2012年受惠行动装置和行动运算应用热门,造成台积电28奈米制程产能狂缺,加上GlobalFoundries和三星电子(Samsung Electronics)也都朝先进制程猛攻,未来各厂能否快速布局先进制程技术成为晶圆代工厂致胜关键。 根据
图/经济日报提供 创意(3443)获台积电助攻,明年将结束与韩国三星合作后,导入欧美日系统厂密集合作案,带动创意28纳米接单满档,明年营收有机会创历史新高。创意目前是独家为三星代工4G LTE基频芯片的厂商,并透
晶圆代工厂在先进制程的竞争愈演愈烈。行动装置对采用先进制程的晶片需求日益高涨,让台积电、联电、GLOBALFOUNDRIES与三星等晶圆厂,皆不约而同加码扩大先进制程产能,特别是现今需求最为殷切的28奈米制程,更是首要
晶圆代工厂在先进制程的竞争愈演愈烈。行动装置对采用先进制程的晶片需求日益高涨,让台积电、联电、GLOBALFOUNDRIES与三星等晶圆厂,皆不约而同加码扩大先进制程产能,特别是现今需求最为殷切的28奈米制程,更是首要
台积电(2330)明年将持续扩增28与20奈米产能,市场预期资本支出也将再往冲高,为了降低设备的投资成本,台积电近年来开始积极扶植本土设备厂商,包括无尘室、自动化等相关设备厂汉唐(2404)、盟立(2464)、家登(
【杨喻斐╱台北报导】台积电(2330)明年将持续扩增28与20奈米产能,市场预期资本支出也将再往冲高,为了降低设备的投资成本,台积电近年来开始积极扶植本土设备厂商,包括无尘室、自动化等相关设备厂汉唐(2404)、
台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外,台积电2013~2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术,打造16、10奈米制程;同时亦可望推出18寸(450mm)晶圆样品制造设备,全力防堵三星(Samsun
台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外,台积电2013~2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术,打造16、10奈米制程;同时亦可望推出18寸(450mm)晶圆样品制造设备,全力防堵三星(Samsun
台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外,台积电2013~2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术,打造16、10奈米制程;同时亦可望推出18吋(450mm)晶圆样品制造设备,全力防堵三星(Samsun
台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外,台积电2013~2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术,打造16、10奈米制程;同时亦可望推出18寸(450mm)晶圆样品制造设备,全力防堵三星(Samsun
台积电先进制程布局火力全开。除20奈米(nm)已先行导入试产外,台积电2013~2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体(FinFET)技术,打造16、10奈米制程;同时亦可望推出18吋(450mm)晶圆样品制造设备,全力防堵三星(Samsun
继INTEL日前宣布将砸下41亿美元、投资荷兰半导体设备大厂ASML,加速其在18寸晶圆和EUV微影等先进制程技术的发展,并吃下ASML 15%股权,台积电也随之表示,将投资11.14亿欧元(约14亿美元),跟进ASML投资案,近日饱受苹
继INTEL日前宣布将砸下41亿美元、投资荷兰半导体设备大厂ASML,加速其在18寸晶圆和EUV微影等先进制程技术的发展,并吃下ASML 15%股权,台积电也随之表示,将投资11.14亿欧元(约14亿美元),跟进ASML投资案,近日饱受苹
国际主要半导体代工制造商中芯国际集成电路制造有限公司公布截至二零一二年六月三十日止六个月未经审核的中期业绩。抓住了今年上半年全球半导体业超预期增长的机遇,中芯国际在上半年获得了稳步成长。公司实现半年度
8月30日消息,国际主要半导体代工制造商中芯国际集成电路制造有限公司昨日公布截至二零一二年六月三十日止六个月未经审核的中期业绩。抓住了今年上半年全球半导体业超预期增长的机遇,中芯国际在上半年获得了稳步成长
国际主要半导体代工制造商中芯国际集成电路制造有限公司已于今日公布截至二零一二年六月三十日止六个月未经审核的中期业绩。抓住了今年上半年全球半导体业超预期增长的机遇,中芯国际在上半年获得了稳步成长。公司实
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国际主要半导体代工制造商中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际",纽约交易所:SMI;香港联交所:981)已于今日公布截至二零一二年六月三十日止六个月未经审核的中期业绩。 抓住了今年上半年全球半导体业超预期