功率晶体管
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EPC 推出高功率密度的增强型氮化镓((eGaN)功率晶体管 EPC2039
全新eGaN FET (EPC2039)具备优越性能、大功率及采用超小型封装的优势，其价格也可以支付得起。 宜普电源转换公司宣布推出EPC2039功率晶体管。该产品是一种具备高功率密度的增强型氮化镓((eGaN)功率晶体管，其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在栅极上施加5 V电压时的最大阻抗为 22 mΩ。 由于它在超小型封装内具备高开关性能，因此它在电源转换系统具备高性能优势。
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更高性能！宜普电源转换公司新推出两款氮化镓功率晶体管
eGaN功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能，从而实现具备更高的功率密度的转换器。宜普
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飞思卡尔推出首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓射频功率晶体管
飞思卡尔已实现该器件的量产，该器件完美结合了高效率、高增益及射频输出功率飞思卡尔半导体公司日前推出了其首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓(GaN)射频功率晶体管。新产品A2G22S160-01S在无线基础设施应用所使用的
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突破成本/速度壁垒 宜普电源转换公司推出全新eGaN功率晶体管
全新eGaN功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。宜普电源转换公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶体管，专为在价格
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宜普电源转换公司(EPC)推出单片式氮化镓半桥功率晶体管
宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管，进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80
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宜普电源转换公司推出 450 V增强型氮化镓功率晶体管
宜普电源转换公司为功率系统设计师提供一款具备4奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2027 eGaN® FET)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。
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宜普电源转换公司的单片式eGaN®半桥晶体管系列 荣获《Electronics Products》杂志颁发\"年度产品大奖\"
单晶片半桥式氮化镓功率晶体管EPC2100获得著名电子杂志颁发“年度产品大奖”，在竞争激烈的分立式半导体产品类别中被评选为极具创新性的产品。宜普电源转换公司(
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宜普电源转换公司推出高性能氮化镓功率晶体管
氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可
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结束连2年衰退 功率晶体管销售回温
功率电晶体市场重拾成长动能。市调机构IC Insights指出，受到全球经济情势不稳定的影响，功率电晶体整体销售额在2012与2013年分别下滑8%和6%；预估今年随着景气复苏，可望止跌回升，并创下年增率
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结束连2年衰退 功率晶体管销售回温
功率电晶体市场重拾成长动能。市调机构IC Insights指出，受到全球经济情势不稳定的影响，功率电晶体整体销售额在2012与2013年分别下滑8%和6%；预估今年随着景气复苏，可望止跌回升，并创下年增率8%的表现，达125亿美
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主要分立器件产品市场分析
【导读】主要分立器件产品市场分析 整流器 经过连续10个月的价格上涨，今年9月份、10月份，整流器的价格保持平稳。iSuppli公司认为，第四季度的价格可能走平，甚至有可能小幅下降。但后端产品的供应紧张的状况
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飞思卡尔塑料封装的射频功率晶体管出货量超过1.75亿
【导读】近日，大功率射频 (RF) 功率晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体公司(NYSE：FSL)日前宣布已经售出超过 1.75 亿个塑料封装的高频大功率射频功率晶体管，达到了业界难以企及的里程碑高度。 摘要： 近日，大功
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英飞凌40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013电子行业年度技术创新奖
【导读】2013年4月12日，上海——4月11日下午， OFweek光电新闻网 (以下简称OFweek)和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动，英飞凌科技公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY，以下简称英飞凌
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日企聚焦GaN功率元件，耐压600V产品成主流
【导读】Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后，日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品，还有不少企业宣布涉足功率元件业务。 摘要： Si之后的新一代功率半导体材料
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Maxim用于蜂窝基站基础设施中功率晶体管偏置控制的集成IC
Maxim推出双通道RF LDMOS偏置控制器MAX1385/MAX1386*/MAX11008。这些高度集成的器件采用7mm x 7mm封装，是业内最小的、集成了蜂窝基站控制所需的所有模拟至数字(A/D)、数字至模拟(D/A)接口以及逻辑功能的LDMOS偏置
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ST推新款防潮射频功率晶体管，加强在射频功率市场的表现
21ic讯 意法半导体推出两款新的防潮射频(RF，radio-frequency)功率晶体管，以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。这两款50V RF DMOS器件的封装腔内填充凝胶，以防止裸片发生电迁移现象，例如银枝晶迁移。这
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意法半导体推出新的防潮射频功率晶体管 加强在射频功率市场的表现
注胶密封封装提高目标应用在恶劣环境下的耐用性和可靠性21ic讯 意法半导体推出两款新的防潮射频(RF，radio-frequency)功率晶体管，以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和
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功率器件供应趋紧 各厂商全速扩充产能
自新型功率MOSFET、IGBT器件问世以来，借助对新结构、新技术的研究，通过缓解MOSFET、IGBT类器件在关态击穿与开态导通之间的矛盾，使得这类产品能够有效地满足实际工程对高速、高击穿电压、高可靠性方面的要求。伴随
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ST推出双极功率晶体管 媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装
21ic讯 意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器(DC-
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美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空应用提供无与伦比的高功率性能
新器件适用于商用和军事、地面和机载、二次监视雷达，以及防撞空中交通管制设备21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silic
