半导体厂商的订单额在2010年1~3月激增后,4~6月一直为横盘走势(图1)。也就是说,订单额从“雷曼事件”后的2009年4月开始一直处于持续增加的趋势,但近来已转为不升不降。由此,认为半导体市场的供需正趋于平衡就
目前,功率半导体受到越来越多的关注。这是因为在实现CO2减排及环保对策时,功率半导体起到的作用极大。比如在日本国内,“变频器家电(空调、洗衣机、冰箱)”已变得相当普遍。采用变频器可使电力效率获得飞跃性提高
功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元,
功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元,
美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示,2010年的市场规模近乎为零,但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式,不断扩大市场规模。iSupp
华润上华科技有限公司(简称“华润上华”)与电子科技大学(简称“电子科大”)共建DMOS联合实验室的签约仪式于2010年3月30日在电子科技大学举行。华润上华副总经理苏巍和电子科大副校长杨晓波分别代表双方在协议上
东丽道康宁面向SiC等新一代功率半导体,开发出了兼顾耐热性及加工性的新型硅类封装材料。特点是可在250℃条件下连续使用,而且加工性较高。比如,SiC功率半导体元件(功率元件)可在硅功率元件所限定的200℃以上的高
昭和电工宣布,成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC(碳化硅)外延晶圆(EpitaxialWafer)。该晶圆的平滑性为0.4nm,较原产品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现单晶Si
昭和电工宣布,成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC(碳化硅)外延晶圆(Epitaxial Wafer)。该晶圆的平滑性为0.4nm,较原产品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现
世界各地计算机数量众多,耗能量也相当庞大,而支撑互联网运作的数据中心就是一大耗能实例。在一个典型的数据中心设施中,其实只有不到一半的功耗是用在计算功能上的。所以数据中心运营商千方百计寻找机会来提高功率转换效率和分配效率,例如通过高压直流源的分配来减小转换级的数目。
世界各地计算机数量众多,耗能量也相当庞大,而支撑互联网运作的数据中心就是一大耗能实例。在一个典型的数据中心设施中,其实只有不到一半的功耗是用在计算功能上的。所以数据中心运营商千方百计寻找机会来提高功率转换效率和分配效率,例如通过高压直流源的分配来减小转换级的数目。
世界各地计算机数量众多,耗能量也相当庞大,而支撑互联网运作的数据中心就是一大耗能实例。在一个典型的数据中心设施中,其实只有不到一半的功耗是用在计算功能上的。所以数据中心运营商千方百计寻找机会来提高功率转换效率和分配效率,例如通过高压直流源的分配来减小转换级的数目。
过去,人们常把集成电路比作电子系统的大脑,而把功率半导体器件比作四肢,因为集成电路的作用是接受和处理信息,而功率器件则根据这些信息指令产生控制功率,去驱动相关电机进行所需的工作。如今,新型功率半导体器
新闻事件: 中国南车建成最大的大功率半导体产业基地事件影响: 国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产9月8日,随着第一批高压大功率晶闸管正式投片,国内最大的大功率半导体器件研发
中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地今日在湖南株洲正式投产。这将改变国内高端半导体器件技术和市场一直被国外垄断的局面,加速国产化大功率半导体器件产业化进程。 大尺寸功率半导体器件是变流器的