东芝
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东芝推全球最快手机 处理器速度达1GHz(图)
东芝星期五（7月10日）在英国推出了在Orange网络上运行的TG01型手机。这款手机配置了高通1GHzSnapdragon处理器。这是目前手机上采用的速度最快的处理器。东芝的重点是在移动中处理媒体内容。因此，这款手机配置了4.1
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传东芝二季度运营亏损5.4亿美元 同比减亏32%
据日本经济新闻社报纸报道，由于闪存芯片价格止跌，东芝第二季度或许已缩小运营亏损。报纸报道称，东芝第二季度的运营亏损可能在500亿日元左右(约合5.4亿美元)，而它在去年同期的运营亏损为740亿日元(约合8亿美元)，
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传东芝改用12吋产线生产CMOS
日经新闻7日报导，为大幅压低制造成本、提高价格竞争力，东芝（Toshiba）将于2009年上半年内，改用最先端设备生产手机、数字相机等产品之核心零件CMOS传感器（CMOS Sensor）。 报导指出，东芝在旗下系统整合芯片（
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日本推出“Biblio”看书手机（图）
7月6日北京消息，据国外媒体报道，日本第二大电信服务商KDDI与东芝合作推出以“Biblio”命名的手机，以电子书浏览器作为最大卖点。该机内建7GB内存，3.5吋触摸式液晶显示屏，外型及包装设计都和Amazon Kin
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三星与东芝就共享半导体专利期限延长
据韩联社报道，三星电子日前发表告示称，与日本东芝就共享两家半导体部门的专利达成了协议。 在NAND型闪存领域位居前二的三星电子和东芝，从2002年9月至今年3月，一直共享半导体领域专利技术。 此次达成的协议延长了
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iPhone 3GS成本拆解：东芝24美元占最多
6月26日消息，市调机构iSuppli周四公布苹果新款智能手机iPhone 3GS的拆解分析结果，算出每支材料成本为172.46美元。其中最贵的零组件是每件要价24美元的16MB闪存模块，由新任供货商东芝抢下大饼。 iSuppli拆解结果显
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三星东芝达成协议 延长半导体专利共享期限
三星电子日前发表告示称，与日本东芝就共享两家半导体部门的专利达成了协议。 在NAND型闪存领域位居前二的三星电子和东芝，从2002年9月至今年3月，一直共享半导体领域专利技术。 此次达成的协议延长了专利共享时
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东芝和NEC扩大与IBM的半导体开发合作
日本两大电子巨头东芝和NEC电子18日宣布，将扩大与IBM在最尖端的半导体开发领域的合作。 东芝公司发布新闻公报称，三方将共同开发28纳米工艺CMOS处理技术，该技术可用在高速传输大容量数据的下一代通信机器上。这项
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NAND Flash再刮大风 30纳米世代竞赛起跑
全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，
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三星东芝延长半导体专利共享期限
据韩联社报道，三星电子日前发表告示称，与日本东芝就共享两家半导体部门的专利达成了协议。在NAND型闪存领域位居前二的三星电子和东芝，从2002年9月至今年3月，一直共享半导体领域专利技术。此次达成的协议延长了专
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iPhone 3GS拆解报告：博通与东芝赢得订单
第三代苹果iPhone的拆机分析结果显示，部分由于采用了博通和东芝的芯片，这款手机的集成度更高，而且可能成本更低。一位分析师因此调侃说，iPhone 3GS中的“S”可能代表“Savings(节省)”。尔必达也首次打入iPhone
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三星电子与东芝就芯片业务达成交*授权交易
三星电子周一表示，已与日本东芝就半导体业务签署交*授权交易。 6月22日消息，据报道，三星电子周一表示，已与日本东芝就半导体业务签署交*授权交易。 东芝是继三星电子之后，全球第二大NAND快闪记忆体(闪存)芯片制
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日本半导体业上演合纵连横
日本两大电子巨头东芝和NEC电子18日宣布，将扩大与IBM在最尖端的半导体开发领域的合作，之前在最先进的系统集成电路开发上，日本松下和瑞萨已经开展合作。日本半导体业的“合纵连横”将愈演愈烈。 东芝公司发布新闻
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NEC和东芝将扩展与IBM的芯片技术协议
NEC电子公司（NEC Electronics Corp.）和东芝公司（Toshiba Corp.）同意扩展与IBM Corp.的研发协议，允许联合开发使用于消费者产品的28 纳米半导体技术。 这三家公司18日表示，两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互
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经济状况每况愈下,美国富士通欲撤离硅谷
富士通公司称他们决定把设在美国硅谷的部分办公部门迁往外地,目前美国富士通在硅谷地区共有450名员工,目前还不清楚这些员工中的哪些部分会被迁移到其 它地区,不过此前富士通称7月1日前会裁掉54名员工.一位代表富士通
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东芝展示16纳米芯片
目前，世界内存芯片和逻辑电路生产工艺普遍还处于30纳米和42纳米。近日，日本东芝公司表示，他们突破了目前芯片生产工艺的瓶颈，通过使用锗元素生产出了厚度仅为16纳米金属绝缘半导体场效应晶体管，并且将来的产品可
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东芝NEC与IBM合作 共同开发28纳米CMOS芯片
东芝NEC与IBM合作 共同开发28纳米CMOS芯片
