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3月末内存芯片价格攀升 疑为触底反弹信号
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内存芯片价格诡异攀升 疑为触底反弹信号
内存芯片价格诡异攀升 疑为触底反弹信号
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茂德科技70纳米量产 成为台湾内存业首家
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美光预测芯片价格下滑 三星现代股价下跌
据国外媒体报道，美国厂商美光科技上周五预测今年第一季度内存芯片价格将大幅下滑，本周一包括三星电子和现代半导体在内的内存芯片生产商股价应声下跌。 本周一，全球最大的内存芯片生产商三星电子股价下跌2.22％，报
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现代半导体称不打算将业务部搬到中国
韩国内存芯片巨头现代半导体公司在星期三否认了韩国地方媒体报道称它打算将业务部搬到中国的消息。 由于现代半导体之前表示将新建一座芯片生产厂来生产12英寸（300毫米）硅片，加上它已经与合作伙伴在中国组建了一家
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现代预期07年内存芯片售价将下跌30%
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手机不行内存芯片补 英飞凌Q1两年首扭亏为盈
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Vista将推动内存芯片销售增长
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台湾首个芯片项目落户重庆 投资逾9亿美元
台湾著名内存芯片厂商、茂德科技股份有限公司的八英寸集成电路项目今天正式签约落户重庆。这是其在大陆投资的第一座芯片制造厂，也是目前唯一获台湾当局批准投资大陆并进入实质性建设的芯片厂。 据介绍，该项目落户
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台湾力晶称大陆8英寸芯片厂主要承揽代工
据台湾媒体1月2日报道，台湾半导体巨头力晶公司日前表示，台湾当局对于其投资放行，增强了他们在大陆投资的信心。不过，力晶公司表示，他们还在考虑大陆八英寸芯片厂的运营模式。 力晶公司表示，大陆这座芯片厂可能被
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台湾力晶称大陆8英寸芯片厂主要承揽代工
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新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍
北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于
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三星开发出首款聚合内存芯片 功耗降低超30%
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新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍
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三菱收到美司法部传票 成SRAM案调查新目标
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美34州联名起诉七内存芯片制造商 面临巨额索赔
美国东部时间7月13日（北京时间7月14日）据外电的最新报道称，美国34个州将在周五起诉全球七家内存芯片制造商，指控这七家内存芯片制造商操纵美国市场内存芯片价格。上述七家公司分别是美光、英飞凌、台湾的茂矽电子
