(全球TMT2022年11月8日讯)三星宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子...
三星电子(Samsung Electronics)规划2023年智能手机生产目标约2.9亿部,同比降幅达13%,不过三星旗舰新机Galaxy S23(暂称)系列生产目标则与2022年相似。(全球企业动态)...
三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度,可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存...
三星宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面...
据业内消息,近期三星电子宣布已经开始大规模量产236层3D NAND闪存芯片(第八代V-NAND闪存)。
受行业周期性低迷的影响,存储芯片的头部厂商正在经历寒冬阶段。
三星晶圆厂中多次成功的流片表明,新思科技数字和定制设计流程已具备生产就绪的能力 加利福尼亚州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)近日宣布,在双方的长期合作中,三星晶圆厂(以下简称"...
(全球TMT2022年11月4日讯)新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,在双方的长期合作中,三星晶圆厂已经通过新思科技数字和定制设计工具和流程实现了多次成功的测试流片,从而更好地推动三星的3纳米全环绕栅极(GAA)技术被采用于对功耗、性能和面积(PPA)要求极高的...
(全球TMT2022年11月4日讯)奥特斯2022/23财年上半年的合并收入增长53%至10.7亿欧元(去年同期:6.98 亿欧元)。调整汇率影响后,综合收入增长37%。调整后息税折旧摊销前利润为3.35亿欧元,同比增长139%。 微芯科技公告称,2023财年前六...
新思科技近日宣布,在双方的长期合作中,三星晶圆厂已经通过新思科技数字和定制设计工具和流程实现了多次成功的测试流片,从而更好地推动三星的3纳米全环绕栅极(GAA)技术被采用于对功耗、性能和面积(PPA)要求极高的应用中。与三星SF5E工艺相比,采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实...
据业内消息,三星显示公司近日从日本富士胶片购买了42项专利,大部分专利是关于氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)的,这是关于OLED的技术。近年,三星显示公司在关于OLED相关专利方面的动作非常频繁,强化显示地位和相关技术的目的隐隐若现。
据业内信息,近日韩国首尔中区检察院起诉了4名三星集团的员工,因其涉嫌窃取三星的半导体技术资料泄露给中国企业以及Intel公司。
据业内消息,昨天三星电子公布了今年Q3季度的财报数据,其芯片业务下滑约14%,整个Q3季度的净利润约为9.14万亿韩元(64.51亿美元)远低于之前的预期。
据业内信息报道,由于存储芯片市场的持续萎靡,对全球存储行业领头羊的三星影响非常大,近日三星表示将拓展汽车半导体领域,或将因此在欧洲建厂。
日前,Alphawave公司宣布,其成为台积电N3E工艺首批流片的客户。相关产品会在本周晚些时候的台积电OIP论坛上公布详情。
QD-OLED面板,即量子点面板,是一种使用量子点(英文,quantum dot,QD)的显示设备,量子点是半导体纳米晶体,可以产生纯单色的红光、绿光和蓝光 [1] 。
10月20日消息,根据韩国媒体BusinessKorea报导,三星过去有持续与联电进行合作,现在预计将与更多的晶圆代工厂合作。也就是说,三星除了会将更多非存储芯片外包给联电代工之外,还可能会将非存储芯片交于力积电、世界先进等代工厂商。报道称,三星电子正计划增加非存储芯片的生产外包,台湾代工厂大厂联电可能会获得三星提供的更多的图像传感器和显示驱动芯片的代工订单。
10月19日消息,据韩国媒体报导,因全球市场景气度持续下滑,三星美国德克萨斯州泰勒市先进制程晶圆厂建厂计划可能延后。
10月19日消息,据日经新闻报道,三星电子于18日在日本东京都召开晶圆代工业务说明会,向客户展示技术、产能展望,目标是进一步扩大其在日本的晶圆代工业务。
10月18日,韩国三星电子宣布,其最新与移动处理器大厂高通(Qualcomm) 合作的LPDDR5X DRAM,日前以8.5Gbps 的业界最快速度通过了验证,该速度也超越了三星此前在3 月份达到的7.5Gbps 的最高速度。预计高通将会在即将推出的Snapdragon 8 Gen 2 移动平台上,首发支持8.5Gbps 的LPDDR5X DRAM。