造业的大生产技术达到12英寸、90nm-65nm;封装测试业进入国际主流领域,实现系统封装(SiP)、芯片倒装焊(Flipchip)、球栅阵列封装(BGA)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)等新型封装形式的规模生产能力。12英寸部分关键技术装备、材料取得突破并进入生产线应用。 重点任务 (一)加快集成电路共性技术研发和公共服务平台建设 面向产业需求,建立企业化运作、面向行业的、产学研用相结合的国家集成电路研发中心,重点开发SoC等产品设计、纳米级工艺制造、先进封装与测试等产业链各环节的共性关键技术,为实现产业可持续发展提供技术来源和技术支持。 支持集成电路公共服务平台的建设,为企业提供产品开发和测试环境,在EDA设计工具、知识产权保护、产品评测等方面提供公共服务,促进中小企业的发展。 (二)重点支持量大面广产品的开发和产业化 面向高清晰度数字电视、移动通信、计算机及网络、信息安全产品、智能卡及电子标签产品、汽车电子等市场需求大的整机市场,引导芯片设计与整机结合,加大重点领域专用集成电路(ASIC)的开发力度,重点开发数字音视频相关信源、信道芯片、图像处理芯片,移动通信终端基带芯片、高端通信处理芯片、信息安全芯片等量大面广的产品,形成一批拥有核心技术的企业和具有自主知识产权的产品。 (三)增强芯片制造和封装测试能力 提高产业控制力,支持“909”工程升级改造;继续坚持对外开放,积极利用外资,鼓励集成器件制造(IDM)模式的集成电路企业发展,促进设计业、制造业的协调互动发展;重点发展12英寸集成电路生产线,建设5条以上12英寸、90纳米的芯片生产线;建设10条8英寸0.13微米~0.11微米芯片生产线,提高6英寸~8英寸生产线的资源利用水平;加强标准工艺模块开发和IP核的开发,不断满足国内芯片加工需求。积极采用新封装测试技术,重点发展BGA、PGA、CSP、MCM、SIP等先进封装技术,扩大产业规模,提高测试技术和水平。 (四)突破部分专用设备仪器和材料 掌握6英寸~8英寸集成电路设备的制备工艺技术,重点发展8英寸~12英寸集成电路生产设备,包括光刻机、刻蚀机、离子注入机、平坦化设备、掺杂设备、快速热处理设备,划片机、键合机、硅片减薄机、集成电路自动封装系统等设备,具备为6英寸~8英寸生产设备进行维护和翻新能力;力争实现100nm分辨率193nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机、高密度等离子体多晶硅刻蚀机、大角度倾斜大剂量离子注入机等重大关键装备产业化;重点开发12英寸硅抛光片和8英寸、12英寸硅外延片,锗硅外延片,SOI材料,宽禁带化合物半导体材料、光刻胶、化学试剂,特种气体、引线框架等材料,为产业发展提供有力支撑。 (五)推进重点产业园区建设 发挥国家、地方政府和各产业园区的积极性,重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园,不断优化发展环境、完善配套服务设施,引导集成电路企业落户园区,以园区内骨干企业为龙头,加强产业链建设,带动相关企业的发展,提高园区竞争实力。 政策措施 (一)加快制定法规与政策,进一步营造良好的产业环境 积极推进《软件与集成电路产业发展促进条例》的编制,加快推出《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策》,加大知识产权保护力度,促进集成电路产业的健康发展。 (二)进一步加大投入力度 加大政府投入,形成集成电路专项研发资金稳定增长机制。研究设立“国家集成电路产业发展基金”,鼓励集成电路企业技术创新和新产品开发,促进行业技术进步;组织实施集成电路重大工程和国家科技重大专项,研发集成电路关键技术和产品;鼓励国家政策性金融机构重点支持重点集成电路技术改造、技术创新和产业化项目;支持集成电路企业在境内外上市融资;鼓励境内外各类经济组织和个人投资集成电路产业。 (三)继续扩大对外开放,提高利用外资质量 坚持对外开放,继续优化环境,大力吸引国(境)外资金、技术和人才。重点吸引有实力的跨国公司在国内建设高水平的研发中心、生产中心和运营中心,不断提高国内集成电路产业企业管理、市场开拓、人才培养能力。积极提高资源利用效率,完善外商投资项目核准办法,适时调整《外商投资产业指导目录》,优化产业布局,减少低水平盲目重复建设。 (四)加强人才培养,积极引进海外人才 建立、健全集成电路人才培训体系,加快建设和发展微电子学院和微电子职业培训机构,形成多层次的人才梯队,重点培养国际化的、高层次、复合型集成电路人才;加大国际化人才引进工作力度,大力引进国外优秀集成电路人才;引入竞争激励机制,制定激发人才创造才能的奖励政策和分配机制,创造有利于集成电路人才发展的宽松环境。
1958-1974年 1958 德州仪器的Jack Kilby展示全球第一块集成电路(IC),结束了之前10年只能采用分立晶体管的历史。 NEC成立日本第一个规模量产的晶体管厂。 1959 国家半导体公司成立。 飞兆半导体的Robert Noyce将IC进一步商用化并推向市场。平面晶体管技术诞生。 1960 Digital Equipment公司推出第一台MINI计算机PDP-1。 AT&T发明第一个调制解调器。 1961 德州仪器研发出第一个基于集成电路的计算机。 摩托罗拉首次采用贝尔实验室的epitaxial技术,将半导体制造推向规模量产。 1962 摩托罗拉推出第一个基于晶体管的对讲机Handi-Talkie HT-200。 1963 多家公司开始量产IC。 F.M. Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术。 1964 德州仪器推出第一块用于消费电子产品(助听器)的IC。 IBM发布其首台计算机——System/360。 全球IC出货量首次超10亿美元。 1965 Gordon Moore提出著名的摩尔定律。 Bob Widlar发明运算放大器。 中国第一块半导体集成电路研制成功。 1967 德州仪器发明第一个手持计算器。 摩托罗拉推出第一台全晶体管彩色电视机。 1968 Andy Grove,Robert Noyce和Gordon Moore创立英特尔公司:同年英特尔推出第一片1k RAM。 1969 Apollo登月,对半导体器件应用起到极大推动作用。 1970 英特尔推出第一片DRAM。 1971 英特尔发明SRAM和EPROM。 英特尔推出微处理器4004,将计算机的大脑集成在一个芯片上。 德州仪器推出单芯片微处理器。 IBM的Alan Shugart发明软磁盘。 1972 HP发明第一个可装人口袋的计算机。 英特尔开始采用3英寸晶圆。 1973 摩托罗拉推出便携式蜂窝无线电电话,它也是我们现在基于调制解调器手机的先驱。 Vinton Cerf和Darpa发明互联网。 1974 Zilog推出第一个微处理器Z80。 摩托罗拉推出6800微处理器。 施乐发明内置鼠标。 1975-1986年 1975 第一台个人电脑Altair上市。英特尔CPU时钟频率可达2MHz。 Bill Gates和Paul Allen创立微软公司. 1976 Steve Wozniak和Steve Jobs推出苹果电脑,这是全球第一台能进行文字处理的电脑。 英特尔开始采用4英寸晶圆。 1978 Micron成立,作为一家半导体设计顾问公司。 德州仪器推出第一个单芯片语音处理器,用于Speak&Spell玩具。 1979 摩托罗拉推出第一个16位微处理器并被苹果电脑采用,它具有每秒处理200万次计算的能力。 贝尔实验室推出单芯片数字信号处理器,可支持语音压缩、过滤和纠错功能,比多芯处片完成速度更快功能更好。 全球半导体销售超过1 00亿美元。 1980 联电成立,生产电子表、计算器与电视用IC。 IBM进人PC领域,成为最大的微处理器用户。 摩托罗拉推出第一款寻呼机。 1981 LSI Logic推出门阵列产品,它是全球第一个半定制的芯片。 第一台具有两个软盘、支持彩显的PC上市,采用英特尔8088处理器,时钟速率达到800MHz。 1982 VLSI推出标准信元、预定义电路,用作定制芯片。 德州仪器推出单芯片DSP。 1983 摩托罗拉推出第一个蜂窝电话。 Altera发明第一个PLD。 三星半导体成立,开发64Kb DRAM。 英特尔开始采用6英寸晶圆。 1984 德州仪器进入6英寸CMOS工艺。 第一个芯片保护法诞生,开创新型知识产权保护模式。 IBM研发出1 Mbit RAM。 Xilinx发明第一块现场可编程器件FPGA。 苹果推出Macintosh电脑。 1985 NEC登上全球半导体第一的宝座,并且持续7年在第一的位置。 英特尔分离出DRAM业务,同时德州仪器等众多公司进入DRAM市场。 台湾工研院与华智公司发展成功1.5微米CMOS 256K DRAM。 三星大规模量产256K DRAM。 1986 美国与日本签订合约结束反倾销,使日本开始复苏,并取代美国成为全球最大半导体生产地,占据全球一半以上份额,其产品覆盖 MCU,ASIC以及分立半导体等多个领域。 美国1 1家DRAM厂商中有9家离开该市场。 Compaq推出386 PC。 1987-1997年 1987 意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并成立意法半导体。 台积电成立。 大智、硅统、扬智、瑞昱、诠华、华展、群立、普腾等IC设计公司成立。 1988 精简指令集(RISC)技术商用,提供更快和更少存储需求。 上海飞利浦半导体公司(现上海先进)成立。 1989 Compaq推出LTE/286的笔记电脑。 中国华晶电子集团公司成立。 三星电子与三星半导体合并。 1990 业界开始转向8寸晶圆厂。 英特尔与台积电、联电合作生产内存。 三星推出16Mb DRAM。 互联网用户达到10万。 中国实施九0八工程。 1991 华邦成功开发首颗64K SRAM。 首钢NEC电子有限公司成立。 1992 英特尔开始采用8英寸晶圆。 三星成为全球最大的DRAM厂商。 台湾地区各半导体厂陆续进入0.6微米制程。 微软推出Windows 3 1。 1993 三星建立第一个8英寸晶圆厂,同年成为全球最大的存储器厂商。 凭借PC需求的迅速增长,美国再超日本成为全球芯片销量第一的国家。 IBM和摩托罗拉推出首个用于PC的RISC芯片。 1994 三星推出全球第一块256Mb的DRAM。 联电、华邦开发完成0.5微米制程。 世界先进、力晶分别成立8英寸DRAM厂。 全球半导体市场首次超过1000亿美元。 1995 NEC开发出全球第一块1Gb DRAM。 南亚成立。 1996 三星推出1Gb DRAM。同时,三星在美奥斯汀建厂。 1996茂德成立。 由于电脑、网络、电话和通信市场的迅速增长,欧美半导体厂商处于鼎盛期,芯片出货量大幅上升。 1997 3COM的第一款56kbps MODEM采用了德州仪器的DSP芯片。 从1993年到1997年,联电将原有IC设计部门分割成为独立的设计公司,催生了智原、联发科、联咏、联笙、联杰、盛群等IC设计公司。 上海华虹NEC电子有限公司组建,总投资为12亿美元,主要承担“九0九”工程。 1998-2007年 1998 三星宣布推出首块128M闪存。 九0八主体工程华晶项目通过验收,这条从朗讯科技公司引进生产线采用0.9微米生产6英寸晶圆片。 1999 全球半导体市场出现转折,需求拉动由PC转向消费电子市场。 三星发布第一块1G闪存原型。 上海华虹NEC电子有限公司建成试投片,工艺技术从计划中的0.5微米提升到了0.35微米,主导产品为64M同步动态存储器。 2000 台积电成立第一座12寸晶圆厂。 三星半导体进人LCD驱动器和Flash MCU领域。同时,三星半导体收入超过100亿美元。 英飞凌从西门子剥离,引发全球半导体部门从母公司剥离的高潮。 全球半导体销售超过2000亿美元。 2001 德州仪器建成300mm晶圆厂。 联电和茂德分别成立300mm晶圆厂。 三星512Mb NAND闪存进人量产,推出数字音频SoC。 2002 英特尔采用12英寸晶圆并引人90nm工艺。 德州仪器采用90nm CMOS工艺。 中芯国际开始批量生产0.18微米、8英寸芯片产品。 三星成为全球最大的NAND闪存厂商。 曾经是全球最大的NEC半导体从母公司分离。 2003 台积电第二座300mm晶圆厂成立,树立了全球最大晶圆厂的地位。 三星推出第一款4Gb NAND闪存。 三星推出533MHz Mobile CPU,用于智能手机和PDA,开始挑战欧美厂商在该市场的地位。 日本三菱电机和日立合并半导体部门,成立瑞萨科技。 2004 德州仪器宣布单芯片手机,并发布65nm工艺。 摩托罗拉分拆半导体部门,飞思卡尔半导体成立。 2005 IC发明人之一.Jack Kilby去世。 中星微电子在美国纳斯达克上市,成为第一家在美国上市的中国IC设计公司,随着珠海炬力也成功上市。 2006 三星、IBM和特许半导体共同为高通生产出第一片90nm处理器。 三星推出基于32Mb闪存的固态硬盘SSD,使闪存在PC中逐渐替代硬盘成为趋势。 飞利浦半导体和飞思卡尔等半导体公司相续被私募基金收购,引发半导体业一次新的变革。 RoHS指令在欧盟开始实施。 2007 英特尔45nm CPU进人规模量产。 三星发布50nm 16Gb NAND闪存,可用于SSD。同时其60nmDRAM进入规模量产。 金属栅极/高介电常数(high-K)成功采用,将摩尔定律再延伸至少10年。
发光二极管(LED)环保照明技术生产商首尔半导体,因应日亚公司(Nichia)有关 “美国加利福尼亚州北部地区法院设计专利权案件”(美国设计专利权案件)所作出的声明,在韩国首尔中央地区法院(Central District Court in Seoul, Korea)向日亚公司提出诽谤的诉讼,索偿5亿韩元(约53.1万美元)的损害赔偿。 被日亚公司坚称侵犯其美国设计专利权的产品,为902型号,用于移动通讯电话屏幕背光源,厚度仅有0.7mm的侧光LED产品。至于有关产品的终止通告,较早前已向公众发表。
安森美半导体(ON Semiconductor,)宣布2008年计划把所有封装形式为微型表面贴装(SOSM)的产品从其在马来西亚的芙蓉厂转移到中国四川省的合资企业乐山-菲尼克斯半导体有限公司,将令乐山厂年产能力约增15%,并将会在乐山产生190多个工作机会。 该计划将分为两个阶段进行。第一阶段的设备已由专机从马来西亚于1月5日抵达成都双流机场,完成清关手续后会被直接运送到乐山-菲尼克斯半导体有限公司,随后开始安装和生产,预计1月内可以投产,总产能约为每年超过10亿只芯片。而第二阶段预期于2009年第一季度投入生产,届时总产能将添增到每年20亿只。 这转移项目将壮大乐山-菲尼克斯半导体有限公司的年产能力到230亿只,并标志着乐山-菲尼克斯半导体的世界级半导体制造技术更趋成熟,产品种类更为多样化。该厂封装及测试的微型表面贴装晶体管和二极管,应用于日常通讯和电子产品,包括通讯系统、白色家电、汽车、电脑和其他消费类产品如手机、便携游戏机以及电视机等等。 乐山-菲尼克斯半导体是安森美半导体公司(70%股份)及乐山无线电股份有限公司(30%股份)共同投资的合资企业。安森美半导体是在中国西部投资的跨国公司之一个先锋。在政府的大力支持以及中方投资伙伴的合作下,经过长达12年的规模投资和建设,公司总投资额超过5亿美元,到2007年底已建成分立半导体元器件生产线45条,员工人数超过2,500人。
在存储市场,随着iSCSI存储技术的快速发展,广大中小企业用户成为厂商争夺的焦点,SAS硬盘也成为外接硬盘主流应用,而虚拟化技术也成为厂商关注重点,但其应用中的障碍也不容忽视。 iSCSI热度延续 继续走高 这几年来,iSCSI存储技术得到了快速发展。iSCSI的最大好处是能提供快速的网络环境,虽然目前其性能和带宽跟光纤网络还有一些差距,但能节省企业约30%-40%的成本。iSCSI技术优点和成本优势主要体现在以下几个方面:首先,硬件成本低。构建iSCSI存储网络,除了存储设备外,交换机、线缆、接口卡都是标准的以太网配件,价格相对来说比较低廉。同时,iSCSI还可以在现有的网络上直接安装,并不需要更改企业的网络体系,这样可以最大限度地节约投入。第二是操作简单,维护方便。对iSCSI存储网络的管理,实际上就是对以太网设备的管理,只需花费少量的资金去培训iSCSI存储网络管理员。当iSCSI存储网络出现故障时,问题定位及解决也会因为以太网的普及而变得容易。第三是扩充性强。对于已经构建的iSCSI存储网络来说,增加iSCSI存储设备和服务器都将变得简单且无须改变网络的体系结构。第四就是带宽和性能。iSCSI存储网络的访问带宽依赖以太网带宽。随着千兆以太网的普及和万兆以太网的应用,iSCSI存储网络会达到甚至超过FC(FiberChannel,光纤通道)存储网络的带宽和性能。第五是突破距离限制。iSCSI存储网络使用的是以太网,因而在服务器和存储设备的空间布局上的限制就会少了很多,甚至可以跨越地区和国家。 在过去的一年,存储界最热门的技术就是iSCSI技术,各存储设备厂商都纷纷推出iSCSI设备(企业级别或家用级别),iSCSI存储设备的销量也在快速增长。正是基于iSCSI技术的成熟,在过去的一年,IBM和戴尔都纷纷推出了基于iSCSI技术的面向中小企业的存储产品。 今年,基于iSCSI的SAN现在已经相对比较成熟,因此在iSCSI和FC两种技术之间进行取舍的话,起到决定作用的,已经不再是技术因素。那么在今年,iSCSI将在延续去年热度的基础上继续走高。据称今年,EMC也会推出基于iSCSI技术的存储产品,从而使得iSCSI真正走向普及,从而对FC和对Fibre Channel over Ethernet(FCoE)形成竞争的局面。 中高端磁盘阵列成SAS应用主流 SAS硬盘于2004年上市之初,多为高阶服务器使用,替代这类服务器传统使用的SCSI硬盘,而在2.5英寸SAS硬盘推出后,也陆续获得一些以紧致性为诉求的服务器采用。自2006年底起,SAS硬盘也进入了外接磁盘设备的领域,开始有采用SAS硬盘的磁盘阵列产品出现。 通过宽端口连接技术,SAS通道能提供远高于并行SCSI的带宽。以当前1.5万转硬盘的80MB/s至90MB/s持续传输率来说,一条Ultra320SCSI理论上的320MB/s带宽,只要4至5台硬盘就会占满,不能让磁盘阵列充分发挥性能,SAS通过宽端口连接所达到的1.2GB/s带宽显然比SCSI更适于高性能磁盘阵列使用,而这个带宽事实上也高于4GbFC的400MB/s。 与目前居于高阶应用主流的4GbFC相较,SAS除可用带宽较高外,也有成本上的优势。虽然单就硬盘本身而言,同容量的1.5万转SAS硬盘价格与FC硬盘几乎完全相同,多数硬盘供货商也都是在同系列的硬盘产品中同时提供FC与SAS两种接口供用户选用(除接口外,其余组件完全相同)。但就组成整个磁盘阵列来说,FC规格的接头、缆线与HBA等组件的价格,均远高于架接在SATA上、可通过相同物理规范降低组件制造成本的SAS。且SAS也同样具备与FC相似的容错能力高、全双工和串接数目多等特性。 SAS更大的优势在于可与低价的SATA界面设备混用,SAS磁盘阵列的背板(Backplane)可连接SATA硬盘,使用者可在SAS磁盘阵列的机箱中同时安装SAS与SATA硬盘,同时满足高性能与大容量低成本的需求,甚至可在单一机箱实现“分层存储”概念,让机箱中由SAS硬盘组成的数组对应前端需要高存储性能的关键应用程序;同时让机箱中由SATA硬盘组成的数组,对应前端对存储性能要求较低,但要求大容量的备份或归档等应用。唯一限制是考虑到SAS与SATA硬盘性能的差异,机箱中SAS与SATA硬盘必须各自构成不同的RAID群组(或是LUN或存储池),而不能混在同一个RAID群组中。相较下HP虽也推出可通过转接器让SATA硬盘安装在FC磁盘阵列中(称为FATA),不过整体成本对SAS并无优势,技术也复杂许多。 但SAS也有不足之处,尤其是连接距离远逊于FCAL,FCAL的点对点连接距离可高达10公里,而SAS则为最大6米,即使通过扩展器也只能达到32米,这对服务器或磁盘阵列直接连接服务器的DAS应用来说不会有太大问题,但对大型存储网络来说,SAS就相当不足。变通方式是磁盘阵列的内部仍使用SAS硬盘,但外部则采用FC界面以便于大型存储网络的应用。 目前国内各主要磁盘阵列厂商几乎都有SAS产品,HP、SunSTK与Fujitsu均已推出SAS磁盘阵列,接下来NetApp也可能会在今年内跟进,显示SAS进入所有存储厂商产品线,已是大势所趋。 存储虚拟化渐热 障碍犹存 众所周知,存储虚拟化技术实现对不同结构的存储设备进行集中化管理,用户可以将存储设备集中在一起形成一个存储池,这样,一个存储池中的所有存储卷都拥有相同的属性,如性能、冗余特性、备份需求或成本;这样,可使一些重复性的工作实现自动化,例如,LUN管理;并且,基于策略的集中存储管理,简化了存储容量分配,提高了容量的有效利用,并且容量扩展非常容易。因此,存储虚拟化技术可以减少存储系统的管理开销、实现存储系统的数据共享、提供透明的高可靠性和可扩展性、优化使用存储系统。 同时,存储资源的自动化管理为用户提供更高层次策略的选择。在存储池中可以定义多种存储工具来代表不同业务领域或存储用户的不同服务等级。另外,还允许客户以单元的方式管理每一存储池内部的存储资源,根据需要添加、删除或改变,同时保持对应用服务器的透明性。基于策略的存储虚拟化能够管理整个存储基础机构,保持合理分配存储资源,高优先级的应用有更高的存储优先级,使用性能最好的存储,低优先级的应用使用便宜的存储。 正是因为虚拟化存储有这样的优势,所以厂商、商业研究机构都非常看好虚拟化存储的发展前景。据IDC去年透露,49%的公司正在评估存储虚拟化,而技术的部署已经超过1/3的用户。但是存储虚拟化仍然处于发展的初期,尽管在这个领域中一些好的供应商和产品得到了很大的发展。伴随着用户节约成本和对于灵活性要求的提高,存储虚拟化也将有更大的发展空间。 当然,在存储虚拟化技术的发展过程中,人们听到的并不全是“利好”消息,它仍存在一个致命的软肋,那就是不同厂商的相关技术和产品缺乏统一的标准。目前,许多IT厂商都投入了巨大的财力、人力来开发基于Unix、Windows和Linux系统的存储虚拟化产品,而且进展喜人。可是它们采用的标准却不一致,使得许多打算应用存储虚拟化技术的用户在选择相关产品时往往无所适从。此外,由于存储虚拟化是用户实现其数据中心全面虚拟化的一个步骤,因此用户还面临着如何制订适合自己的存储策略、如何充分正确利用它们等难题。例如,在保留一切数据,但费用高昂且数据查询相对比较困难;或只保留重要数据,费用相对低廉,数据查询自然比较容易但结果未必令人完全满意这两者之间选择一个平衡点就会让不少用户为之头疼。 虽然存在这些问题,存储虚拟化的未来依然令人向往。通过更高效地利用存储资源,它将大大减少用户的人力和费用,在此基础上如果再采用能够在不同存储层之间传输、应用数据的ILM技术的话,所产生的效率将更加显著。
SanDisk去年对25家同行企业提起的诉讼,有可能达到目的。最近,被控企业之一——美国PNY宣布,它愿缴纳专利费并获得SanDisk的授权,从而成为第一家“低头妥协”的公司。 双方未透露专利费额度。此前SanDisk公开表示,不仅要拿到赔偿,还要求法庭及美国国际贸易委员会(ITC)颁布永久性禁止令,禁止相关企业出口、销售所涉产品到美国。 25家被诉企业中,仅中国芯邦微电子来自中国大陆。SanDisk表示,芯邦侵犯了它5项专利。另外几家,除美国金士顿外,另有韩国LG、日本Buffalo、海盗船等公司,还有一部分是中国台湾厂商。 PNY的“低头”已开始分化24家企业的应对士气。它们目前分裂为正面应诉以及低头妥协两派。其中,金士顿主张正面抗争,它认为,自己的很多产品一向都是向其他厂商采购的成品,因此不应缴纳专利费。但其他厂商多属控制类芯片厂商,规模很小,恐将难以忍受诉讼费以及美国销售停滞。 中国芯邦微电子三个月以来对此保持沉默。“我们内部沟通了,这一问题一概不回答。”公司一位女士对《第一财经日报》说。此前,芯邦微电子总裁张华龙则强调,这类诉讼很常见,但他没有透露将采用何种应对方式。 芯邦创立于2003年,背后拥有英特尔中国技术基金与联想投资的支持。目前,它以1亿多片的销量,占据全球优盘控制芯片市场龙头地位,份额高达30%。 但分析人士表示,芯邦微电子正处于出口成本上升及本土竞争不利的尴尬中,未来不排除选择和解。
据美国风险投资协会(NationalVentureCapitalAssociation,NVCA)的一项调查结果,预计2008年流向清洁技术的风险投资将会上升,但对于半导体产业的投资将会下降。 NVCA还预测首次公开招股(IPO)市场形势将发生改善;在中国等某些地区,风险投资公司数量将下降,对于全球投资的担忧较弱。上述NVCA调查是在12月初进行的,包括了美国170多位风险资本家作出的预测。 NVCA总裁MarkHeesen表示:“对于风险投资公司来说,由于许多投资公司将专注于生命科学和清洁技术等对资金需求越来越大的领域,2008年将出现更大规模的集资活动,而且速度会更快。”NVCA代表着大约480家风险投资公司与私募股权投资公司。 上述调查结果显示,总体来看,风险资本家预测明年投资将温和增长,71%的受访者预计2008年风险投资规模将达200-290亿美元。平均预测是270亿美元,与2007年投资水平持平。四分之一的受访者给出的预测值较高,认为明年投资规模将达300-390亿美元。约有80%的风险资本家预测,2008年清洁技术产业将吸引较多的风险投资。但是,也有61%的受访者认为明年清洁技术产业的估价将会过高。 其它投资将会增长的领域包括媒体与娱乐、生物科技和互联网专业公司。医疗设备与无线电信领域的投资预计温和增长,一半以上的受访者预测这些领域的投资将保持原地踏步或者下降。 49.7%的风险资本家预测对半导体产业的投资将会下降,21%的人认为软件领域中的投资会下降。约有36.6%的受访者预测半导体领域的投资额持平,13.7%的人预测该领域的投资将增长。 在国际投资方面,受访者的看法比较分散。37%的人表示对于投资南美持谨慎态度,28%的人对于明年投资中国感到犹豫。17%的人也对投资东欧感到不太放心。 对于2008年风险投资情况的其它预测包括: 多数受访者认为2008年风险投资产业将进一步整合,57%的人预测明年风险投资公司的数量将会减少。 59%的受访者预测,IPO市场将进一步复苏,44%的人认为该市场的复苏速度将与2007年相同或者慢于2007年。对于风险资本支持的企业的IPO活动,22%的人预测将与今年持平,19%的人预测将会减弱。 在并购市场,风险资本家对于并购交易规模的预测不太一致。35%的人表示并购金额将会上升,27%的人认为将会下降,38%的人预测将保持在今年的水平。 相当多的人预测收购基金(BuyoutFund)和对冲基金产业的长期表现将会下滑。长期来看,分别有43%和51%的人预测这两个产业将走下坡路。 在谈到美国经济状况时,60%的人认为美国经济将会萎缩,21%的人预测将保持在原地,19%的人预测将会出现改善。但有60%的风险资本家表示,次优抵押贷款危机将在2008年得到扼制。 55%的受访者预测原油价格明年12月将高于每桶92美元,41%的人预测届时原油价格将低于92美元。 39%的人预测希拉里将入主美国白宫,21%的人看好RudyGiuliani,16%的人认为奥巴马(BarackObama)将获胜,11%的人看好MittRomney。
全球卫星定位系统(GPS)是2007年最强3C产品之一,尤其在全球晶片供应商不断出现合并及并购动作后,春江水暖鸭先知的惯例,似乎已隐约透露出2008年客户对GPS产品需求成长性的看好程度,并迫使晶片大厂不得不提前动手布局,以免错失这块已开始起飞的市场大饼。 恩智浦(NXP)于21日宣布将先以8,500万美元并购GloNav这家专注在GPS单晶片解决方案的IC设计公司,并视情况再追加2,500万美元现金溢价。这已是2007年第5家收购GPS相关软体及晶片解决方案的半导体业者,从年初的CSR到Broadcom、SIRF及Atheros,以及最近的NXP,国外晶片大厂加紧脚步动作,其实已明白透露2008年GPS产品市场会有多热。 台系IC设计业者表示,撇开全球GPS晶片市场新进供应商不谈,2007年连全球GPS领导大厂SIRF都下海收购Centrality,可见全球GPS晶片市场需求热度,已被终端PND及GPS相关商品热卖所带动,加上下游PND、汽车大厂、消费性电子产品业者,以及手机品牌商、营运商对GPS应用各有不同考量,2008年GPS晶片爆发成长已在预期之中。 由于3C产品客户对于GPS功能应用各有不同考量点,有人只想要定位资讯,有人却想要彼此沟通的附加价值,对于GPS晶片需求也出现多元声音,这不仅让2008年全球GPS晶片市场需求有成长50%以上空间,高、中、低阶GPS晶片功能取向,也让国内、外晶片供应商得不断扩充自家GPS晶片解决方案,以满足客户所需。 GPS晶片供应商乐观表示,在诺基亚(Nokia)大手笔收购Navateq后,2008年绝对是GPS手机发展元年,而在GPS功能应用碰上1年需求已逾10亿台的全球手机市场需求后,面对GPS晶片应用由原先1年仅1,000万~2,000万台PND产品市场,走向手机产品市场后,全球GPS晶片需求在未来几年内爆增数10倍,其实没什么好大惊小怪。 晶片供应商指出,对国内、外晶片供应商最大挑战,应该就是「时效性」,因此,国外晶片供应商2007年纷加紧展开合并及并购GPS相关公司动作,壮大自家GPS晶片产品线,至于台厂联发科及晨星也是加快新一代GPS晶片开发动作,以争食市场大饼。 在春江水暖鸭先知惯例下,2007年国内、外晶片供应商热衷收购GPS晶片相关硬体及软体公司动作,其实已透露出2008年GPS相关应用将出现爆发性的成长,各式各样3C产品2008年所标榜最强功能,将与GPS应用牵上关係,而这样全球GPS市场前景,让国内、外GPS晶片供应商已有作梦空间并全力以赴。
1月7日消息,据国外媒体报道,业内分析师日前对2008年的全球半导体市场发展趋势进行了10大预测。预测指出,中芯国际在2008年很可能被并购,而AMD和Micron则走上私有化道路。 此外,IBM和三洋将放弃半导体部门,而东芝将收购NEC电子等。 以下为2008年全球半导体市场10大预测: 1. 与2007年相比,2008年半导体市场增长率为0 2. 半导体设备市场下滑20% 3. 半导体市场将发生更多的并购交易 4. 超紫外线光刻技术将消亡 5. IBM分拆半导体部门 6. 中芯国际被并购或与特许半导体结盟 7. 飞思卡尔将分拆,英飞凌、NXP和ST是潜在买家 8. AMD私有化,或被IBM收购部分股份 9. Micron将走上私有化道路,或存储芯片部门与Qimonda合并 10. 三洋放弃半导体部门,东芝收购NEC电子,Elpida与Powerchip合并